新产品
SS8P3C & SS8P4C
威世通用半导体
高电流密度表面贴装
双共阴极肖特基整流器
ESMP
TM
系列
K
特点
非常低调 - 1.1 mm典型的高度
适合自动放置
低正向压降，低功耗
损失
高效率
1
低热阻
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
无卤
机械数据
案例：
TO- 277A （ SMPC ）
塑封料符合UL 94V- 0可燃性
投资评级。
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，高可靠性/
汽车级（ AEC- Q101标准）
底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，
商业级
底座P / NHM3 - 无卤素，符合RoHS标准，
高可靠性/汽车级（ AEC- Q101标准）
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3和M3后缀符合JESD 201级1A晶须
测试， HE3和HM3后缀符合JESD 201 2级
晶须测试
2
TO- 277A （ SMPC ）
K
阴极
阳极1
阳极2
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
E
AS
V
F
在我
F
= 4 A
T
J
马克斯。
2× 4.0
30 V, 40 V
120 A
20兆焦耳
0.42 V
150 °C
典型应用
对于交换式高频整流用
电源供应器，续流二极管，直流 - 直流
转换器和极性保护应用程序。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
设备总
每二极管
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
T
J,
T
英镑
符号
SS8P3C
S83C
30
8.0
4.0
120
20
- 55至+ 150
SS8P4C
S84C
40
V
A
A
mJ
°C
单位
峰值正向浪涌电流为10ms单半正弦波叠加
每个二极管的额定载荷
非重复性雪崩能量在25 ° C，I
AS
= 2将每个二极管
工作结存储温度范围
文档编号： 89029
修订： 30 -JUL- 08
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新产品
SS8P3C & SS8P4C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 2.0 A
I
F
= 4.0 A
I
F
= 2.0 A
I
F
= 4.0 A
为V
R
4.0 V， 1 MHz的
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R
C
J
符号
典型值。
0.42
0.48
0.32
0.42
130
26
230
马克斯。
-
0.58
V
-
0.48
300
35
-
A
mA
pF
单位
每个二极管的正向电压
(1)
反向电流每二极管
(2)
典型结电容每二极管
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
注意：
（ 1 ）单位安装在推荐P.C.B. 1盎司焊盘布局
符号
R
θJA
(1)
R
θJL
SS8P3C
60
3
SS8P4C
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
SS8P4C-E3/86A
SS8P4C-E3/87A
SS8P4CHE3/86A
(1)
SS8P4CHE3/87A
SS8P4C-M3/86A
SS8P4C-M3/87A
SS8P4CHM3/86A
(1)
SS8P4CHM3/87A
(1)
注意：
（ 1 ）高可靠性/汽车级（ AEC- Q101标准）
(1)
单位重量（g ）
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
首选包装代码
86A
87A
86A
87A
86A
87A
86A
87A
基地数量
1500
6500
1500
6500
1500
6500
1500
6500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
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新产品
SS8P3C & SS8P4C
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
负载电阻或电感
1000
瞬时反向电流（mA ）
平均正向电流（ A）
8
100
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
1
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
6
4
T
L
测
在阴极频带终端
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
铅温度（ ℃）
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图1.最大正向电流降额曲线
图4.典型的反向漏电特性每二极管
2.4
D = 0.3
D = 0.2
D = 0.1
1.6
D = 1.0
D = 0.5
D = 0.8
1000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
结电容（pF ）
平均功耗（ W）
2.0
1.2
T
100
0.8
0.4
0
0
1
2
3
D =吨
p
/T
4
t
p
10
5
0.1
1
10
100
平均正向电流（ A）
反向
电压
(V)
图2.正向功率损耗特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
100
100
10
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
1
10
T
A
= 25 °C
0.1
结到环境
1
0.01
0.01
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性每二极管
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
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新产品
SS8P3C & SS8P4C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO- 277A （ SMPC ）
0.187 (4.75)
0.175 (4.45)
K
0.016 (0.40)
0.006 (0.15)
0.262 (6.65)
0.250 (6.35)
0.242 (6.15)
0.238 (6.05)
0.026 (0.65)
喃。
2
1
0.171 (4.35)
0.167 (4.25)
0.146 (3.70)
0.134 (3.40)
0.087 (2.20)
0.075 (1.90)
0.047 (1.20)
0.039 (1.00)
贴装焊盘布局
0.189
分钟。
(4.80)
0.189 (4.80)
0.173 (4.40)
0.155 (3.94)
喃。
0.030 (0.75)
喃。
0.268
(6.80)
0.186
分钟。
(4.72)
0.049 (1.24)
0.037 (0.94)
0.084 (2.13)
喃。
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.041
(1.04)
0.050
分钟。
(1.27)
0.055
分钟。
(1.40)
符合JEDEC TO- 277A
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日前，Vishay
放弃
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
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