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新产品
SS8P2L & SS8P3L
威世通用半导体
高电流密度表面贴装
肖特基势垒整流器器
ESMP
TM
系列
K
特点
非常低调 - 1.1 mm典型的高度
适合自动放置
低正向压降，低功耗
损失
高效率
1
低热阻
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
无卤
机械数据
案例：
TO- 277A （ SMPC ）
塑封料符合UL 94V- 0可燃性
投资评级。
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，高可靠性/
汽车级（ AEC- Q101标准）
底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，
商业级
底座P / NHM3 - 无卤素，符合RoHS标准，
高可靠性/汽车级（ AEC- Q101标准）
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3和M3后缀符合JESD 201级1A晶须
测试， HE3和HM3后缀符合JESD 201 2级
晶须测试
2
TO- 277A （ SMPC ）
K
阴极
阳极1
阳极2
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
E
AS
V
F
在我
F
= 8.0 A
T
J
马克斯。
8.0 A
20 V, 30 V
150 A
20兆焦耳
0.472 V
150 °C
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，
续流，直流 - 直流转换器，和极性
保护应用。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波
叠加在额定负荷
非重复性雪崩能量
在我
AS
= 2 A，T
J
= 25 °C
工作结存储温度范围
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
T
J,
T
英镑
符号
SS8P2L
S82
20
8.0
150
20
- 55至+ 150
SS8P3L
S83
30
V
A
A
mJ
°C
单位
文档编号： 89001
修订： 30 -JUL- 08
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
SS8P2L & SS8P3L
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 4.0 A
I
F
= 8.0 A
I
F
= 4.0 A
I
F
= 8.0 A
V
R
= 30 V
4.0 V， 1 MHz的
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R
C
J
符号
典型值。
0.447
0.533
0.357
0.472
55
24
330
马克斯。
-
0.57
V
-
0.49
200
35
-
A
mA
pF
单位
最大正向电压
(1)
最大反向电流
(2)
典型结电容
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
注意：
（ 1 ）单位安装在推荐P.C.B. 1盎司焊盘布局
符号
R
θJA
(1)
R
θJL
SS8P2L
60
3.5
SS8P3L
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
SS8P3L-E3/86A
SS8P3L-E3/87A
SS8P3LHE3/86A
(1)
SS8P3LHE3/87A
SS8P3L-M3/86A
SS8P3L-M3/87A
SS8P3LHM3/86A
(1)
SS8P3LHM3/87A
(1)
注意：
（ 1 ）高可靠性/汽车级（ AEC- Q101标准）
(1)
单位重量（g ）
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
0.10
首选包装代码
86A
87A
86A
87A
86A
87A
86A
87A
基地数量
1500
6500
1500
6500
1500
6500
1500
6500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 89001
修订： 30 -JUL- 08
新产品
SS8P2L & SS8P3L
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
负载电阻或电感
1000
瞬时反向电流（mA ）
平均正向电流（ A）
8
100
10
T
A
= 150 °C
6
T
A
= 125 °C
1
4
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
2
T
L
测
在阴极频带终端
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
铅温度（ ℃）
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图1.最大正向电流降额曲线
图4.典型的反向漏电特性
5
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5 D = 0.8
1000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
平均功耗（ W）
4
D = 0.1
D = 1.0
3
2
T
1
D =吨
p
/T
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
t
p
结电容（pF ）
100
0.1
1
10
100
平均正向电流（ A）
反向
电压
(V)
图2.正向功率损耗特性
图5.典型结电容
100
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到环境
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
1
10
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
文档编号： 89001
修订： 30 -JUL- 08
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www.vishay.com
3
新产品
SS8P2L & SS8P3L
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO- 277A （ SMPC ）
0.187 (4.75)
0.175 (4.45)
K
0.016 (0.40)
0.006 (0.15)
0.262 (6.65)
0.250 (6.35)
0.242 (6.15)
0.238 (6.05)
0.026 (0.65)
喃。
2
1
0.171 (4.35)
0.167 (4.25)
0.146 (3.70)
0.134 (3.40)
0.087 (2.20)
0.075 (1.90)
0.047 (1.20)
0.039 (1.00)
贴装焊盘布局
0.189
分钟。
(4.80)
0.189 (4.80)
0.173 (4.40)
0.155 (3.94)
喃。
0.030 (0.75)
喃。
0.268
(6.80)
0.186
分钟。
(4.72)
0.049 (1.24)
0.037 (0.94)
0.084 (2.13)
喃。
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.041
(1.04)
0.050
分钟。
(1.27)
0.055
分钟。
(1.40)
符合JEDEC TO- 277A
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4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
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文档编号： 89001
修订： 30 -JUL- 08
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
新产品
SS8P2L ， SS8P3L
威世通用半导体
高电流密度表面贴装
肖特基势垒整流器器
特点
ESMP
TM
系列
K
非常低调 - 1.1 mm典型的高度
适合自动放置
低正向压降，低功耗
损失
1
高效率
低热阻
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
8.0 A
2
TO- 277A （ SMPC ）
K
阴极
阳极1
阳极2
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
E
AS
V
F
在我
F
= 8.0 A
T
J
马克斯。
20 V, 30 V
150 A
20兆焦耳
0.472 V
150 °C
机械数据
案例：
TO- 277A （ SMPC ）
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，
商业级
底座P / NHM3 - 无卤素，符合RoHS标准，
汽车级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
M3后缀符合JESD 201级1A晶须试验， HM3
后缀符合JESD 201级2晶须测试
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，
续流，直流 - 直流转换器，和极性
保护应用。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波
叠加在额定负荷
非重复性雪崩能量
在我
AS
= 2 A，T
J
= 25 °C
工作结存储温度范围
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
T
J,
T
英镑
符号
SS8P2L
S82
20
8.0
150
20
- 55至+ 150
SS8P3L
S83
30
V
A
A
mJ
°C
单位
文档编号： 89001
修订： 24 - NOV- 09
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
SS8P2L ， SS8P3L
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 4.0 A
I
F
= 8.0 A
I
F
= 4.0 A
I
F
= 8.0 A
V
R
= 30 V
4.0 V， 1 MHz的
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R
C
J
符号
典型值。
0.447
0.533
0.357
0.472
55
24
330
马克斯。
-
0.57
V
-
0.49
200
35
-
A
mA
pF
单位
最大正向电压
(1)
最大反向电流
(2)
典型结电容
笔记
(1)
(2)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
记
(1)
符号
R
θJA
(1)
R
θJL
SS8P2L
60
3.5
SS8P3L
单位
° C / W
机组安装在推荐P.C.B. 1盎司焊盘布局
订购信息
（例）
首选的P / N
SS8P3L-M3/86A
SS8P3L-M3/87A
SS8P3LHM3/86A
(1)
SS8P3LHM3/87A
记
(1)
(1)
单位重量（g ）
0.10
0.10
0.10
0.10
首选包装代码
86A
87A
86A
87A
基地数量
1500
6500
1500
6500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
汽车级
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2
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文档编号： 89001
修订： 24 - NOV- 09
新产品
SS8P2L ， SS8P3L
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
10
负载电阻或电感
1000
瞬时反向电流（mA ）
平均正向电流（ A）
8
100
10
T
A
= 150 °C
6
T
A
= 125 °C
1
4
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
2
T
L
测
在阴极频带终端
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
铅温度（ ℃）
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图1.最大正向电流降额曲线
图4.典型的反向漏电特性
5
D = 0.2
D = 0.3
D = 0.5 D = 0.8
1000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
平均功耗（ W）
4
D = 0.1
D = 1.0
3
2
T
1
D =吨
p
/T
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
t
p
结电容（pF ）
100
0.1
1
10
100
平均正向电流（ A）
反向
电压
(V)
图2.正向功率损耗特性
图5.典型结电容
100
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到环境
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
1
10
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
文档编号： 89001
修订： 24 - NOV- 09
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3
新产品
SS8P2L ， SS8P3L
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO- 277A （ SMPC ）
0.187 (4.75)
0.175 (4.45)
K
0.016 (0.40)
0.006 (0.15)
0.262 (6.65)
0.250 (6.35)
0.242 (6.15)
0.238 (6.05)
2
1
0.047 (1.20)
0.039 (1.00)
0.171 (4.35)
0.167 (4.25)
0.146 (3.70)
0.134 (3.40)
0.087 (2.20)
0.075 (1.90)
贴装焊盘布局
0.189 (4.80)
分钟。
0.189 (4.80)
0.173 (4.40)
0.155 (3.94)
喃。
0.030 （ 0.75 ） NOM 。
0.049 (1.24)
0.037 (0.94)
0.084 （ 2.13 ） NOM 。
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
符合JEDEC TO- 277A
0.041
(1.04)
0.268
(6.80)
0.186 (4.72)
分钟。
0.050 (1.27)
分钟。
0.055 (1.40)
分钟。
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文档编号： 89001
修订： 24 - NOV- 09
法律免责声明
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全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
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继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
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间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
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包括但不限于本文所述的保修。
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或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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