【SS8550塑料封装晶体管PNP硅2BASE1辐射源集热器3TO-921.发射器2.基3.收集123】,IC型号SS8550D,SS8550D PDF资料,SS8550D经销商,ic,电子元器件-51电子网

SS8550

塑料封装晶体管

PNP硅

BASE

辐射源

集热器

TO-92

1.发射器

2.基

3.收集

绝对最大额定值（TA = 25℃ ）

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

器件总耗散T

=25 C

结温

储存温度

符号

VCEO

VCBO

VEBO

TSTG

SS8550

-25

-40

-5.0

-1.5

1.0

150

-55到+150

单位

VDC

ADC

器件标识

SS8550=SS8550D

电气特性

特征

集电极 - 发射极击穿电压

(1)

（ IC = -0.1 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 基极击穿电压（ IC = -100 uAdc ， IE = 0 ）

发射极 - 基极击穿电压（IE = -100 uAdc ， IC = 0 ）

集电极截止电流（ VCB = -40伏直流， IE = 0伏）

发射极截止电流（ VEB = -5 VDC ， I C = 0伏）

1.脉冲测试：脉冲宽度

＆ LT ;

300我们，占空比

＆ LT ;

2.0%

符号

V（ BR ） CEO

V（ BR ） CBO

V（ BR ） EBO

ICBO

我EBO

民

-25

-40

-5.0

最大

-0.1

单位

VDC

uAdc

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

SS8550

电气特性

（ TA = 25℃除非另有说明）（ Countinued ）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

直流电流增益

（ IC = -100 MADC ， VCE = -1.0 V直流）

hFE(1)

hFE(2)

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

100

400

-0.5

VDC

直流电流增益

（ IC = -800 MADC ， VCE = -1.0 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = -800 MADC ， IB = -80 MADC ）

基射极饱和电压

（ IC = -800 MADC ， IB = -80 MADC ）

跃迁频率

（ VCE = -10V ， I C = -50mA ， F = 30兆赫）

-1.2

VDC

兆赫

HFE分类（ 1 ）

秩

范围

85-160

120-200

160-300

300-400

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

SS8550

-0.5

1000

= -1V

=-4.0mA

[马] ，集电极电流

-0.4

=-3.5mA

=-3.0mA

，直流电流增益

100

-0.3

=-2.5mA

=-2.0mA

-0.2

=-1.5mA

=-1.0mA

-0.1

=-0.5mA

-0.4

-0.8

-1.2

-1.6

-2.0

-0.1

-1

-10

-100

-1000

[V] ，集电极 - 发射极电压

[马] ，集电极电流

图1静态特性

图2直流电流增益

-100

-10000

（SAT），V

（饱和） [ V]时，饱和电压

= -1V

=10I

[马] ，集电极电流

-10

-1000

BE （ SAT ）

-1

-100

CE （ SAT ）

-10

-0.1

-0.0

-1

-10

-100

-1000

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

-1.2

[马] ，集电极电流

[ V]时，基极发射极电压

图3基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

图4基射极电压上

100

[兆赫] ，电流增益带宽积

1000

f=1MHz

=-10V

[ pF的] ，电容

100

-1

-10

-100

-1000

-1

-10

-100

-1000

[V] ，集电极 - 基极电压

[马] ，集电极电流

图5集电极输出电容

图6电流增益带宽积

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

SS8550

单位：mm

TO- 92外形尺寸

TO-92

暗淡

民

最大

3.70

3.30

1.40

1.10

0.55

0.38

0.51

0.36

4.70

4.40

3.43

4.70

4.30

1.270TYP

2.44

2.64

14.10

14.50

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

SS8550

在便携式收音机2W输出放大器

B类推挽操作。

免费到SS8050

集电极电流：I

=1.5A

集电极耗散功率：P

= 2W （T

=25°C)

TO-92

1. 2.发射基地3.收藏家

PNP外延硅晶体管

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

参数

评级

-40

-25

-6

-1.5

150

-65 ~ 150

单位

°C

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

FE1

FE2

FE3

（SAT）

（上）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

测试条件

= -100μA ，我

= -2mA ，我

= -100μA ，我

= -35V ，我

= -6V ，我

= -1V ，我

= -5mA

= -1V ，我

= -100mA

= -1V ，我

= -800mA

= -800mA ，我

= -80mA

= -800mA ，我

= -80mA

= -1V ，我

= -10mA

= -10V ，我

f=1MHz

= -10V ，我

= -50mA

100

170

160

-0.28

-0.98

-0.66

200

分钟。

-40

-25

-6

-100

300

-0.5

-1.2

-1.0

兆赫

典型值。

马克斯。

单位

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

输出电容

电流增益带宽积

分类

FE2

85 ~ 160

120 ~ 200

160 ~ 300

2002仙童半导体公司

修订版A2 ， 2002年11月

SS8550

典型特征

-0.5

1000

= -1V

=-4.0mA

[马] ，集电极电流

-0.4

=-3.5mA

=-3.0mA

，直流电流增益

100

-0.3

=-2.5mA

=-2.0mA

-0.2

=-1.5mA

=-1.0mA

-0.1

=-0.5mA

-0.4

-0.8

-1.2

-1.6

-2.0

-0.1

-1

-10

-100

-1000

[V] ，集电极 - 发射极电压

[马] ，集电极电流

图1.静态特性

图2.直流电流增益

-10000

-100

（SAT），V

（饱和） [ V]时，饱和电压

=10I

= -1V

-1000

[马] ，集电极电流

-100

-1000

-10

BE （ SAT ）

-100

-1

CE （ SAT ）

-10

-0.1

-1

-10

-0.1

-0.0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

-1.2

[马] ，集电极电流

[ V]时，基极发射极电压

图3.基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

图4.基射极电压上

100

[兆赫] ，电流增益带宽积

1000

f=1MHz

=-10V

[ pF的] ，电容

100

-1

-10

-100

-1000

-1

-10

-100

-1000

[V] ，集电极 - 基极电压

[马] ，集电极电流

图5.集电极输出电容

图6.电流增益带宽积

2002仙童半导体公司

修订版A2 ， 2002年11月

SS8550

包装尺寸

TO-92

4.58

–0.15

+0.25

0.46

14.47

±0.40

±0.10

4.58

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

3.60

±0.20

1.27TYP

[1.27

±0.20

]

0.38

–0.05

+0.10

3.86MAX

1.02

±0.10

0.38

–0.05

+0.10

(R2.29)

(0.25)

单位：毫米

2002仙童半导体公司

修订版A2 ， 2002年11月

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不

旨在成为所有此类商标的详尽清单。

ACEX

FACT

ActiveArray

FACT静音系列

深不见底

快

FASTr

CoolFET

CROSSVOLT

FRFET

GlobalOptoisolator

DOME

EcoSPARK

GTO

CMOS

HiSeC

Ensigna

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

放弃

ImpliedDisconnect

等平面

LittleFET

的MicroFET

采用MicroPak

MICROWIRE

MSX

MSXPro

OCX

OCXPro

OPTOLOGIC

OPTOPLANAR

吃豆

POP

Power247

的PowerTrench

QFET

QT光电

静音系列

RapidConfigure

RapidConnect

SILENT SWITCHER

SMART START

SPM

隐形

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

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产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何

责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;

它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准

公司。

如本文所用：

1.生命支持设备或系统的设备或系统

其中，（ a）打算通过外科手术移植到体内，

或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行

如果使用得当按照使用说明

提供的标签，可以合理预期

造成显著伤害到用户。

2.关键部件是在生命支持任何组件

设备或系统，其未能履行可

合理预期造成的生命支持故障

装置或系统，或影响其安全性或有效性。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或

设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

2002仙童半导体公司

牧师I1