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SS8550
SS8550
在便携式收音机2W输出放大器
B类推挽操作。
免费到SS8050
集电极电流:I
C
=1.5A
集电极耗散功率:P
C
= 2W (T
C
=25°C)
1
TO-92
1. 2.发射基地3.收藏家
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
评级
-40
-25
-6
-1.5
1
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
V
BE
(上)
C
ob
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
测试条件
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -2mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -35V ,我
E
=0
V
EB
= -6V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
= -5mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -100mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -800mA
I
C
= -800mA ,我
B
= -80mA
I
C
= -800mA ,我
B
= -80mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -10mA
V
CB
= -10V ,我
E
=0
f=1MHz
V
CE
= -10V ,我
C
= -50mA
100
45
85
40
170
160
80
-0.28
-0.98
-0.66
15
200
分钟。
-40
-25
-6
-100
-100
300
-0.5
-1.2
-1.0
V
V
V
pF
兆赫
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
输出电容
电流增益带宽积
h
FE
分类
分类
h
FE2
B
85 ~ 160
C
120 ~ 200
D
160 ~ 300
2002仙童半导体公司
修订版A2 , 2002年11月
SS8550
典型特征
-0.5
1000
V
CE
= -1V
I
B
=-4.0mA
I
C
[马] ,集电极电流
-0.4
I
B
=-3.5mA
I
B
=-3.0mA
h
FE
,直流电流增益
100
-0.3
I
B
=-2.5mA
I
B
=-2.0mA
-0.2
I
B
=-1.5mA
I
B
=-1.0mA
10
-0.1
I
B
=-0.5mA
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
1
-0.1
-1
-10
-100
-1000
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
I
C
[马] ,集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
-10000
-100
V
BE
(SAT) ,V
CE
(饱和) [ V]时,饱和电压
I
C
=10I
B
V
CE
= -1V
-1000
I
C
[马] ,集电极电流
-100
-1000
-10
V
BE ( SAT )
-100
-1
V
CE ( SAT )
-10
-0.1
-1
-10
-0.1
-0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
I
C
[马] ,集电极电流
V
BE
[ V]时,基极发射极电压
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图4.基射极电压上
100
f
T
[兆赫] ,电流增益带宽积
1000
f=1MHz
I
E
=0
V
CE
=-10V
C
ob
[ pF的] ,电容
10
100
1
-1
-10
-100
-1000
10
-1
-10
-100
-1000
V
CB
[V] ,集电极 - 基极电压
I
C
[马] ,集电极电流
图5.集电极输出电容
图6.电流增益带宽积
2002仙童半导体公司
修订版A2 , 2002年11月
SS8550
包装尺寸
TO-92
4.58
–0.15
+0.25
0.46
14.47
±0.40
±0.10
4.58
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
3.60
±0.20
1.27TYP
[1.27
±0.20
]
0.38
–0.05
+0.10
3.86MAX
1.02
±0.10
0.38
–0.05
+0.10
(R2.29)
(0.25)
单位:毫米
2002仙童半导体公司
修订版A2 , 2002年11月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用,不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中,为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统,而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,
或(b )支持或维持生命,或(c )其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
SS8 550
晶体管( PNP )
特点
高集电极电流
补充SS8050
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
-40
-25
-5
-1.5
300
417
150
-55½+150
单位
V
V
V
A
mW
℃/W
1.基地
2.辐射源
3.收集
SOT–23
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
TEST
条件
-40
-25
-5
-100
-100
120
40
-0.5
-1.2
-1
100
20
V
V
V
兆赫
pF
400
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -0.1mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-800mA
I
C
= -800mA ,我
B
=-80mA
I
C
= -800mA ,我
B
=-80mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-10mA
V
CE
=-10V,I
C
= -50mA , F = 30MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分类
h
FE(1)
范围
记号
L
120–200
H
200–350
Y2
J
300–400
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
静态特性
-180
500
h
FE
——
I
C
Ta=100
1mA
-160
(MA )
0.9mA
h
FE
-140
-120
-100
-80
-60
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
集电极电流
直流电流增益
Ta=25
100
I
C
-40
-20
-0
-0.0
0.2mA
I
B
=0.1mA
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
10
-0.1
-1
-10
-100
V
CE
=-1V
-1000
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流
I
C
(MA )
V
BESAT
-1000
-900
——
I
C
-1000
V
CESAT
——
I
C
-800
Ta=25
-700
集电极 - 发射极饱和
电压V
CESAT
(毫伏)
基射极饱和
电压V
BESAT
(毫伏)
-100
Ta=100
Ta=25
-10
-600
-500
Ta=100
-400
-300
β=10
-200
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-1
0.2
-1
-10
-100
β=10
-1000
集电极电流
I
C
(MA )
集电极电流
I
C
(MA )
V
BE
-1000
——
I
C
100
C
ob
/ C
ib
—— V
CB
/ V
EB
f=1MHz
I
E
=0/ I
C
=0
TA = 25℃
o
C
ib
(MA )
(PF )
-100
C
ob
TA = 100℃
-10
COLLCETOR CURRENT
-1
VCE=-1V
-0.1
-200
-300
-400
-500
-600
-700
-800
-900
-1000
1
-0.2
-1
-10
20
电容
Ta=25
C
I
C
o
BASE- EMMITER电压
V
BE
(毫伏)
反向电压
V
(V)
500
fT
—— I
C
Pc
350
——
Ta
(兆赫)
集电极耗散功率
PC(毫瓦)
VCE-10V
o
TA = 25℃
-1
-10
-100
300
跃迁频率
fT
250
100
200
150
100
50
10
0
0
25
50
75
100
125
150
集电极电流
I
C
(MA )
环境温度
Ta
(
)
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
深圳市杰鸿顺电子有限公司
江苏长电科技股份有限公司
TO-92
SS8550
晶体管(
PNP
)
塑料封装晶体管
TO-92
特点
功耗
P
C
: 1 W (T
A
=25
)
1.发射器
2.基
3.收集
最大额定值(T
A
=25
除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
结温
储存温度
价值
-40
-25
-5
-1.5
150
-55-150
单位
V
V
V
A
1 2 3
电气特性(环境温度Tamb = 25
除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
输出电容
跃迁频率
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
Co
b
f
T
TEST
条件
-40
-25
-5
-0.1
-0.1
-0.1
85
40
-0.5
-1.2
-1
20
100
V
V
V
pF
兆赫
400
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
uA
I
C
= -100uA ,我
E
=0
I
C
= -0.1mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
CE
= -20V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-800mA
I
C
= -800mA ,我
B
=-80mA
I
C
= -800mA ,我
B
=-80mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ,我
E
=0mA,f=1MH
Z
V
CE
= -10V ,我
C
=-50mA,f=-30MH
Z
分类h及
FE(2)
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
D3
300-400
http://jhs-ic.hqew.com
深圳市杰鸿顺电子有限公司
典型特征
SS8550
http://jhs-ic.hqew.com
TO-92
SS8550
晶体管(
PNP
)
塑料封装晶体管
TO-92
特点
功耗
P
C
: 1 W (T
A
=25
)
1.发射器
2.基
3.收集
最大额定值(T
A
=25
除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
结温
储存温度
价值
-40
-25
-5
-1.5
150
-55-150
单位
V
V
V
A
1 2 3
电气特性(环境温度Tamb = 25
除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
输出电容
跃迁频率
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
Co
b
f
T
TEST
条件
-40
-25
-5
-0.1
-0.1
-0.1
85
40
-0.5
-1.2
-1
20
100
V
V
V
pF
兆赫
400
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
uA
I
C
= -100uA ,我
E
=0
I
C
= -0.1mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
CE
= -20V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-800mA
I
C
= -800mA ,我
B
=-80mA
I
C
= -800mA ,我
B
=-80mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ,我
E
=0mA,f=1MH
Z
V
CE
= -10V ,我
C
=-50mA,f=-30MH
Z
分类h及
FE(2)
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
D3
300-400
典型特征
SS8550
SS8550
公司Bauelemente
PNP硅
通用晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
集热器
特点
功耗
1
BASE
P
CM
: 0.3 W
集电极电流
I
CM
: - 1.5 A
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
: - 40 V
操作&存储结温
T
J
, T
英镑
: - 55°C ~ + 150°C
3
SOT-23
3
集热器
1
BASE
暗淡
A
B
C
D
G
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
2
辐射源
2
辐射源
A
L
3
H
K
B·S
2
J
J
K
C
顶视图
1
L
S
V
V
G
D
H
单位:mm外形尺寸
在大电气特性= 25°C
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE(sat)1
*h
FE
1
*h
FE
2
f
T
C
OB
分钟。
-40
-25
-5
-
-
-
-
-
120
40
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
-0.1
0.5
1.2
350
-
-
20
单位
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
-
-
兆赫
pF
IC = 100μA ,我
E
= 0
IC = -0.1mA ,我
B
= 0
测试条件
I
E
= -100μA ,我
C
= 0
V
CB
= -40 V,I
E
= 0
V
CE
= -20V ,我
B
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
I
C
= -800毫安,我
B
= -80mA
I
C
= -800毫安,我
B
= -80mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -800mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -50mA , F = 30MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分类h及
FE(1)
范围
记号
L
120 - 200
H
200-350
Y2
J
300-400
01月, 2005年修订版B
第1页2
SS8550
公司Bauelemente
PNP硅
通用晶体管
特性曲线
01月, 2005年修订版B
第2页2
SS8 550
晶体管( PNP )
特点
高集电极电流
补充SS8050
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
-40
-25
-5
-1.5
300
417
150
-55½+150
单位
V
V
V
A
mW
℃/W
1.基地
2.辐射源
3.收集
SOT–23
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
TEST
条件
-40
-25
-5
-100
-100
-100
120
40
-0.5
-1.2
-1
100
20
V
V
V
兆赫
pF
400
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -0.1mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
CE
= -20V ,我
B
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-800mA
I
C
= -800mA ,我
B
=-80mA
I
C
= -800mA ,我
B
=-80mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-10mA
V
CE
=-10V,I
C
= -50mA , F = 30MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分类
h
FE(1)
范围
记号
L
120–200
H
200–350
Y2
J
300–400
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
静态特性
-180
500
h
FE
——
I
C
Ta=100
1mA
-160
(MA )
0.9mA
h
FE
-140
-120
-100
-80
-60
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
集电极电流
直流电流增益
Ta=25
100
I
C
-40
-20
-0
-0.0
0.2mA
I
B
=0.1mA
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
10
-0.1
-1
-10
-100
V
CE
=-1V
-1000
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流
I
C
(MA )
V
BESAT
-1000
-900
——
I
C
-1000
V
CESAT
——
I
C
-800
Ta=25
-700
集电极 - 发射极饱和
电压V
CESAT
(毫伏)
基射极饱和
电压V
BESAT
(毫伏)
-100
Ta=100
Ta=25
-10
-600
-500
Ta=100
-400
-300
β=10
-200
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-1
0.2
-1
-10
-100
β=10
-1000
集电极电流
I
C
(MA )
集电极电流
I
C
(MA )
V
BE
-1000
——
I
C
100
C
ob
/ C
ib
—— V
CB
/ V
EB
f=1MHz
I
E
=0/ I
C
=0
TA = 25℃
o
C
ib
(MA )
(PF )
-100
C
ob
TA = 100℃
-10
COLLCETOR CURRENT
-1
VCE=-1V
-0.1
-200
-300
-400
-500
-600
-700
-800
-900
-1000
1
-0.2
-1
-10
20
电容
Ta=25
C
I
C
o
BASE- EMMITER电压
V
BE
(毫伏)
反向电压
V
(V)
500
fT
—— I
C
Pc
350
——
Ta
(兆赫)
集电极耗散功率
PC(毫瓦)
VCE-10V
o
TA = 25℃
-1
-10
-100
300
跃迁频率
fT
250
100
200
150
100
50
10
0
0
25
50
75
100
125
150
集电极电流
I
C
(MA )
环境温度
Ta
(
)
金隅
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05
TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
TO- 92塑封装晶体管
SS8550
晶体管(
PNP
)
TO-92
特点
功耗
P
C
: 1 W (T
a
=25
)
1.发射器
2.基
3.收集
最大额定值(T
a
=25
除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
结温
储存温度
价值
-40
-25
-5
-1.5
150
-55-150
单位
V
V
V
A
电气特性(T
a
=25
除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
输出电容
跃迁频率
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
Co
b
f
T
TEST
条件
-40
-25
-5
-0.1
-0.1
-0.1
85
40
-0.5
-1.2
-1
20
100
V
V
V
pF
兆赫
400
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
uA
I
C
= -100uA ,我
E
=0
I
C
= -0.1mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
CE
= -20V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-800mA
I
C
= -800mA ,我
B
=-80mA
I
C
= -800mA ,我
B
=-80mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ,我
E
=0mA,f=1MH
Z
V
CE
= -10V ,我
C
=-50mA,f=30MH
Z
分类h及
FE(2)
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
D3
300-400
B,Sep,2011
典型特征
-250
SS8550
h
FE
——
I
C
T
a
=100
静态特性
常见
辐射源
T
a
=25
-1.0mA
-0.9mA
h
FE
-0.8mA
-0.7mA
1000
(MA )
-200
300
I
C
集电极电流
-0.6mA
-0.5mA
直流电流增益
-150
T
a
=25
100
-100
-0.4mA
-0.3mA
-50
-0.2mA
I
B
=-0.1mA
30
-0
-0
-1
-2
-3
10
-1
-3
-10
-30
-100
共发射极
V
CE
=-1V
-300
-1000-1500
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流
I
C
(MA )
-1000
V
CESAT
β=10
——
I
C
-1.2
V
BESAT
β=10
——
I
C
集电极 - EMMITTER饱和
电压V
CESAT
(毫伏)
-100
BASE- EMMITTER饱和
电压V
BESAT
(V)
-300
-1.0
-0.8
T
a
=25
-0.6
-30
T
a
=100
T
a
=25
T
a
=100
-10
-0.4
-3
-1
-1
-3
-10
-30
-100
-300
-1000-1500
-0.2
-1
-3
-10
-30
-100
-300
-1000-1500
集电极电流
I
C
(MA )
集电极电流
I
C
(MA )
-1500
-1000
I
C
共发射极
V
CE
=-1V
——
V
BE
100
C
ob
/ C
ib
——
V
CB
/ V
EB
f=1MHz
I
E
=0/I
C
=0
T
a
=25
(MA )
-300
(PF )
I
C
集电极电流
电容
C
-100
T
a
=25
C
ib
-30
30
T
a
=100
-10
C
ob
-3
-1
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
10
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-20
基射极电压
V
BE
(V)
反向偏置电压
V
(V)
1000
f
T
共发射极
V
CE
= -10V
——
I
C
1.2
P
C
——
T
a
集电极耗散功率
P
C
(W)
-10
-30
-100
(兆赫)
T
a
=25
300
1.0
0.8
跃迁频率
f
T
100
0.6
0.4
30
0.2
10
-2
-6
0.0
0
25
50
75
100
125
150
集电极电流
I
C
(MA )
环境温度
T
a
(
)
B,Sep,2011
BL
银河电子
硅外延平面晶体管
特点
集电极电流(I
C
= 1.5A)
补充SS8550 。
集电极耗散:P
C
= 0.3W (T
C
=25°C)
产品规格
SS8550
Pb
LEAD -FREE
应用
高集电极电流。
SOT-23
订购信息
型号
SS8550
记号
Y2
封装代码
SOT-23
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j,
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温和存储温度
价值
-40
-25
-5
-1.5
0.3
-55~150
单位
V
V
V
A
W
文件编号: BL / SSSTC087
Rev.A的
www.galaxycn.com
1
BL
银河电子
硅外延平面晶体管
电气特性
@ TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
基射极电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
V
BEF
测试条件
I
C
=-100μA,I
E
=0
I
C
=-0.1mA,I
B
=0
B
产品规格
SS8550
除非另有说明
-40
-25
-5
-0.1
-0.1
-0.1
120
40
-0.5
-1.2
100
20
-1.6
V
V
兆赫
pF
V
400
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
μA
I
E
=-100μA,I
C
=0
V
CB
=-40V,I
E
=0
V
CE
=-20V,I
B
=0
B
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-1V,I
C
=-100mA
V
CE
=-1V,I
C
=-800mA
I
C
= -800mA ,我
B
= -80mA
B
I
C
= -800mA ,我
B
= -80mA
B
V
CE
= -10V ,我
C
= -50mA
f=30MHz
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
I
E
=-1.5A
分类
范围
OF
h
FE(1)
L
120-200
H
200-350
J
300-400
文件编号: BL / SSSTC087
Rev.A的
www.galaxycn.com
2
BL
银河电子
硅外延平面晶体管
产品规格
SS8550
典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
文件编号: BL / SSSTC087
Rev.A的
www.galaxycn.com
3
BL
银河电子
硅外延平面晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装
A
E
产品规格
SS8550
SOT-23
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
2.85
1.25
0.37
0.35
1.85
0.02
2.35
最大
2.95
1.35
0.43
0.48
1.95
0.1
2.45
K
B
1.0Typical
D
G
J
E
G
H
H
C
J
K
0.1Typical
尺寸:mm
焊接足迹
单位:mm
设备
SS8550
信息
SOT-23
航运
3000/Tape&Reel
文件编号: BL / SSSTC087
Rev.A的
www.galaxycn.com
4
SS8550
塑料封装晶体管
PNP硅
2
BASE
1
辐射源
集热器
3
TO-92
1.发射器
2.基
3.收集
1
2
3
绝对最大额定值(TA = 25℃ )
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
器件总耗散T
A
=25 C
结温
储存温度
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
Tj
TSTG
SS8550
-25
-40
-5.0
-1.5
1.0
150
-55到+150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
C
C
器件标识
SS8550=SS8550D
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压
(1)
( IC = -0.1 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压( IC = -100 uAdc , IE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压(IE = -100 uAdc , IC = 0 )
集电极截止电流( VCB = -40伏直流, IE = 0伏)
发射极截止电流( VEB = -5 VDC , I C = 0伏)
1.脉冲测试:脉冲宽度
& LT ;
300我们,占空比
& LT ;
2.0%
符号
V( BR ) CEO
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
ICBO
我EBO
-25
-40
-5.0
-
-
最大
-
-
-
-0.1
-0.1
单位
VDC
VDC
VDC
uAdc
uAdc
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
SS8550
电气特性
( TA = 25℃除非另有说明) ( Countinued )
特征
符号
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = -100 MADC , VCE = -1.0 V直流)
hFE(1)
hFE(2)
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
fT
85
40
-
-
100
-
-
400
-
-0.5
-
-
VDC
直流电流增益
( IC = -800 MADC , VCE = -1.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = -800 MADC , IB = -80 MADC )
基射极饱和电压
( IC = -800 MADC , IB = -80 MADC )
跃迁频率
( VCE = -10V , I C = -50mA , F = 30兆赫)
-
-
-
-1.2
-
VDC
兆赫
HFE分类( 1 )
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
E
300-400
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
SS8550
-0.5
1000
V
CE
= -1V
I
B
=-4.0mA
I
C
[马] ,集电极电流
-0.4
I
B
=-3.5mA
I
B
=-3.0mA
h
FE
,直流电流增益
100
-0.3
I
B
=-2.5mA
I
B
=-2.0mA
-0.2
I
B
=-1.5mA
I
B
=-1.0mA
10
-0.1
I
B
=-0.5mA
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
1
-0.1
-1
-10
-100
-1000
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
I
C
[马] ,集电极电流
图1静态特性
图2直流电流增益
-100
-10000
V
BE
(SAT) ,V
CE
(饱和) [ V]时,饱和电压
V
CE
= -1V
I
C
=10I
B
I
C
[马] ,集电极电流
-10
-1000
V
BE ( SAT )
-1
-100
V
CE ( SAT )
-10
-0.1
-0.1
-0.0
-1
-10
-100
-1000
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
I
C
[马] ,集电极电流
V
BE
[ V]时,基极发射极电压
图3基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
图4基射极电压上
100
f
T
[兆赫] ,电流增益带宽积
1000
f=1MHz
I
E
=0
V
CE
=-10V
C
ob
[ pF的] ,电容
10
100
1
-1
-10
-100
-1000
10
-1
-10
-100
-1000
V
CB
[V] ,集电极 - 基极电压
I
C
[马] ,集电极电流
图5集电极输出电容
图6电流增益带宽积
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TO- 92外形尺寸
E
TO-92
H
C
J
K
G
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
最大
3.70
3.30
1.40
1.10
0.55
0.38
0.51
0.36
4.70
4.40
-
3.43
4.70
4.30
1.270TYP
2.44
2.64
14.10
14.50
B
L
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D
A
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