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BL
银河电子
硅外延平面晶体管
特点
集电极电流（I
C
= 1.5A）
补充SS8550W 。
产品规格
SS8050W
Pb
LEAD -FREE
集电极耗散：P
C
=200mW(T
C
=25℃)
应用
高集电极电流。
SOT-323
订购信息
型号
SS8050W
记号
Y1
封装代码
SOT-323
最大额定值
除非另有规定@ TA = 25 ℃
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j,
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温和存储温度
评级
40
25
6
1.5
200
-55~150
单位
V
V
V
A
mW
℃
文件编号： BL / SSSTF061
Rev.A的
www.galaxycn.com
1
BL
银河电子
硅外延平面晶体管
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE
f
T
测试条件
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=2mA,I
B
=0
I
E
=-100μA,I
C
=0
V
CB
=40V,I
E
=0
V
CE
=20V,I
B
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=1V,I
C
=100mA
V
CE
=1V,I
C
=800mA
I
C
= 800毫安，我
B
= 80毫安
I
C
= 800毫安，我
B
= 80毫安
V
CE
= 1V我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
= 50毫安
f=30MHz
产品规格
SS8050W
民
40
25
5
0.1
0.1
0.1
120
40
0.5
1.2
1
100
V
V
V
兆赫
400
电气特性
除非另有规定@ TA = 25 ℃
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
μA
分类
秩
范围
OF
h
FE(1)
L
120-200
H
200-350
J
300-400
文件编号： BL / SSSTF061
Rev.A的
www.galaxycn.com
2
BL
银河电子
硅外延平面晶体管
产品规格
SS8050W
典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
文件编号： BL / SSSTF061
Rev.A的
www.galaxycn.com
3
BL
银河电子
硅外延平面晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装
产品规格
SS8050W
SOT-323
SOT-323
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
民
1.8
1.15
0.15
0.25
1.2
0.02
2.1
最大
2.2
1.35
0.35
0.40
1.4
0.1
2.3
1.0Typical
0.1Typical
尺寸：mm
包装信息
设备
SS8050W
包
SOT-323
航运
3000/Tape&Reel
文件编号： BL / SSSTF061
Rev.A的
www.galaxycn.com
4
公司Bauelemente
符合RoHS产品
NPN硅
通用晶体管
SS8050W
特点
3
集热器
SOT-323
暗淡
A
B
C
D
民
1.800
1.150
0.800
0.300
1.200
0.000
0.100
0.350
0.590
2.000
0.280
最大
2.200
1.350
1.000
0.400
1.400
0.100
0.250
0.500
0.720
2.400
0.420
3
1
功耗
P
CM
: 0.2 W
集电极电流
I
CM
: 1.5 A
集电极 - 基极电压
1
2
BASE
A
L
3
2
辐射源
G
H
J
V
（ BR ） CBO
: 40 V
操作&存储结温
T
j
, T
英镑
: - 55 C ~ + 150 C
O
O
顶视图
1
2
B·S
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
单位：mm外形尺寸
电气特性（夯实。 = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE(1)
直流电流增益
H
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
V
CE
= 1V ，我
C
=500mA
I
C
= 500毫安，我
B
= 50米一
I
C
= 500毫安，我
B
= 50米一
V
CE
=6V,
跃迁频率
我= 20mA下
C
100
兆赫
40
0.5
1.2
V
V
TEST
条件
I
E
=0
民
40
25
5
0.1
0.1
0.1
120
350
典型值
最大
单位
V
V
V
O
IC = 100
μ
A，
IC = 0.1毫安，我
B
=0
I
E
=100
μ
A，I
C
=0
V
CB
= 40 V，I
E
=0
V
CE
= 20V ，我
B
=0
V
EB
= 5V ,
I
C
=0
μ
A
μ
A
μ
A
V
CE
= 1V ，我
C
= 50米一
f
T
f=
30MHz
分类h及
FE(1)
秩
范围
标记： Y1
http://www.SeCoSGmbH.com
L
120-200
H
200-350
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页2
SS8050W
公司Bauelemente
NPN硅
通用晶体管
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第2页2
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SKIIP962GB060350W-FT
STM32F372VB
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SS8050W
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