TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
TO-92
SS8050
晶体管（
NPN
)
1.发射器
塑料封装晶体管
TO-92
特点
功耗
P
CM
： 1 W （T
A
=25.)
： 2 W （T
C
=25.)
2.基
3.收集
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
结温
储存温度
价值
40
25
5
1.5
150
-55-150
单位
V
V
V
A
℃
℃
电气特性（T
a
=25
℃
除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE
f
T
TEST
条件
I
C
= 100uA的，我
E
=0
I
C
= 0.1毫安，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 40V ，我
E
=0
V
CE
= 20V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
V
CE
= 1V ，我
C
=800mA
I
C
= 800毫安，我
B
=80mA
I
C
= 800毫安，我
B
=80mA
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA,f=30MH
Z
100
85
40
0.5
1.2
1
V
V
V
兆赫
民
40
25
5
0.1
0.1
0.1
400
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
μA
分类h及
FE(1)
秩
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
D3
300-400
A,Apr,2011
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
SS8050
晶体管（ NPN ）
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联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
-
) .'
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
2.关键部件是在生命支持任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
设备或系统，其未能履行可
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
如果使用得当按照使用说明
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2004仙童半导体公司
修订版I11
SS8050
NPN通用晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
TO-92
1.发射器
2.基
3.收集
1
2
3
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
器件总耗散T
A
=25°C
结贮藏，温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
,T
英镑
价值
40
25
5
1.5
1.0
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100μA ，我
E
=0
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 0.1毫安，我
B
=0
发射极基极击穿电压
I
E
= 100μA ，我
C
=0
集电极截止-O FF电流
V
CB
= 40V ，我
E
=0
发射器切割-O FF电流
V
CE
= 20V ，我
E
=0
发射器切割-O FF电流
V
EB
= 5V ，我
C
=0
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
ICBO
ICEO
IEBO
民
40
25
5
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.1
0.1
0.1
单位
V
V
V
A
A
A
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/4
19-Jul-05
SS8050
基本特征
直流电流增益
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
V
CE
= 1V ，我
C
= 800毫安
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 800毫安，我
B
=80mA
基射极饱和电压
I
C
= 800毫安，我
B
=80mA
基射极电压上
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA)
的hFE
(1)
的hFE
(2)
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
85
40
-
-
-
-
-
-
-
400
-
0.5
1.2
1
-
V
V
V
动态特性
跃迁频率
V
CE
= 10 V，I
C
= 50 mA时， F = 30MHz的
fT
100
-
-
兆赫
分类h及
FE(2)
秩
范围
B
85-160
C
120-200
D
160-300
E
300-400
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/4
19-Jul-05
SS8050
0.5
I
C
，CO LLECTOR电流（mA）
1000
I
B=
3.0mA
h
FE
，直流电流增益
V
CE
= 1V
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
B=
2.5mA
I
B=
2.0mA
I
B=
1.5mA
I
B=
1.0mA
I
B=
0.5mA
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
100
10
1
0.1
1
10
100
1000
图1静态特性
V
CE
，C OLLECTOR - 发射极电压
（伏）
I
C
，集电极电流
（MA ）
图2直流电流增益
V
BE
（S AT） ，V
CE
（S AT） ，饱和电压（毫安）
100
I
C
，集电极电流（毫安）
10000
V
CE
= 1V
I
C
=10 I
B
V
BE
（SAT）
10
1000
1
100
V
CE
（SAT）
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
1
10
100
1000
V
BE
， BASE-发射极电压
（伏）
I
C
，科尔
埃克特CURRENT
（MA ）
在图3的电压基射极
图4基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
f
T
,
电流增益带宽积
（兆赫）
1000
1000
V
CE
= 10V
COB，电容（pF ）
100
100
F = 1.0 MHz的
I
E
=0
10
10
1
1
10
100
400
1
10
V
CE
，集电极 - 基极电压（ V）
100
I
C
， COLLECTORN CURRENT
图5电流增益带宽积
图6集电极输出电容
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
3/4
19-Jul-05
SS8050
TO- 92外形尺寸
E
单位：mm
TO-92
C
J
K
G
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
H
民
最大
3.70
3.30
1.40
1.10
0.55
0.38
0.51
0.36
4.70
4.40
-
3.43
4.70
4.30
1.270TYP
2.44
2.64
14.10
14.50
B
L
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
D
A
4/4
19-Jul-05
QQ：2880707522 复制
