SENSITRON
___
半导体
技术参数
数据表2038 ， REV 。 B
SS5819-1
SS5819UR-1
HERMETIC轴向引线/ MELF
肖特基二极管
描述： 45伏， 1.0 AMP ，轴向引线/表面贴装肖特基二极管。
最大额定值
等级
峰值反向电压
（ PIV ）
平均直流输出
电流（I
o
)
峰值单周期浪涌
电流（I
FSM
)
←
↑
t
p
= 8.3 ms单半
周期的正弦波，
叠加在额定
负载
交界处领导
d = 0.375”
结到封端
-
-
-
条件
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
45
1.0
25
单位
VDC
安培
安培（ PK）
热阻（
θJL
)
热阻（ θ
JEC
)
结温（T
J
)
工作温度
(T
OP ）
储存温度。 （T
英镑
)
-
-
-65
-65
-65
-
-
-
-
-
70
40
+125
+125
+150
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
电气特性
特征
最大正向
电压（V
f
)
最大瞬时
反向电流在额定
（ PIV ）
结电容（C
J
)
条件
I
F
= 1.0A (300
微秒
脉冲，占空比< 2％）
T
A
= 25° C
T
A
= 100° C
V
R
= 5 VDC
0.01
≤
f
≤
1MHz
V
SIG
= 15 mV的P-P
民
-
-
典型值
-
-
最大
0.49
50
5.0
单位
伏
μAMPS
毫安
-
-
70
pF
注意事项：
- 所有的评级是在TA = 25 ℃，除非另有规定。
- 最大存储温度范围： -55 ° C至+ 150°C 。
- 最大工作温度范围： -55 ° C至+ 125°C （ 1N5819-1 ， 1N5819UR - 1 ） 。
←
线性降额在4.5 V / ° C以上TL或TEC = + 100 ° C（ 1N5819-1 ） ，其中， TEC为L = .375英寸。
↑
线性降额14毫安/ ° C以上TL或TEC = + 55 ° C（ 1N5819-1 ） ，其中， TEC为L = .375英寸。
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SS5819-1
SS5819UR-1
SENSITRON
技术参数
数据表2038 ， REV 。 B
轴向
MELF
肖特基势垒
1N5819-1
包装尺寸 - 英寸（毫米）
风格
G
L
φB
φD
.028/.034 .08/.107
.160/.205 1.00/1.30
DO-41
0.71/0.86 .203/.272 .406/.521 2.54/3.302
肖特基势垒
1N5819UR-1
包装尺寸 - 英寸（毫米）
风格
A
B
C
D
.189/.205
.016/.022
0.001敏
.094/.105
DO-213AB
.480/.521
0.41/0.56
0.03分钟
2.39/2.67
典型的正向特性
10
2
（MA ）
典型的反向特性
150 °C
10
1
瞬时反向电流 - I
10
0
R
125 °C
10
0
100 °C
75 °C
(A)
125 °C
F
瞬时正向电流 - I
10
-1
50 °C
10
-2
10
-1
25 °C
10
-3
100 °C
0
10
20
30
40
反向电压 - V
R
(V)
50
60
典型结电容
10
-2
结电容 - C
T
（PF ）
0.6
25 °C
50
40
30
20
10
0
10
20
30
40
50
反向电压 - V
R
(V)
60
10
-3
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
正向电压下降 - V
F
0.5
(V)
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SS5819UR-1
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数据表2038 ， REV 。 B
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586 7600传真：（ 631 ） 242 9798
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技术参数
DATA SHEET 2038年， REV 。 -
SS5819-1
SS5819UR-1
HERMETIC轴向引线/ MELF
肖特基二极管
描述： 45伏， 1.0 AMP ，轴向引线/表面贴装肖特基二极管。
最大额定值
等级
峰值反向电压
（ PIV ）
平均直流输出
电流（I
o
)
峰值单周期浪涌
电流（I
FSM
)
←
↑
t
p
= 8.3 ms单
半周期正弦
波，
叠加
额定负荷
交界处领导
d = 0.375”
结到封端
-
条件
所有评级ARE AT＆T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
45
1.0
25
单位
VDC
安培
安培（ PK）
热阻（
θJL
)
热阻（ θ
JEC
)
工作和存储
温度。 （T
op
＆放大器;牛逼
英镑
)
-
-
-55
-
-
-
70
40
+150
° C / W
° C / W
°C
电气特性
特征
最大正向
电压（V
f
)
最大瞬时
反向电流在额定
（ PIV ）
结电容（C
J
)
条件
I
F
= 1.0A (300
微秒
脉冲占空比<
2%)
T
A
= 25° C
T
A
= 100° C
V
R
= 5 VDC
0.01
≤
f
≤
1MHz
V
SIG
= 15 mV的P-P
民
-
典型值
-
最大
0.49
单位
伏
-
-
0.05
4.0
μAMPS
毫安
-
-
70
pF
注意事项：
- 所有的评级是在TA = 25 ℃，除非另有规定。
- 最大存储温度范围： -55 ° C至+ 150°C 。
- 最大工作温度范围： -55 ° C至+ 125°C （ 1N5819-1 ， 1N5819UR - 1 ） 。
←
线性降额在4.5 V / ° C以上TL或TEC = + 100 ° C（ 1N5819-1 ） ，其中， TEC为L = .375英寸。
↑
线性降额14毫安/ ° C以上TL或TEC = + 55 ° C（ 1N5819-1 ） ，其中， TEC为L = .375英寸。
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轴向
MELF
肖特基势垒
1N5819-1
包装尺寸 - 英寸（毫米）
风格
G
L
φB
φD
.028/.034 .08/.107
.160/.205 1.00/1.30
DO-41
0.71/0.86 2.03/2.72 4.06/5.21 25.4/33.02
肖特基势垒
1N5819UR-1
包装尺寸 - 英寸（毫米）
风格
A
B
C
D
.189/.205
.016/.022
0.001敏
.094/.105
DO-213AB
4.80/5.21
0.41/0.56
0.03分钟
2.39/2.67
典型的正向特性
10
2
（MA ）
典型的反向特性
150 °C
10
1
10
瞬时反向电流 - I
0
R
125 °C
10
0
100 °C
75 °C
(A)
125 °C
F
瞬时正向电流 - I
10
-1
50 °C
10
-2
10
-1
25 °C
10
-3
100 °C
0
10
20
30
40
反向电压 - V
R
(V)
50
60
典型结电容
10
-2
结电容 - C
T
（PF ）
0.6
25 °C
50
40
30
20
10
0
10
20
30
40
50
反向电压 - V
R
(V)
60
10
-3
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
正向电压下降 - V
0.5
F
(V)
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的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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