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本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
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SS52 THRU SS5200
表面贴装肖特基整流器
反向电压 - 20至200伏特
正向电流 - 5.0安培
DO-214AA/SMB
特点
塑料包装进行保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
对于表面安装应用程序
低反向漏
内置应变救灾,非常适于自动贴片
高正向浪涌电流能力
高温焊接保证:
250℃ / 10秒码头
0.087 (2.20)
0.071 (1.80)
0.155(3.94)
0.130(3.30)
0.180(4.57)
0.160(4.06)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.096(2.44)
0.084(2.13)
机械数据
案例:
JEDEC DO- 214AA模压塑体
终端:
焊接镀,每MIL -STD -750焊接的,
方法2026
极性:
颜色频带端为负极
安装位置:
任何
重量
:0.003盎司, 0.093克
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.008(0.203)MAX.
0.220(5.59)
0.205(5.21)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹,电阻或电感性负载,容性负载电流降额20% 。
MDD产品目录号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
(参见图1)
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
在5.0A最大正向电压
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作结温范围
存储温度范围
符号
SS52 SS53
SS54 SS55
SS56
SS58 SS510 SS5150 SS5200
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
5.0
80
56
80
100
70
100
150
105
150
200伏
150伏
200伏
安培
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
英镑
0.55
20
0.70
0.5
150.0
0.85
10
200
50.0
-50至+125
-50至+150
-50至+150
0.95
0.2
2.0
安培
mA
pF
C / W
C
C
注意:
1.Measured在1MHz和应用4.0V DC反向电压
2.P.C.B.安装有0.2x0.2
”(5.0x5.0mm)
铜焊盘区
MDD电子
额定值和特性曲线SS52 THRU SS5200
正向平均整流电流,
安培
峰值正向浪涌电流,
安培
图。 1正向电流降额曲线
5.0
图。 2 ,最大非重复峰值正向
浪涌电流
150
4.0
单相
半波60Hz的
电阻或
感性负载
120
3.0
90
2.0
60
1.0
SS52-SS56
SS58-SS5200
30
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
10
100
环境温度,C
循环次数在60赫兹
50
T
J
=25 C
瞬时反向电流,
毫安
图。 3 ,典型正向
特征
图。 4 ,典型的反向特性
100
正向
当前,安培
10.0
10
TJ = 100℃
1
1
TJ = 75℃
0.1
0.1
SS52-SS54
SS55-SS56
SS58-SS5150
SS5200
0.01
TJ = 25℃
0.001
0
20
40
60
80
100
0.01
百分之峰值反向电压, %
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
图。 5 ,典型结电容
瞬态热阻抗,
C / W
正向VOLEAGE ,
图。 6 ,典型的瞬态热阻抗
100
结电容, pF的
2000
1000
T
J
=25 C
10
100
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
10
0.1
1.0
10
100
反向电压,伏
T,脉冲持续时间,秒。
MDD电子
SS52 THRU SS5200
表面贴装肖特基整流器
反向电压 - 20至200伏特
正向电流 - 5.0安培
DO-214AB/SMC
特点
塑料包装进行保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
对于表面安装应用程序
低反向漏
内置应变救灾,非常适于自动贴片
高正向浪涌电流能力
高温焊接保证:
250℃ / 10秒码头
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.245(6.22)
0.220(5.59)
0.280(7.11)
0.260(6.60)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.103(2.62)
0.079(2.06)
机械数据
0.008(0.203)MAX.
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.320(8.13)
0.305(7.75)
案例:
JEDEC DO- 214AB模压塑体
终端:
焊接镀,每MIL -STD -750焊接的,
方法2026
极性:
颜色频带端为负极
安装位置:
任何
重量: 0.007
盎司, 0.25克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹,电阻或电感性负载,容性负载电流降额20% 。
MDD产品目录号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
(参见图1)
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
在5.0A最大正向电压
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作结温范围
存储温度范围
符号
SS52 SS53
SS54 SS55
SS56
SS58 SS510 SS5150 SS5200
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
5.0
80
56
80
100
70
100
150
105
150
200伏
150伏
200伏
安培
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
英镑
0.55
20
0.70
0.5
150.0
0.85
10
200
50.0
-50至+125
-50至+150
-50至+150
0.95
0.2
2.0
安培
mA
pF
C / W
C
C
注意:
1.Measured在1MHz和应用4.0V DC反向电压
2.P.C.B.安装有0.2x0.2
”(5.0x5.0mm)
铜焊盘区
MDD电子
额定值和特性曲线SS52 THRU SS5200
正向平均整流电流,
安培
峰值正向浪涌电流,
安培
图。 1正向电流降额曲线
5.0
图。 2 ,最大非重复峰值正向
浪涌电流
150
4.0
单相
半波60Hz的
电阻或
感性负载
120
3.0
90
2.0
60
1.0
SS52-SS56
SS58-SS5200
30
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
10
100
环境温度,C
循环次数在60赫兹
50
T
J
=25 C
瞬时反向电流,
毫安
图。 3 ,典型正向
特征
图。 4 ,典型的反向特性
100
正向
当前,安培
10.0
10
TJ = 100℃
1
1
TJ = 75℃
0.1
0.1
SS52-SS54
SS55-SS56
SS58-SS5150
SS5200
0.01
TJ = 25℃
0.001
0
20
40
60
80
100
0.01
百分之峰值反向电压, %
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
图。 5 ,典型结电容
瞬态热阻抗,
C / W
正向VOLEAGE ,
图。 6 ,典型的瞬态热阻抗
100
结电容, pF的
2000
1000
T
J
=25 C
10
100
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
10
0.1
1.0
10
100
反向电压,伏
T,脉冲持续时间,秒。
MDD电子
SS52 THRU SS5200
表面贴装肖特基整流器
反向电压 - 20至200伏特
正向电流 - 5.0安培
DO-214AC/SMA
特点
塑料包装进行保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
对于表面安装应用程序
低反向漏
内置应变救灾,非常适于自动贴片
高正向浪涌电流能力
高温焊接保证:
250℃ / 10秒码头
0.067 (1.70)
0.051 (1.30)
0.110(2.80)
0.100(2.54)
0.177(4.50)
0.157(3.99)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.096(2.42)
0.078(1.98)
机械数据
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.008(0.203)MAX.
0.208(5.28)
0.188(4.80)
尺寸以英寸(毫米)
案例:
JEDEC DO- 214AC模压塑体
终端:
导致每MIL -STD- 750 ,
方法2026
极性:
颜色频带端为负极
安装位置:
任何
重量: 0.002
盎司, 0.07克
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹,电阻或电感性负载,容性负载电流降额20% 。
MDD产品目录号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
(参见图1)
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
在5.0A最大正向电压
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作结温范围
存储温度范围
符号
SS52 SS53
SS54 SS55
SS56
SS58 SS510 SS5150 SS5200
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
5.0
80
56
80
100
70
100
150
105
150
200伏
150伏
200伏
安培
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
,
T
英镑
0.55
20
0.70
0.5
125.0
0.85
10
200
50.0
-50至+125
-50至+150
-50至+150
0.95
0.2
2.0
安培
mA
pF
C / W
C
C
注意:
1.Measured在1MHz和应用4.0V DC反向电压
2.P.C.B.安装有0.2x0.2
”(5.0x5.0mm)
铜焊盘区
MDD电子
额定值和特性曲线SS52 THRU SS5200
正向平均整流电流,
安培
峰值正向浪涌电流,
安培
图。 1正向电流降额曲线
5.0
图。 2 ,最大非重复峰值正向
浪涌电流
150
4.0
单相
半波60Hz的
电阻或
感性负载
120
3.0
90
2.0
60
1.0
SS52-SS56
SS58-SS5200
30
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
10
100
环境温度,C
循环次数在60赫兹
50
T
J
=25 C
瞬时反向电流,
毫安
图。 3 ,典型正向
特征
图。 4 ,典型的反向特性
100
正向
当前,安培
10.0
10
TJ = 100℃
1
1
TJ = 75℃
0.1
0.1
SS52-SS54
SS55-SS56
SS58-SS5150
SS5200
0.01
TJ = 25℃
0.001
0
20
40
60
80
100
0.01
百分之峰值反向电压, %
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
图。 5 ,典型结电容
瞬态热阻抗,
C / W
正向VOLEAGE ,
图。 6 ,典型的瞬态热阻抗
100
结电容, pF的
2000
1000
T
J
=25 C
10
100
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
10
0.1
1.0
10
100
反向电压,伏
T,脉冲持续时间,秒。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SS5150
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:960030175 复制

电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
SS5150
JXND/嘉兴南电
24+
898000
SMC
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
SS5150
MDD
24+
32000
SMB(DO-214AA)
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SS5150
MDD
22+
32570
SMB(DO-214AA)
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
SS5150
MDD
22+
32570
SMB(DO-214AA)
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2290748171 复制
电话:83682693
联系人:关先生
地址:深圳市福田区赛格广场57楼5704
SS5150
SUNMATE
2018
66778
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