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SS3H9和SS3H10
新产品
威世半导体
原通用半导体
高压表面贴装
肖特基势垒整流器器
阴极带
反向电压
90 100V
正向电流
3.0A
DO-214AB
（ SMC）的
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.245 (6.22)
0.220 (5.59)
贴装焊盘布局
0.185 MAX 。
（ 4.69 MAX 。 ）
0.126 MIN 。
（ 3.20 MIN 。 ）
尺寸以英寸
（毫米）
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060最小。
（ 1.52分钟）
0.320 REF
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
0.008
(0.203)
马克斯。
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
薄型表面贴装封装
内置应变救灾
低功耗，高效率
适用于低电压高频率逆变器的使用，免费
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
250℃ / 10秒的终端
A
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214AB模压塑体
终端：
焊接镀，每焊
MIL - STD750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
重量：
0.007盎司， 0.25克
最大额定值和热特性
(T
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流：T已
L
= 115°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向重复峰值浪涌电流在t
p
=在2.0μs ， 1KH
Z
关键的增长速度反向电压
典型热阻 - 结到导联T
L
= 25°C
- 结到环境
(2)
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
R
θJL
R
θJA
T
J
, T
英镑
符号
= 25 ° C除非另有说明）
SS3H9
MS9
90
90
90
3.0
100
1.0
10,000
9.7
32
SS3H10
MS10
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
° C / W
°C
-65到+175
电气特性
最大瞬时
在正向电压：
(1)
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
I
F
= 3.0A ，T
J
= 25°C
I
F
= 3.0A ，T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
F
I
R
0.8
0.65
20
4
V
A
mA
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）印刷电路板安装
文档编号88752
18-Aug-04
www.vishay.com
1
SS3H9和SS3H10
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
100
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
4.0
3.5
平均正向电流（ A）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
80
60
40
20
10
25
50
75
100
125
150
175
200
1
10
100
铅温度（ ℃）
循环次数在60赫兹
图。 3 - 典型正向
特征
100
1000
图。 4 - 典型的反向
特征
瞬时反向电流（ μA ）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
20
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
正向电流（A ）
10
T
J
= 175°C
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
1
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
0.1
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
40
60
80
100
正向电压（ V）
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
图。 5 - 典型结电容
1000
100
图。 6 - 典型的瞬态热
阻抗
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
反向电压（ V）
www.vishay.com
2
吨 - 脉冲持续时间（秒）
文档编号88752
18-Aug-04
SS3H9和SS3H10
新产品
威世半导体
原通用半导体
高压表面贴装
肖特基势垒整流器器
阴极带
反向电压
90 100V
正向电流
3.0A
DO-214AB
（ SMC）的
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.245 (6.22)
0.220 (5.59)
贴装焊盘布局
0.185 MAX 。
（ 4.69 MAX 。 ）
0.126 MIN 。
（ 3.20 MIN 。 ）
尺寸以英寸
（毫米）
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060最小。
（ 1.52分钟）
0.320 REF
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
0.008
(0.203)
马克斯。
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
薄型表面贴装封装
内置应变救灾
低功耗，高效率
适用于低电压高频率逆变器的使用，免费
续流和极性保护应用
Guardring过电压保护
高温焊接保证：
250℃ / 10秒的终端
A
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214AB模压塑体
终端：
焊接镀，每焊
MIL - STD750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
重量：
0.007盎司， 0.25克
最大额定值和热特性
(T
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流：T已
L
= 115°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
反向重复峰值浪涌电流在t
p
=在2.0μs ， 1KH
Z
关键的增长速度反向电压
典型热阻 - 结到导联T
L
= 25°C
- 结到环境
(2)
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
R
θJL
R
θJA
T
J
, T
英镑
符号
= 25 ° C除非另有说明）
SS3H9
MS9
90
90
90
3.0
100
1.0
10,000
9.7
32
SS3H10
MS10
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
° C / W
°C
-65到+175
电气特性
最大瞬时
在正向电压：
(1)
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
I
F
= 3.0A ，T
J
= 25°C
I
F
= 3.0A ，T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
F
I
R
0.8
0.65
20
4
V
A
mA
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）印刷电路板安装
文档编号88752
18-Aug-04
www.vishay.com
1
SS3H9和SS3H10
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 正向电流
降额曲线
100
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
4.0
3.5
平均正向电流（ A）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
80
60
40
20
10
25
50
75
100
125
150
175
200
1
10
100
铅温度（ ℃）
循环次数在60赫兹
图。 3 - 典型正向
特征
100
1000
图。 4 - 典型的反向
特征
瞬时反向电流（ μA ）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
20
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
= 100°C
正向电流（A ）
10
T
J
= 175°C
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
1
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
0.1
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
40
60
80
100
正向电压（ V）
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
图。 5 - 典型结电容
1000
100
图。 6 - 典型的瞬态热
阻抗
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
结电容（pF ）
10
100
1
10
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
反向电压（ V）
www.vishay.com
2
吨 - 脉冲持续时间（秒）
文档编号88752
18-Aug-04
新产品
SS3H9 & SS3H10
威世通用半导体
高压表面贴装肖特基整流器
高阻隔技术改进高温性能
特点
薄型封装
适合自动放置
Guardring过电压保护
低功率损耗，效率高
低正向压降
低漏电流
高浪涌能力
DO- 214AB （ SMC）的
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
浸焊260℃ 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，
续流，直流 - 直流转换器，和极性
保护应用。
机械数据
案例：
DO- 214AB （ SMC）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
色环表示阴极结束
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
I
R
T
J
马克斯。
3.0 A
90 V, 100 V
100 A
0.65 V
20 A
175 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流：T已
L
= 115 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
反向重复峰值浪涌电流在t
p
= 2.0微秒， 1千赫
关键的增长速度反向电压
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
符号
SS3H9
MS9
90
90
90
3.0
100
1.0
10 000
- 65 + 175
SS3H10
MS10
100
100
100
V
V
V
A
A
A
V / μs的
°C
单位
文档编号： 88752
修订： 19 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
SS3H9 & SS3H10
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
(1)
额定V最大反向电流
R (2)
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
测试条件
I
F
= 3.0 A
I
F
= 3.0 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
V
F
I
R
SS3H9
0.8
0.65
20
4
SS3H10
单位
V
A
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻，交界处领导在T
L
= 25 °C
典型热阻，结到环境
(1)
注意：
安装在P.C.B. （ 1）单位用0.55× 0.55" （ 14 ×14 MM）铜焊盘区
符号
R
θJL
R
θJA
SS3H9
20
50
SS3H10
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
SS3H9-E3/57T
SS3H9-E3/9AT
SS3H9HE3/57T
(1)
SS3H9HE3/9AT
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
单位重量（g ）
0.235
0.235
0.235
0.235
首选包装代码
57T
9AT
57T
9AT
基地数量
850
3500
850
3500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
4.0
125
平均正向电流（ A）
平均正向电流（ A）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25
50
75
100
125
150
175
100
75
50
25
0
1
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
www.vishay.com
2
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PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 88752
修订： 19 08年5月
新产品
SS3H9 & SS3H10
威世通用半导体
100
1000
T
J
= 175 °C
正向电流（A ）
10
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 125 °C
0.1
T
J
= 25 °C
结电容（pF ）
1.2
1.4
100
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
10 000
100
T
J
= 175 °C
瞬时反向电流（ μA ）
1000
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
100
10
瞬时阻抗（ ℃/ W）
10
1
T
J
= 25 °C
0.1
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的反向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AB （ SMC）的
阴极带
0.185 (4.69)
马克斯。
贴装焊盘布局
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.246 (6.22)
0.220 (5.59)
0.126 (3.20)
分钟。
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060 (1.52)
分钟。
0.320 REF 。
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
文档编号： 88752
修订： 19 08年5月
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放弃
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没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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