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CREAT的艺术
SS32 - SS320
3.0AMPS表面贴装肖特基整流器
SMC/DO-214AB
Pb
RoHS指令
合规
特点
UL认证文件＃ E- 326243
对于表面安装应用程序
方便取放
金属酸化镍整流器，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低VF
高浪涌电流能力
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
外延建设
高温焊接：
260 ℃ / 10秒码头
对包装后缀"G"绿色复合
代码&的日期代码前缀"G"
机械数据
案例： JEDEC DO- 214AB模压塑料
终端：纯锡电镀，无铅
极性：由阴极频带指示
包装：每EIA STD RS - 481 16毫米带
重量： 0.21克
尺寸以英寸（毫米）
标记图
SS3X
G
Y
M
=具体设备守则
=绿色复合
=年
=工作月
最大额定值和电气特性
等级25
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
类型编号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单一正弦半
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压（注1 ）
@ 3.0A
T
A
=25℃
T
A
=100℃
最大反向电流@额定VR
T
A
=25℃
T
A
=100℃
T
A
=125℃
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
SS
32
20
14
20
SS
33
30
21
30
SS
34
40
28
40
SS
35
50
35
50
SS
36
60
42
60
3.0
SS
39
90
63
90
SS
310
100
70
100
SS
315
150
105
150
SS
320
200
140
200
单位
V
V
V
A
100
70
A
V
F
0.5
0.4
0.5
10
0.75
0.65
5
0.85
0.70
0.1
-
0.5
17
55
0.95
0.80
V
I
R
R
θJL
R
θJA
T
J
T
英镑
mA
-
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
注1 ： PLUSE测试与PW = 300微秒， 1 ％占空比
O
C / W
O
O
- 55至+ 125
- 55至+ 150
- 55至+ 150
C
C
版本： E11
额定值和特性曲线（ SS32 THRU SS320 ）
图1正向电流降额曲线
3.5
平均正向
A
电流（A ）
SS35-SS320
100
图。 2最大非重复正向浪涌
当前
峰值正向浪涌
A
电流（A ）
额定TL
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
50
60
70
80
90
100
110
120
焊接温度（
o
C)
130
140
150
电阻或
INDUCTIVELOAD
SS32-SS34
80
60
SS32-SS34
40
20
0
1
10
循环次数在60赫兹
100
SS35-SS320
图。 3典型正向CHARACTERISRICS
100
SS35-SS36
瞬时反向
A
电流（mA ）
正向
A
电流（A ）
10
100
图。 4典型的反向特性
TA=125℃
10
SS32-SS34
1
SS315-SS320
1
TA=75℃
0.1
SS39-SS310
TA=25℃
0.01
0.1
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
正向电压（ V）
1.2
1.4
1.6
SS32-SS34
SS35-SS320
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
0.01
图。 5典型结电容
瞬态热阻抗
A
(
℃
/W)
图。 6典型的瞬态热阻抗
100
1000
SS32-SS34
电容（pF）
SS35-SS36
10
100
SS39-SS320
1
TA=25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
10
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
0.1
0.01
0.1
1
T-脉冲持续时间（S ）
10
100
版本： E11
SS32 SS36通
威世通用半导体
表面贴装肖特基整流器
特点
薄型封装
适合自动放置
Guardring过电压保护
低功率损耗，效率高
低正向压降
高浪涌能力
DO- 214AB （ SMC）的
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，
续流，直流 - 直流转换器，和极性
保护应用。
机械数据
案例：
DO- 214AB （ SMC）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
色环表示阴极结束
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
E
AS
V
F
T
J
马克斯。
3.0 A
20 V至60 V
100 A
20兆焦耳
0.5 V, 0.75 V
125 °C, 150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
L
（图1）的
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
非重复性雪崩能量在T
A
= 25 °C,
I
AS
= 2.0 A，L = 10毫亨
变化的电压率（额定V
R
)
工作结温范围
存储温度范围
文档编号： 88751
修订： 23 -JAN- 08
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
dv / dt的
T
J
T
英镑
- 55至+ 125
- 55至+ 150
符号
SS32
S2
20
14
20
SS33
S3
30
21
30
SS34
S4
40
28
40
3.0
100
20
10 000
- 55至+ 150
SS35
S5
50
35
50
SS36
S6
60
42
60
V
V
V
A
A
mJ
V / μs的
°C
°C
www.vishay.com
1
单位
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
SS32 SS36通
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
(1)
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
(1)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
测试条件
3.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
符号
V
F
I
R
SS32
SS33
0.5
0.5
20
10
SS34
SS35
0.75
SS36
单位
V
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
注意：
（1） P.C.B.安装0.55× 0.55" （ 14 ×14 MM）铜焊盘区
符号
R
θJA
R
θJL
SS32
SS33
SS34
55
17
SS35
SS36
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
SS34-E3/57T
SS34-E3/9AT
SS34HE3/57T
(1)
SS34HE3/9AT
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
单位重量（g ）
0.235
0.235
0.235
0.235
首选包装代码
57T
9AT
57T
9AT
基地数量
850
3500
850
3500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
3.5
负载电阻或电感
100
额定牛逼
L
8.3
毫秒单一正弦半波
80
平均正向电流（ A）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
50
70
90
110
130
150
170
P.C.B.安装在
0.55× 0.55" （ 14 ×14 MM）
铜焊盘区
SS32 - SS34
SS35 SS36 &
峰值正向浪涌电流（ A）
60
40
20
0
1
10
100
环境温度（ ℃）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
www.vishay.com
2
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文档编号： 88751
修订： 23 -JAN- 08
SS32 SS36通
威世通用半导体
100
1000
T
J
= 125 °C
正向电流（A ）
10
T
J
= 150 °C
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
1
结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
100
0.1
SS32 - SS34
SS35 SS36 &
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0.1
SS32 - SS34
SS35 SS36 &
1
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
100
10
T
A
= 125 °C
1
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
SS32 - SS34
SS35 SS36 &
100
10
0.1
T
A
= 75 °C
0.01
T
A
= 25 °C
0.001
0
20
40
60
80
100
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的反向电流特性
图6.典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AB （ SMC）的
阴极带
0.185 (4.69)
马克斯。
贴装焊盘布局
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.246 (6.22)
0.220 (5.59)
0.126 (3.20)
分钟。
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060 (1.52)
分钟。
0.320 REF 。
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
文档编号： 88751
修订： 23 -JAN- 08
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3
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
www.vishay.com
1
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
SS32 SS36通
表面贴装肖特基
垒整流器器
电压： 20至60V电流： 3.0A
特点
适用于表面贴装取
应用场所
薄型封装
低功耗，高效率
高电流能力，低V
F
高浪涌能力
高温焊接保证：
260℃ / 10秒/端子
o
技术
规范
SMB/DO-214AA
B
A
C
D
F
G
H
C
D
.083(2.11) .012(0.305)
.077(1.96)
.006(0.152)
G
H
.008(0.203) .060(1.52)
.004(0.102) .030(0.76)
机械数据
终端：每焊镀信息
MIL- STD 202E ，方法208C
案例：模压与UL - 94类别V-0
公认的阻燃环氧树脂
极性：颜色频带为负极
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
A
.155(3.94)
.130(3.30)
E
.220(5.59)
.205(5.21)
B
.180(4.57)
.160(4.06)
F
.096(2.44)
.084(2.13)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
（单相半波，60赫兹，电阻或电感的在25
o
C，除非另有注明外，容性
负载，减免20 ％的电流）
评级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
(T
L
=100
o
C)
峰值正向浪涌电流（ 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负载）
最大正向电压
（额定电流）
反向电流最大DC
T
a
=25
o
C
（额定阻断电压DC ）
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
SS32
20
14
20
SS33
30
21
30
SS34
40
28
40
3.0
SS35
50
35
50
SS36
60
42
60
单位
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
0.5
100
0.7
0.5
20.0
A
V
mA
mA
pF
o
o
T
a
=100 C
300
C
J
典型结电容
（注1 ）
15
R
θ
（ JA ）
典型热阻
（注2 ）
-65到+150
T
英镑
,T
J
存储和工作结温
注意：
1.Measured在1.0 MHz和应用4.0V的电压
dc
结2.Thermal耐终端安装在5 × 5毫米铜焊盘面积
C / W
o
C
SS32 THRU SS310
20V-100V
表面贴装肖特基二极管
3.0A
特点
对于表面安装应用程序
金属与硅整流，多数载流子传导
低正向压降
方便取放
高浪涌电流能力
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
外延建设
高温焊接：
260
o
C / 10秒码头
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
P
D
R
θJA
R
θJC
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
平均整流电流
@ T
A
= 75°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境**
热阻，结到外壳
存储温度范围
工作结温
价值
3.0
单位
A
100
2.27
18
55
17
-55到+150
-55到+150
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
°C
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
设备安装在FR- 4 PCB 0.55× 0.55" （ 14 ×14毫米）。
电气特性
参数
32
反向重复峰值电压
最大RMS电压
DC反向电压（额定V
R
)
最大反向电流T
A
= 25°C
@额定V
R
T
A
= 100°C
最大正向电压@ 3.0阿
20
14
20
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
33
30
21
30
20
500
750
34
40
28
40
35
50
35
50
0.5
10
850
36
60
42
60
38
80
56
80
39
90
63
90
310
100
70
100
单位
V
V
V
mA
mA
mV
电子信箱： sales@taychipst.com
1 2
网站： www.taychipst.com
SS32 THRU SS310
20V-100V
表面贴装肖特基二极管
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
3
150
3.0A
FIG.2-最大非重复峰值正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流。 （ A）
额定TL
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
平均正向电流。 （ A）
电阻或
感性负载
130
SS35-SS310
2
SS32-SS34
110
1
90
70
印刷电路板安装在0.6X0.6"
（ 16X16mm ）铜焊盘区
0
50
60
70
80
90
100
110
o
120
130
140
150
160
50
1
10
循环次数在60Hz
100
焊接温度。 （ C）
FIG.3-典型正向特性
40
FIG.4-典型的反向特性
20
10
瞬时正向电流。 （ A）
TJ=125
0
C
TJ=125
0
C
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
TJ = 150℃
0
瞬时反向电流。 （MA ）
10
1
1
TJ=25
0
C
TJ=75
0
C
0.1
0.1
0.01
TJ=25
0
C
SS32-SS34
SS35-SS36
SS39-SS310
SS32-SS34
SS35-SS310
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压。 （V ）
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容
TRANSCIENT热阻抗，OC / W
1000
TJ = 25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
0
FIG.6-典型瞬态TERMAL IMPDANCE
100
结电容。 （PF ）
10
100
1
SS32-SS34
SS35-SS36
SS39-SS310
10
0.1
1
的反向电压。 （V ）
10
100
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间（秒）
10
100
电子信箱： sales@taychipst.com
2 2
网站： www.taychipst.com
SS32
THRU
SS310
3.0安培。表面贴装肖特基整流器
电压范围
20至100伏特
当前
3.0安培
特点
对于表面安装应用程序
金属与硅整流，多数载流子传导
低正向压降
方便取放
高浪涌电流能力
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
外延建设
高温焊接：
260
o
C / 10秒码头
SMC/DO-214AB
.129(3.27)
.118(3.0)
.245(6.22)
.220(5.59)
.280(7.11)
.260(6.60)
.012(.31)
.006(.15)
机械数据
案例：模压塑料
码头：焊接镀
极性：由阴极频带指示
包装：每EIA STD RS - 481 16毫米带
重量： 0.21克
.103(2.62)
.079(2.00)
.060(1.52)
.030(0.76)
.320(8.13)
.305(7.75)
.008(.20)
.004(.10)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
评分在25℃环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
符号
SS
SS
SS
SS
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
（参见图1）
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单
半正弦波叠加额定
负荷（JEDEC的方法）
最大正向电压
（注1 ） @ 3.0A
反向电流最大DC @ T
A
=25℃
在额定阻断电压DC @ T
A
=100℃
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
32
20
14
20
33
30
21
30
34
40
28
40
35
50
35
50
3.0
100
SS
36
60
42
60
SS
39
90
63
90
SS
310
100
70
100
单位
V
V
V
A
A
0.5
0.5
20
0.75
0.85
0.6
20
V
mA
mA
℃/W
℃/W
℃
℃
10.0
R
θ
JL
17
典型热阻（注2 ）
55
R
θ
JA
工作温度范围
T
J
-55到+125
-55到+150
存储温度范围
T
英镑
-55到+150
笔记
:
与PW = 300微秒1.脉冲测试， 1 ％占空比
2.在测量PCB板上有0.6× 0.6 “ （ 16× 16mm）以铜焊盘区。
- 56 -
额定值和特性曲线（ SS32 THRU SS310 ）
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
3
150
FIG.2-最大非重复峰值正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流。 （ A）
额定TL
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
平均正向电流。 （ A）
电阻或
感性负载
130
SS35-SS310
2
SS32-SS34
110
1
90
70
印刷电路板安装在0.6X0.6"
（ 16X16mm ）铜焊盘区
0
50
60
70
80
90
100
110
o
120
130
140
150
160
50
1
10
循环次数在60Hz
100
焊接温度。 （ C）
FIG.3-典型正向特性
40
FIG.4-典型的反向特性
20
10
瞬时正向电流。 （ A）
TJ=125
0
C
TJ=125
0
C
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
TJ=150
0
C
瞬时反向电流。 （MA ）
10
1
1
TJ=25
0
C
TJ=75
0
C
0.1
0.1
0.01
TJ=25
0
C
SS32-SS34
SS35-SS36
SS39-SS310
SS32-SS34
SS35-SS310
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压。 （V ）
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容
TRANSCIENT热阻抗，OC / W
1000
TJ = 25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
0
FIG.6-典型瞬态TERMAL IMPDANCE
100
结电容。 （PF ）
10
100
1
SS32-SS34
SS35-SS36
SS39-SS310
10
0.1
1
的反向电压。 （V ）
10
100
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间（秒）
10
100
- 57 -
SS32-S310
SS32 - S310
特点
金属硅整流器，多数
载流子传导。
低正向压降。
方便取放。
高浪涌电流能力。
SMC/DO-214AB
颜色频带为负极
肖特基整流器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
32
最高重复反向电压
平均正向电流整流， @ T
A
= 75°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
20
33
30
价值
34 35
40 50
36
60
38
80
39 310
90 100
单位
V
A
A
°C
°C
3.0
100
-55到+150
-55到+150
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
功耗
热阻，结到环境*
热阻，结领导
参数
价值
2.27
55
17
单位
W
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 0.55× 0.55" （ 14 ×14毫米）。
电气特性
符号
V
F
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
32
正向电压@ 3.0阿
反向电流@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
33
500
20
设备
34 35
36
0.5
10
38
39
850
310
750
单位
mV
mA
mA
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
SS32 - S310 ， Rev. D的
SS32-S310
肖特基整流器
（续）
典型特征
平均正向电流整流，我
F
[A]
3
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
150
175
100
80
2
电阻或
感性负载
P.C.B.安装
ON 0.55× 0.55"
（ 14× 14 ）毫米
铜焊盘区
60
40
1
20
0
0
25
50
75
100
125
环境温度[摄氏度]
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
图1.正向电流降额曲线
图2.不重复浪涌电流
50
T
A
= 125
C
20
10
SS32-SS34
T
A
= 25
C
SS35-S310
正向电流I
F
[A]
反向电流，I
R
[马]
10
SS32-SS34
T
A
= 125
C
1
SS35-S310
1
T
A
= 150
C
0.1
SS32-SS34
T
A
= 75
C
0.1
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0.01
SS35-S310
T
A
= 25
C
0.01
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1
1.2
正向电压，V
F
[V]
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100 120 140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
图4.反向电流与反向电压
SS32-SS34
SS35-S310
瞬态热阻抗[ C / W ]
100
1000
100
总电容，C
T
[ pF的]
10
100
1
10
0.1
1
10
反向电压， V
R
[V]
0.1
0.01
0.1
1
10
脉冲持续时间[S]
100
图5.总电容
图6.热阻抗特性
SS32 - S310 ， Rev. D的
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
表面贴装肖特基整流器
SS32 - S300
DO- 214AA （ SMB ）
表面贴装封装
极性：颜色频带端为负极
适用于低电压，高频率逆变器，续流二极管和极性保护应用程序使用
最大额定值和电气特性
评分在25°C环境温度，除非另有说明。电阻性或电感性负载。
描述
SYMBOL SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 SS38 SS39 S300
V
RRM
50
60
20
30
40
80
90
100
最大峰值重复反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375"设计（9.5mm ）引线长度在T
L
=75
o
C
峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加的
额定负荷
最大正向电压在
I
F
=3.0A
最大直流反向电流T
a
=25
o
C
在额定阻断电压DC
T
a
=100
o
C
热阻结到环境
工作结温范围
存储温度范围
V
RMS
V
DC
I
（AV）
14
20
21
30
28
40
35
50
42
60
3.0
56
80
64
90
71
100
单位
V
V
V
A
A
I
FSM
*V
F
*I
R
**R
号（j -a）的
**R
号（j -a）的
T
j
T
英镑
0.50
80
0.70
0.5
20
TYP55
TYP17
- 55 + 125
- 55 + 150
0.85
V
mA
mA
摄氏度/ W
摄氏度/ W
C
C
*脉冲测试采用PW = 300μS ，占空比1％ 。
**安装在PCB与0.30" X 0.30" （ 8.0 ×8.0 MM）铜焊盘面积
SS32_S300Rev290405E
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页4
SS32 - S300
DO- 214AA （ SMB ）
表面贴装封装
DO- 214AA （ SMB ） SMD塑料包装
暗淡
A
B
C
D
民
4.06
3.30
1.96
0.152
最大
4.57
3.94
2.11
0.305
暗淡
E
F
G
H
民
2.13
0.76
0.102
5.21
最大
2.44
1.52
0.203
5.59
所有尺寸均为毫米
SS32_S300Rev290405E
大陆设备印度有限公司
数据表
第2页4
SS32 - S300
DO- 214AA （ SMB ）
表面贴装封装
SMB封箱胶带
所有尺寸均为毫米
包装信息
封装/
案例类型
DO- 214AA （ SMB ）
牛逼& R：磁带和卷轴
包装类型
标准。填料
数量
5,000
数量
内箱
尺寸长x宽x高
（厘米）
总重量
（公斤）
数量
50K
外箱
尺寸长x宽x高毛重
（厘米）
（公斤）
46 x 38 x 22
8.9
T&R
SS32_S300Rev290405E
大陆设备印度有限公司
数据表
第3页4
盘尺寸为SMD封装
SS32 - S300
DO- 214AA （ SMB ）
表面贴装封装
卷轴规格
TAPE
REEL DIA 。
里面
包
宽度
厚度
A - 最大
W
DO- 214AA （ SMB ）
12
330
12.4 ± 2
所有尺寸均为毫米
组件处置说明
REEL
厚度
牛逼 - 最大
18.4
1. CDIL半导体器件均符合RoHS标准，客户要求来取悦处置
按照现行的国家的环境立法。
2，在欧洲，请处置按照欧盟指令2002/ 96 / EC关于报废电子电气设备（ WEEE ） 。
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件（S ）最好的
适合应用在产品中（ S）按您的要求。我们建议你彻底审查我们的数据
表（S ），以确认设备（S ）满足功能参数为您的应用。装修中的信息
数据手册和CDIL网站/ CD上被认为是准确和可靠。 CDIL然而，这并不承担
责任，不准确或不完整的信息。此外， CDIL不承担任何责任，因
的任何CDIL产品的应用或使用;它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。
这些产品不是设计用于救生/支持设备或系统中使用。 CDIL客户销售这些产品
（无论是作为单独的分立半导体器件或在其最终产品的引入） ，在任何救生/支
设备或系统或应用程序这样做在自己的风险和CDIL将不负责造成的任何损失
这样的销售（ S） 。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话：+ 91-11-2579 6150 ，
4141
1112传真：+ 91-11-2579 5290 ，
4141
1119
email@cdil.com
www.cdilsemi.com
SS32_S300Rev290405E
大陆设备印度有限公司
数据表
第4页4
SS32 THRU SS3A
肖特基势垒整流器器
反向电压 - 20至100伏特
正向电流 - 3.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
对于表面贴装应用
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降。
低廓包
内置应变救灾，非常适于自动贴片
在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
250 / 10秒，在终端
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214AA ，模压塑体
终端：
焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
绝对最大额定值和特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。单相半波，电阻或电感性负载。对于
容性负载，减免20 ％ 。
符号SS32 SS33 SS34 SS35
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在0.375“设计（9.5mm ）引线长度
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
3.0
80
0.50
0.75
1.5
20
250
55.0
17.0
-65到+125
-65到+150
-65到+150
10
160
O
SS36
60
42
60
SS38 SS3A单位
80
57
80
100
71
100
V
V
V
A
A
0.85
V
mA
pF
C / W
O
O
最大正向电压
在3.0A （注1 ）
最大瞬时反转
在T
A
= 25℃
电流在额定DC阻断
在T
A
= 100℃
在电压（注1 ）
典型结电容
典型热阻（注2 ）
工作结温范围
存储温度范围
V
F
I
R
I
R
C
合计
R
θ
JA
R
θ
JA
T
J
T
S
C
C
注：1.脉冲测试： 300μS脉冲宽度，占空比1％
2.
P.C.B.安装0.55X.0.55 “ （的14x14mm ）铜焊盘区
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
升特国际控股有限公司， acompany
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 22/02/2005
J
SS32 THRU SS3A
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
升特国际控股有限公司， acompany
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 22/02/2005
J
SS32-SS315
肖特基势垒整流器器
产品概述
3.0 AMPS表面贴装
SMC/DO-214AB
.126(3.20)
.114(2.90)
.245(6.22)
.220(5.59)
特点
对于表面安装应用程序
方便取放
金属与硅整流，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低VF
高浪涌电流能力
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
外延建设
高温焊接：
o
260℃ / 10秒码头
.280(7.11)
.260(6.60)
.012(.31)
.006(.15)
.103(2.62)
.079(2.00)
.063(1.6)
.039(1.0)
.320(8.13)
.305(7.75)
.008(.20)
.004(.10)
MECANICAL数据
案例： JEDEC DO- 214AB模压塑料
终端：纯锡电镀，无铅。
极性：由阴极频带指示
包装：每EIA STD RS - 481 16毫米带
重量： 0.21克
o
尺寸以英寸（毫米）
无铅;符合RoHS标准
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
符号SS
32
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
20
最大RMS电压
14
V
RMS
最大直流阻断电压
20
V
DC
类型编号
SS
33
30
21
30
SS
34
40
28
40
SS
35
50
35
50
3.0
SS
36
60
42
60
SS
39
90
63
90
SS
310
100
70
100
SS
单位
315
150
V
105
V
150
V
A
最大正向平均整流网络版
目前在T
L
（参见图1）
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单
半正弦波叠加额定
负荷（JEDEC的方法）
最大正向电压
（注1 ）
IF = 3.0A @ 25
o
C
@ 100
o
C
o
反向电流最大DC @ T
A
=25
C
at
o
额定阻断电压DC
@ T
A
=125
C
典型热阻（注2 ）
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
100
70
A
V
mA
mA
o
0.5
0.4
0.5
10
0.75
0.65
5
17
55
0.85
0.95
0.70
0.80
0.1
0.5
R
θJL
R
θJA
工作温度范围
T
J
-55到+125
存储温度范围
T
英镑
注意事项：
与PW = 300微秒1.脉冲测试， 1 ％占空比
C / W
o
o
-55到+150
-55到+150
C
C
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1
SS32-SS315
额定值和特性
曲线（ SS32 THRU SS315 ）
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
3
100
FIG.2-最大非重复峰值正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流。 （ A）
额定TL
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
平均正向电流。 （ A）
电阻或
感性负载
80
SS35-SS315
2
SS32-SS34
60
1
40
20
印刷电路板安装在0.6X0.6"
（ 16X16mm ）铜焊盘区
0
50
60
70
80
90
100
110
120
o
130
140
150
160
01
焊接温度。 （ C）
10
循环次数在60Hz
100
FIG.3-典型正向特性
40
TJ=25
0
C
FIG.4-典型的反向特性
20
10
TJ=125
0
C
SS35-SS36
瞬时正向电流。 （ A）
瞬时反向电流。 （MA ）
10
SS32-SS34
1
1
TJ=75
0
C
0.1
SS39-SS310
0.1
0.01
SS315
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
TJ=25
0
C
SS32-SS34
SS35-SS315
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压。 （V ）
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容
TJ = 25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
0
FIG.6-典型瞬态热
特征
TRANSCIENT热阻（℃ / W）
100
100
1000
结电容。 （PF ）
10
100
1
SS32-SS34
SS35-SS36
SS39-SS315
10
0.1
1
10
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间（秒）
10
100
的反向电压。 （V ）
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