SS32 SS36通
表面贴装肖特基整流器
反向电压 - 20至60伏特
正向电流 - 3.0安培
SMB / DO- 214AA
特点
0.150(3.80)
0.130(3.30)
0.187(4.75)
0.167(4.24)
0.083(2.12)
0.077(1.95)
0.016(0.40)
0.006(0.15)
0.102(2.60)
0.079(2.00)
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.236(6.00)
0.197(5.00)
*塑料包装有保险商实验室可燃性
分类科幻阳离子94V- 0
*对于表面贴装应用
*薄型包装
*内置应变救灾
*金属酸化镍交界处，多数载流子传导
*低功耗，高效率
*高电流能力，低正向压降
*高浪涌能力
*适用于低电压高频率逆变器的使用，免费
续流和极性保护应用
* Guardring过电压保护
·高温焊接保证：
o
260℃ / 10秒，终端
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214AA模压塑体
终端：
焊接镀，每MIL -STD- 750D焊
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
重量：
0.003 ounes ， 0.093克
*尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值
符号
除非另有规定ED 。
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
（见图1） （注2 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
3.0 A最大瞬时正向电压（注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC （注1 ）
T
A
=25 C
T
A
=100 C
R
典型热阻（注2 ）
R
工作结温范围
存储温度范围
JL
JA
o
o
o
SS32
20
14
20
SS33
30
21
30
SS34
40
28
40
SS35
50
35
50
SS36
60
42
60
单位
伏
伏
伏
安培
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
3.0
I
FSM
100
安培
V
F
0.50
0.5
0.75
伏
I
R
20
55
17
-55到+125
-55到+150
-55到+150
10
mA
o
C / W
o
o
T
J
T
英镑
C
C
注： （1 ）脉冲测试： 300US脉冲宽度， 1 ％的占空比
（2） P.C.B.安装有0.55× 0.55" （ 14× 14毫米）铜焊盘区
REV 。 ： 0
ZOWIE科技股份有限公司
额定值和特性曲线SS32 SS36 THRU
图1 - 正向电流降额曲线
4.0
正向平均整流
当前，安培
电阻或
感性负载
图2 - 最大非重复性
峰值正向浪涌电流
100
峰值正向浪涌电流，
安培
8.3ms单半正弦波
（ JEDEC的方法）
80
3.0
P.C.B.安装在
0.55× 0.55" （14× 14毫米）
铜焊盘区
60
2.0
40
1.0
SS32~SS34
SS35~SS36
20
0
1
10
循环次数在60Hz
100
90 100 110 120 130 140 150 160
o
0
50 60
70
80
环境温度，C
图3 - 典型瞬时
正向特性
30.00
IINSTANTANEOUS正向电流，
安培
o
图4 - 典型的反向电流
特征
20
10
瞬时反向漏
当前，微安
T
J
=125 C
10.00
脉冲宽度= 300US
1 ％占空比
T
J
=125 C
o
T
J
=25 C
o
1.0
T
J
=75
o
C
1.00
0.1
T
J
=150 C
o
0.10
0.01
T
J
=25 C
o
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
SS32~SS34
SS35~SS36
SS32~SS34
SS35~SS36
1.2
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100
正向电压，
伏
百分比额定峰值反向
电压， ％
图5 - 典型结电容
1000
结电容， pF的
T
J
= 25 C
f=1.0MHz
Vsig=50mVP-P
o
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
图6 - 典型的瞬态热阻抗
100
o
10
100
1
10
.1
SS22~SS24
SS25~SS26
1.0
10
100
0.1
0.01
0.10
1.0
10
100
反向电压，伏
T，脉冲持续时间，秒
REV 。 ： 0
ZOWIE科技股份有限公司
上海SUNRISE ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
SS32 SS36通
表面贴装肖特基
垒整流器器
电压： 20至60V电流： 3.0A
特点
适用于表面贴装取
应用场所
薄型封装
低功耗，高效率
高电流能力，低V
F
高浪涌能力
高温焊接保证：
260
o
C / 10秒/端子
技术
规范
SMC/DO-214AB
B
A
C
D
F
G
H
C
D
.124(3.15) .012(0.305)
.108(2.75) .006(0.152)
G
H
.008(0.203) .060(1.52)
.004(0.102) .030(0.76)
机械数据
终端：每焊镀信息
MIL- STD 202E ，方法208C
案例：模压与UL - 94类别V-0
公认的阻燃环氧树脂
极性：颜色频带为负极
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
A
.245(6.22)
.220(5.59)
E
.320(8.13)
.305(7.75)
B
.280(7.11)
.260(6.60)
F
.096(2.44)
.084(2.13)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
（单相半波，60赫兹，电阻或电感的在25
o
C，除非另有注明外，容性
负载，减免20 ％的电流）
评级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
(T
L
=100
o
C)
峰值正向浪涌电流（ 8.3ms单
半正弦波叠加在额定负载）
最大正向电压
（额定电流）
反向电流最大DC
T
a
=25
o
C
（额定阻断电压DC ）
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
SS32
20
14
20
SS33
30
21
30
SS34
40
28
40
3.0
SS35
50
35
50
SS36
60
42
60
单位
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
0.5
100
0.7
0.5
20.0
A
V
mA
mA
pF
o
T
a
=100
o
C
300
C
J
典型结电容
（注1 ）
15
R
θ
（ JA ）
典型热阻
（注2 ）
-65到+150
T
英镑
,T
J
存储和工作结温
注意：
1.Measured在1.0 MHz和应用4.0V的电压
dc
结2.Thermal耐终端安装在5 × 5毫米铜焊盘面积
C / W
o
C
http://www.sse-diode.com
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
SS32
THRU
SS36
3安培肖特基
整流器器
20至60伏
DO-214AB
（ SMCJ ）
H
薄型表面贴装封装
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类科幻阳离子94V- 0
内置应变消除
低功耗，高效率
适用于低电压高频率逆变器，续流和使用
极性保护应用
护过电压保护
高温焊接： 250 ℃，10秒码头
最大额定值
JEDEC DO- 214AB模压塑体
焊接镀，每焊MILSTD750 ，方法2026
颜色频带端为负极
MCC
部分
数
SS32
SS33
SS34
SS35
SS36
设备
记号
S2
S3
S4
S5
S6
最大
重复峰值
反向
电压
20V
30V
40V
50V
60V
I
F（ AV ）
I
FSM
最大
RMS
电压
14V
21V
28V
35V
42V
3.0A
100A
最大
DC
闭塞
电压
20V
30V
40V
50V
60V
T
J
= 25°C
8.3ms的一半
正弦
I
FM
= 3.0A
(1)
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
(1)
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
阴极带
J
A
E
C
D
B
G
尺寸
英寸
民
.075
.115
.004
---
.030
.305
.260
.220
最大
.095
.121
.008
.02
.060
.320
.280
.245
MM
民
1.90
2.92
.10
---
.76
7.75
6.60
5.59
最大
2.41
3.07
.20
.51
1.52
8.13
7.11
6.22
记
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
最大正向平均
当前
峰值正向浪涌
当前
最大瞬时
正向电压
SS32-34
SS35-36
最大直流反接
电流在额定DC
阻断电压
SS32-34
SS35-36
典型的热
(2)
阻力
工作结
温度范围
存储温度范围
V
F
.50V
.75V
.5mA
20mA
10mA
55
O
C / W
O
17 C / W
-55到+ 150
O
C
-55 + 150℃
O
建议焊料
焊盘布局
0.185”
I
R
R
JA
R
JL
T
J
T
英镑
0.125”
0.075”
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度300微秒，占空比1 ％
(2)
P.C.B.安装0.55x0.55 “ （的14x14mm ）铜焊盘区
www.mccsemi.com
SS32 SS36通
表面贴装肖特基整流器
反向电压 -
20至60伏
DO-214AB
正向电流 -
3.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
对于表面贴装应用
低廓包
内置应变救灾，非常适于自动贴片
方便取放
金属硅交界处，
多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降
适用于低电压，高频率逆变器，免费使用
续流和极性保护应用
高温焊接：
250℃ / 10秒的终端
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.245 (6.22)
0.220 (5.59)
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
0.008 (0.203)
马克斯。
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214AB模压塑体
终端：
焊接镀，每MIL -STD -750焊接的，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
重量：
0.007盎司0.25克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
SS32
SS33
SS34
SS35
SS36
单位
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L（参照图1 ）（注2 ）
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
在3.0A最大正向电压
（注1 ）
S2
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
I
FSM
20
14
20
S3
30
21
30
S4
40
28
40
3.0
100.0
S5
50
35
50
S6
60
42
60
伏
伏
伏
安培
安培
V
F
（注1 ）
0.50
0.5
20.0
55.0
17.0
-55到+125
-55到+150
0.75
10.0
伏
mA
° C / W
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
T
A
=25°C
T
A
=100°C
I
R
R
θJA
R
θJL
T
J
T
英镑
典型热阻
（注2 ）
工作结温范围
存储温度范围
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
（2） P.C.B.安装0.55× 0.55“ （ 14× 14毫米）铜焊盘区
-55到+150
°C
°C
10/19/98
SS32-S310
SS32 - S310
特点
金属硅整流器，多数
载流子传导。
低正向压降。
方便取放。
高浪涌电流能力。
0.280 (7.112)
0.260 (6.604)
0.124 (3.150)
0.108 (2.743)
2
1
0.245 (6.223)
0.220 (5.588)
0.320 (8.128)
0.305 (7.747)
SMC/DO-214AB
0.103 (2.616)
0.079 (2.007)
0.060 (1.524)
0.030 (0.762)
0.008 (0.203)
0.004 (0.102)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
3.0安培肖特基势垒整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
P
D
R
θJA
R
θJC
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
平均整流电流
@ T
A
= 75°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境**
热阻，结到外壳
存储温度范围
工作结温
价值
3.0
单位
A
100
2.27
18
55
17
-55到+150
-55到+150
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**
设备安装在FR- 4 PCB 0.55× 0.55" （ 14 ×14毫米）。
电气特性
参数
32
反向重复峰值电压
最大RMS电压
DC反向电压（额定V
R
)
最大反向电流T
A
= 25°C
@额定V
R
T
A
= 100°C
最大正向电压@ 3.0阿
20
14
20
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
33
30
21
30
20
500
750
34
40
28
40
35
50
35
50
0.5
10
850
36
60
42
60
38
80
56
80
39
90
63
90
310
100
70
100
单位
V
V
V
mA
mA
mV
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
SS32 - S310 ，版本B1
SMC / DO- 214AB封装尺寸
SMC / DO- 214AB （ FS PKG代码P7 ）
1:1
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
如下图所示尺寸是：
英寸[毫米]
每单位的部分重量（克）： 0.21
0.280 (7.112)
0.260 (6.604)
6.18
5.98
0.128 (3.25)
0.108 (2.743)
2
1
0.245 (6.223)
0.220 (5.588)
3.27
3.07
+
4.69
4.49
7.67
7.47
0.320 (8.128)
0.305 (7.747)
0.103 (2.616)
0.079 (2.007)
最低推荐
土地模式
0.060 (1.524)
0.030 (0.762)
0.008 (0.203)
0.002 (0.51)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
1999年8月修订版A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
Rev. D的
SS32 THRU SS3A
肖特基势垒整流器器
反向电压 - 20至100伏特
正向电流 - 3.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
金属硅交界处，多数载流子传导
对于表面贴装应用
低功耗，高效率
高电流能力，低正向电压降。
低廓包
内置应变救灾，非常适于自动贴片
在低电压，高频率逆变器，
续流和极性保护应用
高温焊接保证：
250 / 10秒，在终端
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214AA ，模压塑体
终端：
焊接镀，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
绝对最大额定值和特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。单相半波，电阻或电感性负载。对于
容性负载，减免20 ％ 。
符号SS32 SS33 SS34 SS35
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在0.375“设计（9.5mm ）引线长度
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
3.0
80
0.50
0.75
1.5
20
250
55.0
17.0
-65到+125
-65到+150
-65到+150
10
160
O
SS36
60
42
60
SS38 SS3A单位
80
57
80
100
71
100
V
V
V
A
A
0.85
V
mA
pF
C / W
O
O
最大正向电压
在3.0A （注1 ）
最大瞬时反转
在T
A
= 25℃
电流在额定DC阻断
在T
A
= 100℃
在电压（注1 ）
典型结电容
典型热阻（注2 ）
工作结温范围
存储温度范围
V
F
I
R
I
R
C
合计
R
θ
JA
R
θ
JA
T
J
T
S
C
C
注：1.脉冲测试： 300μS脉冲宽度，占空比1％
2.
P.C.B.安装0.55X.0.55 “ （的14x14mm ）铜焊盘区
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
升特国际控股有限公司， acompany
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 22/02/2005
J
SS32 THRU SS3A
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
升特国际控股有限公司， acompany
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 22/02/2005
J
表面贴装：超快速恢复
肖特基&桥式整流器
超快速恢复二极管
部分
交
Max.Average峰峰值正向浪涌
最大正向
马克斯。反向最大反向套餐
号码参考矩形。电流反向电流@ 8.3ms的电压@钽25°C电流@ 25℃恢复时间
电压叠加
@额定PIV
@额定PIV
@额定PIV
IO （ A）
PIV （ V）
IFSM （ A）
VFM （ V）
IR （MA ）
TRR （ NS ）
7"/13"Reel
ES3A
3.0
A
50
100
0.95
5
35
850/3500
ES3B
3.0
A
100
100
0.95
5
35
850/3500
ES3C
3.0
A
150
100
0.95
5
35
850/3500
ES3D
3.0
A
200
100
0.95
5
35
850/3500
ES3E
3.0
A
300
100
1.25
5
35
850/3500
ES3G
3.0
A
400
100
1.25
5
35
850/3500
ES3J
3.0
A
500
100
1.7
5
35
850/3500
ES1_ & ES2_是以前的页面上。
工作温度： -50 ℃150℃
概要
（单位：mm ）
C
6.60
7.11
2.13
1.91
2.44
1
2.92
3.07
1
7.75
8.13
5.59
6.22
肖特基二极管
RFE
交
Max.Average峰
峰值正向浪涌
最大正向
马克斯。反向
型号参考矩形。电流反向电流@ 8.3ms的电压@钽25 ° C电流@ 25°C
电压叠加
@额定PIV
@额定PIV
I
O
(A)
PIV （ V）
I
FSM
(A)
V
FM
(V)
I
R
（MA ）
LL5817
1.0 A
20
25
0.45
1.0
LL5818
1.0 A
30
25
0.55
1.0
LL5819
1.0 A
40
25
0.60
1.0
SS12
1.0 A
20
30
0.50
0.5
SS13
1.0 A
30
30
0.50
0.5
SS14
1.0 A
40
30
0.50
0.5
SS15
1.0 A
50
30
0.75
0.5
SS16
1.0 A
60
30
0.75
0.5
SS19
1.0 A
90
30
0.79
0.5
SS1B
1.0 A
100
30
0.79
0.5
SS22
2.0 A
20
50
0.50
0.5
SS23
2.0 A
30
50
0.50
0.5
SS24
2.0 A
40
50
0.50
0.5
SS25
2.0 A
50
50
0.70
0.5
SS26
2.0 A
60
50
0.70
0.5
SS29
2.0 A
90
50
0.79
0.1
SS2B
2.0 A
100
50
0.79
0.1
SS32
3.0 A
20
100
0.50
0.5
SS33
3.0 A
30
100
0.50
0.5
SS34
3.0 A
40
100
0.50
0.5
SS35
3.0 A
50
100
0.75
0.5
SS36
3.0 A
60
100
0.75
0.5
SS39
3.0 A
90
100
0.79
0.6
SS3B
3.0 A
100
100
0.79
0.6
包
工作温度： -65℃ 150℃
概要
（单位：mm ）
13"分之7"卷
1500/5000
1500/5000
1500/5000
1800/7500
1800/7500
1800/7500
1800/7500
1800/7500
1800/7500
1800/7500
750/3200
750/3200
750/3200
750/3200
750/3200
750/3200
750/3200
850/3500
850/3500
850/3500
850/3500
850/3500
850/3500
850/3500
MiniMELF
A
.06
4.25
06
4.75
57
1.98
2.61
1.43
27
1.58
64
4.82
5.26
58
5.46
2.54
29
92
2.83
(DO-214AC)
2.005
1.95
2.055 3.52
30
2.21
93
3.58
5.35
20
58
5.45
(DO-214AA)
06
4.675
57
4.725
2.13
1.91
41
2.43
C
6.60
7.11
1.91
2.00
41
2.62
2.92
3.07
1
7.75
8.13
(DO-214AB)
5.59
6.22
玻璃钝化整流桥
RFE
交
Max.Average峰
峰值正向浪涌
最大正向
马克斯。反向
型号参考矩形。电流反向电流@ 8.3ms的电压@钽25 ° C电流@ 25°C
电压叠加
@额定PIV
@额定PIV
I
O
(A)
PIV （ V）
I
FSM
(A)
V
FM
(V)
I
R
（MA ）
MB2S
MB4S
MB6S
S40
S80
S125
S250
S380
S500
DBS101G
DBS102G
DBS103G
DBS104G
DBS105G
DBS106G
DBS107G
DBS151G
DBS152G
DBS153G
DBS154G
DBS155G
DBS156G
DBS157G
0.5 A
0.5 A
0.5 A
0.8 A
0.8 A
0.8 A
0.8 A
0.8 A
0.8 A
1.0 A
1.0 A
1.0 A
1.0 A
1.0 A
1.0 A
1.0 A
1.5 A
1.5 A
1.5 A
1.5 A
1.5 A
1.5 A
1.5 A
200
400
600
80
160
250
500
800
1000
50
100
200
400
600
800
1000
50
100
200
400
600
800
1000
30
30
30
30
30
30
30
30
30
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
1.0
1.0
1.0
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
5.0
5.0
5.0
10
10
10
10
10
10
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
10.0
包
工作温度： -65℃ 150℃
概要
（单位：mm ）
管
MB
（英寸）
0.185
0.150
0.098
0.023
0.010
0.200 0.262
迷你DF
4.7
3.9
2.4
0.6
5.0 6.5
2.54
DF005S
DF01
DF02
DF04
DF06
DF08
DF10
100管
50
DBS
7.90
100管
50
6.50
7.90 10.30
1.20
1.20
5.20
RFE国际
电话： （ 949 ） 833-1988 传真： （ 949 ） 833-1788 电子邮件Sales@rfeinc.com
C3B03
REV 2001年
SS32-SS315
肖特基势垒整流器器
产品概述
3.0 AMPS表面贴装
SMC/DO-214AB
.126(3.20)
.114(2.90)
.245(6.22)
.220(5.59)
特点
对于表面安装应用程序
方便取放
金属与硅整流，多数载流子传导
低功耗，高效率
高电流能力，低VF
高浪涌电流能力
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
外延建设
高温焊接：
o
260℃ / 10秒码头
.280(7.11)
.260(6.60)
.012(.31)
.006(.15)
.103(2.62)
.079(2.00)
.063(1.6)
.039(1.0)
.320(8.13)
.305(7.75)
.008(.20)
.004(.10)
MECANICAL数据
案例： JEDEC DO- 214AB模压塑料
终端：纯锡电镀，无铅。
极性：由阴极频带指示
包装：每EIA STD RS - 481 16毫米带
重量： 0.21克
o
尺寸以英寸（毫米）
无铅;符合RoHS标准
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
符号SS
32
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
20
最大RMS电压
14
V
RMS
最大直流阻断电压
20
V
DC
类型编号
SS
33
30
21
30
SS
34
40
28
40
SS
35
50
35
50
3.0
SS
36
60
42
60
SS
39
90
63
90
SS
310
100
70
100
SS
单位
315
150
V
105
V
150
V
A
最大正向平均整流网络版
目前在T
L
（参见图1）
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单
半正弦波叠加额定
负荷（JEDEC的方法）
最大正向电压
（注1 ）
IF = 3.0A @ 25
o
C
@ 100
o
C
o
反向电流最大DC @ T
A
=25
C
at
o
额定阻断电压DC
@ T
A
=125
C
典型热阻（注2 ）
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
100
70
A
V
mA
mA
o
0.5
0.4
0.5
10
0.75
0.65
5
17
55
0.85
0.95
0.70
0.80
0.1
0.5
R
θJL
R
θJA
工作温度范围
T
J
-55到+125
存储温度范围
T
英镑
注意事项：
与PW = 300微秒1.脉冲测试， 1 ％占空比
C / W
o
o
-55到+150
-55到+150
C
C
2007年4月5日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
1
SS32-SS315
额定值和特性
曲线（ SS32 THRU SS315 ）
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
3
100
FIG.2-最大非重复峰值正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流。 （ A）
额定TL
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
平均正向电流。 （ A）
电阻或
感性负载
80
SS35-SS315
2
SS32-SS34
60
1
40
20
印刷电路板安装在0.6X0.6"
（ 16X16mm ）铜焊盘区
0
50
60
70
80
90
100
110
120
o
130
140
150
160
01
焊接温度。 （ C）
10
循环次数在60Hz
100
FIG.3-典型正向特性
40
TJ=25
0
C
FIG.4-典型的反向特性
20
10
TJ=125
0
C
SS35-SS36
瞬时正向电流。 （ A）
瞬时反向电流。 （MA ）
10
SS32-SS34
1
1
TJ=75
0
C
0.1
SS39-SS310
0.1
0.01
SS315
脉冲宽度= 300秒
1 ％占空比
TJ=25
0
C
SS32-SS34
SS35-SS315
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压。 （V ）
百分比额定峰值反向电压。 （％）
FIG.5-典型结电容
TJ = 25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
0
FIG.6-典型瞬态热
特征
TRANSCIENT热阻（℃ / W）
100
100
1000
结电容。 （PF ）
10
100
1
SS32-SS34
SS35-SS36
SS39-SS315
10
0.1
1
10
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间（秒）
10
100
的反向电压。 （V ）
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而，硅标准公司不做任何
担保或保证，明示或暗示，作为对这些信息的可靠性，准确性，及时性或完整性不承担任何
其使用的责任，或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因，任何产品进行更改的权利，包括
无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
2007年4月5日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
2
SS32 THRU SS310
表面贴装肖特基整流器
反向电压 -
20至100伏特
DO-214AA
正向电流 -
3.0安培
特点
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155(3.94)
0.130(3.30)
塑料包装进行保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
对于表面安装应用程序
金属硅交界处，多数载流子传导
低功耗，高效率
内置应变救灾，非常适于自动贴片
高正向浪涌电流能力
高温焊接保证：
250℃ / 10秒码头
0.180(4.57)
0.160(4.06)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.122(3.12)
0.110(2.82)
机械数据
案例：
JEDEC DO- 214AC模压塑体
终端：
导致每MIL -STD- 750 ，
方法2026
极性：
颜色频带端为负极
安装位置：
任何
重量： 0.005
盎司， 0.138克
0.060(1.52)
0.030(0.76)
0.008(0.203)MAX.
0.220(5.59)
0.205(5.21)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹，电阻或电感性负载，容性负载电流降额20％ 。
符号
SS32
SS33
SS34
SS35
SS36
SS38 SS310
单位
伏
伏
伏
安培
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
（参见图1）
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
在3.0A最大正向电压
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作结温范围
存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
3.0
60
42
60
80
56
80
100
70
100
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
q
JA
T
J
,
T
英镑
0.55
100.0
0.70
0.5
20
500
-65到+125
10
300
55.0
-65到+150
-65到+150
0.85
安培
伏
mA
pF
C / W
C
C
注： 1.Measured
在1MHz和应用4.0V的直流反向电压
2.P.C.B.安装有0.2x0.2 “ （ 5.0x5.0mm ）铜焊盘区
www.shunyegroup.com
QQ：2881677436 复制
