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SS2H9 & SS2H10
威世半导体
高压表面贴装肖特基整流器
高阻隔周俊，以提高高
温度性能
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
I
R
T
j
马克斯。
2.0 A
90 V, 100 V
75 A
0.65 V
10 A
175 °C
DO- 214AA （ SMB ）
特点
低廓包
Guardring过电压保护
适合自动放置
低功耗，高效率
低正向压降
低漏电流
高浪涌能力
会见MSL等级1 ，符合per J -STD- 020C
浸焊260℃ 40秒
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，自由
续流，直流到直流转换器和极性保护
应用
最大额定值
器件标识代码
T
A
= 25 ° C除非另有说明＃
参数
N
ew
Pr
od
uc
t
机械数据
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
SS2H9
MS9
90
90
90
2.0
75
1.0
10000
- 65 + 175
SS2H10
MS10
100
100
100
案例：
DO- 214AA （ SMB ）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊J-
STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级， HE3后缀为高
可靠性级（AEC Q101标准）
极性：
色环表示阴极结束
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
°C
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流：T已
L
= 130 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
反向重复峰值浪涌电流在t
p
= 2.0微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
文档编号88750
28-Jun-05
www.vishay.com
1
SS2H9 & SS2H10
威世半导体
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明＃
参数
最大正向
电压
(1)
:
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
(1)
测试条件
I
F
= 2.0 A,
I
F
= 2.0 A,
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
V
F
I
R
SS2H9
0.79
0.65
10
4
SS2H10
单位
V
A
mA
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
热特性
T
A
= 25 ° C除非另有规定编
参数
最大热阻结到导联T
L
= 25 °C
(1)
注意事项：
安装在P.C.B. （ 1）单位用0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）铜焊盘区
符号
R
θJA
R
θJL
SS2H9
80
25
SS2H10
单位
° C / W
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
2.5
平均正向电流，放大器
50
75
100
125
150
175
平均正向电流（ A）
100
2.0
75
1.5
50
1.0
25
0,5
0.0
25
0
1
10
数
环，在60赫兹的
100
TL - 引脚温度（ ℃）
图1.正向Currenrt降额曲线
图2.最大非重复性峰值正向浪涌电流
www.vishay.com
2
文档编号88750
28-Jun-05
SS2H9 & SS2H10
威世半导体
100
正向电流
(A)
Tj=175°C
Tj=150°C
1000
10
1
Tj=125°C
结电容（pF ）
100
0.1
Tj=25°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
10
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
正向电压（ V）
图3.典型Instanteous正向特性
图5.典型结电容
10000
Tj=175°C
瞬时反向电流
（ UA）
100
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
10
20
30
40
Tj=150°C
Tj=125°C
瞬时阻抗， ° C / W
80
90
100
10
Tj=25°C
1
50
60
70
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
T，脉冲持续时间（秒）。
图4.典型的反向特性
图6.典型瞬态每腿热阻抗
（英寸）封装外形尺寸（毫米）
阴极带
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
贴装焊盘布局
0.85最大
（ 2.159 MAX）
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.086 MIN
（ 2.18 MIN ）
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060分
（ 1.52 MIN ）
0.220 REF
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.008(0.2)
0 (0)
文档编号88750
28-Jun-05
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3
SS2H9 & SS2H10
威世半导体
高压表面贴装肖特基整流器
高阻隔周俊，以提高高
温度性能
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
I
R
T
j
马克斯。
2.0 A
90 V, 100 V
75 A
0.65 V
10 A
175 °C
DO- 214AA （ SMB ）
特点
低廓包
Guardring过电压保护
适合自动放置
低功耗，高效率
低正向压降
低漏电流
高浪涌能力
会见MSL等级1 ，符合per J -STD- 020C
浸焊260℃ 40秒
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，自由
续流，直流到直流转换器和极性保护
应用
最大额定值
器件标识代码
T
A
= 25 ° C除非另有说明＃
参数
N
ew
Pr
od
uc
t
机械数据
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
SS2H9
MS9
90
90
90
2.0
75
1.0
10000
- 65 + 175
SS2H10
MS10
100
100
100
案例：
DO- 214AA （ SMB ）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊J-
STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级， HE3后缀为高
可靠性级（AEC Q101标准）
极性：
色环表示阴极结束
单位
V
V
V
A
A
A
V / μs的
°C
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流：T已
L
= 130 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
反向重复峰值浪涌电流在t
p
= 2.0微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
文档编号88750
28-Jun-05
www.vishay.com
1
SS2H9 & SS2H10
威世半导体
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明＃
参数
最大正向
电压
(1)
:
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
(1)
测试条件
I
F
= 2.0 A,
I
F
= 2.0 A,
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
V
F
I
R
SS2H9
0.79
0.65
10
4
SS2H10
单位
V
A
mA
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
热特性
T
A
= 25 ° C除非另有规定编
参数
最大热阻结到导联T
L
= 25 °C
(1)
注意事项：
安装在P.C.B. （ 1）单位用0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）铜焊盘区
符号
R
θJA
R
θJL
SS2H9
80
25
SS2H10
单位
° C / W
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
2.5
平均正向电流，放大器
50
75
100
125
150
175
平均正向电流（ A）
100
2.0
75
1.5
50
1.0
25
0,5
0.0
25
0
1
10
数
环，在60赫兹的
100
TL - 引脚温度（ ℃）
图1.正向Currenrt降额曲线
图2.最大非重复性峰值正向浪涌电流
www.vishay.com
2
文档编号88750
28-Jun-05
SS2H9 & SS2H10
威世半导体
100
正向电流
(A)
Tj=175°C
Tj=150°C
1000
10
1
Tj=125°C
结电容（pF ）
100
0.1
Tj=25°C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
10
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
正向电压（ V）
图3.典型Instanteous正向特性
图5.典型结电容
10000
Tj=175°C
瞬时反向电流
（ UA）
100
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
10
20
30
40
Tj=150°C
Tj=125°C
瞬时阻抗， ° C / W
80
90
100
10
Tj=25°C
1
50
60
70
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
T，脉冲持续时间（秒）。
图4.典型的反向特性
图6.典型瞬态每腿热阻抗
（英寸）封装外形尺寸（毫米）
阴极带
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
贴装焊盘布局
0.85最大
（ 2.159 MAX）
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.086 MIN
（ 2.18 MIN ）
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060分
（ 1.52 MIN ）
0.220 REF
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.008(0.2)
0 (0)
文档编号88750
28-Jun-05
www.vishay.com
3
SS2H9 & SS2H10
威世通用半导体
高压表面贴装肖特基整流器
高阻隔技术改进高温性能
特点
薄型封装
Guardring过电压保护
适合自动放置
低功率损耗，效率高
低正向压降
低漏电流
高浪涌能力
DO- 214AA （ SMB ）
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
浸焊260℃ 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，
续流，直流 - 直流转换器，和极性
保护应用。
机械数据
案例：
DO- 214AA （ SMB ）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
色环表示阴极结束
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
I
R
T
J
马克斯。
2.0 A
90 V, 100 V
75 A
0.65 V
10 A
175 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流：T已
L
= 130 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
反向重复峰值浪涌电流在t
p
= 2.0微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
符号
SS2H9
MS9
90
90
90
2.0
75
1.0
10 000
- 65 + 175
SS2H10
MS10
100
100
100
V
V
V
A
A
A
V / μs的
°C
单位
文档编号： 88750
修订： 19 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
SS2H9 & SS2H10
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向
电压
(1)
最大反向电流
额定V
R (2)
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
测试条件
I
F
= 2.0 A
I
F
= 2.0 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
V
F
I
R
SS2H9
0.79
0.65
10
4
SS2H10
单位
V
A
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大热阻结到导联T
L
= 25 °C
(1)
注意：
安装在P.C.B. （ 1）单位用0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）铜焊盘区
符号
R
θJA
R
θJL
SS2H9
80
25
SS2H10
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
SS2H9-E3/52T
SS2H9-E3/5BT
SS2H9HE3/52T
(1)
SS2H9HE3/5BT
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
单位重量（g ）
0.096
0.096
0.096
0.096
首选包装代码
52T
5BT
52T
5BT
基地数量
750
3200
750
3200
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
2.5
100
平均正向电流（ A）
2.0
平均正向电流（ A）
75
1.5
50
1.0
25
0.5
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
10
100
T
L
- 焊接温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向电流降额曲线
图2.最大非重复性峰值正向浪涌电流
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 88750
修订： 19 08年5月
SS2H9 & SS2H10
威世通用半导体
100
1000
T
J
= 175 °C
正向电流（A ）
10
1
T
J
= 125 °C
结电容（pF ）
1.2
1.4
T
J
= 150 °C
100
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型Instanteous正向特性
图5.典型结电容
10 000
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
T
J
= 25 °C
T
J
= 175 °C
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（ μA ）
10
1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的反向特性
图6.典型瞬态每腿热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AA （ SMB ）
阴极带
贴装焊盘布局
0.085 （ 2.159 ）最大。
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.086 （ 2.18 ）最低。
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.060 （ 1.52 ）最低。
0.220 REF 。
文档编号： 88750
修订： 19 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
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3
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放弃
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文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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