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SS22-SS215
肖特基势垒整流器器
产品概述
2.0安培表面贴装
SMB/DO-214AA
.083(2.10)
.077(1.95)
.147(3.73)
.137(3.48)
特点
对于表面安装应用程序
方便取放
金属与硅整流,多数载流子传导
低功耗,高效率
高电流能力,低VF
高浪涌电流能力
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
外延建设
高温焊接:
o
260℃ / 10秒码头
.187(4.75)
.167(4.25)
.012(.31)
.006(.15)
.103(2.61)
.078(1.99)
.012(.31)
.006(.15)
.056(1.41)
.035(0.90)
.209(5.30)
.201(5.10)
.008(.20)
.004(.10)
MECANICAL数据
案例:模压塑料
终端:纯锡电镀,无铅。
极性:由阴极频带指示
包装:每EIA STD RS - 481 12毫米带
重量: 0.093克
o
尺寸以英寸(毫米)
无铅;符合RoHS标准
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
(参见图1)
峰值正向浪涌电流, 8.3 ms单
半正弦波叠加额定
负荷(JEDEC的方法)
最大正向电压
(注1 )
IF = 2.0A @ 25
o
C
@ 100
o
C
o
反向电流最大DC
@ T
A
=25
C上
o
额定阻断电压DC
@ T
A
=125
C
典型结电容(注3 )
典型热阻(注2 )
工作温度范围
存储温度范围
注意事项:
符号
SS
22
20
V
RRM
14
V
RMS
20
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Cj
R
θJL
R
θJA
T
J
SS
23
30
21
30
SS
24
40
28
40
SS
25
50
35
50
2.0
50
SS
26
60
42
60
SS
29
90
63
90
SS
210
100
70
100
SS
单位
215
150
V
105
V
150
V
A
A
0.5
0.4
0.4
10
0.70
0.65
0.85
0.95
0.70
0.80
0.1
5.0
V
mA
mA
pF
o
130
17
75
-65到+125
-65到+150
-65到+150
C / W
o
o
T
英镑
与PW = 300微秒1.脉冲测试, 1 %占空比
2.测对PC板0.4 “ ×0.4 ” (10毫米X 10毫米)铜焊盘区。
3.测量4.0V DC应用反向电压,在1 MHz和
C
C
2007年4月5日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
1
SS22-SS215
评级
和特性
曲线( SS22 THRU SS215 )
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
2.0
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流。 ( A)
50
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
额定TL
平均正向电流。 ( A)
电阻或
感性负载
1.5
SS22-SS24
SS25-SS215
40
30
1.0
20
0.5
印刷电路板安装在0.2X0.2"
( 5.0X5.0mm )铜焊盘区
0
焊接温度。 (
O
C)
10
0
1
10
循环次数在60Hz
100
图4 - TYPICALREVERSE特性
FIG.3-典型正向特性
50
100
SS22-SS24
SS25-SS215
TJ=125
C
10
O
TJ = 25℃
O
瞬时正向电流。 ( A)
10
SS25-SS26
瞬时反向电流。 (MA )
SS22-SS24
1
1
TJ=75
C
O
SS29-SS210
0.1
0.1
SS215
0.01
TJ=25
C
O
脉冲宽度= 300秒
1 %占空比
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 (%)
正向电压。 (V )
图5 - 典型结电容
瞬态热阻抗。 (
O
C / W )
400
FIG.6-典型瞬态热
特征
100
结电容。 (PF )
TJ = 25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
100
O
10
1
10
0.1
SS29-SS215
SS22-SS24
SS25-SS26
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
T,脉冲持续时间。 (秒)
10
100
的反向电压。 (V )
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而,硅标准公司不做任何
担保或保证,明示或暗示,作为对这些信息的可靠性,准确性,及时性或完整性不承担任何
其使用的责任,或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因,任何产品进行更改的权利,包括
无需在可靠性,功能或设计限制的增强。没有获发牌照,无论明示或
V
含义,就
by
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品,任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
2007年4月5日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
2
SS22 - SS215
2.0安培。表面贴装肖特基整流器
SMB/DO-214AA
.083(2.10)
.077(1.95)
.147(3.73)
.137(3.48)
特点
对于表面安装应用程序
方便取放
金属与硅整流,多数载流子传导
低功耗,高效率
高电流能力,低VF
高浪涌电流能力
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
外延建设
高温焊接:
260
o
C / 10秒码头
.187(4.75)
.167(4.25)
.012(.31)
.006(.15)
.103(2.61)
.078(1.99)
.012(.31)
.006(.15)
.056(1.41)
.035(0.90)
.209(5.30)
.201(5.10)
.008(.20)
.004(.10)
机械数据
案例:模压塑料
终端:纯锡电镀,无铅。
极性:由阴极频带指示
包装:每EIA STD RS - 481 12毫米带
重量: 0.093克
尺寸以英寸(毫米)
等级25
o
C环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
符号
SS SS SS SS
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
(参见图1)
峰值正向浪涌电流, 8.3 ms单
半正弦波叠加额定
负荷(JEDEC的方法)
最大正向电压
(注1 )
IF = 2.0A @ 25
o
C
@ 100
o
C
o
反向电流最大DC
@ T
A
=25
C上
额定阻断电压DC
@ T
A
=125
o
C
典型结电容(注3 )
典型热阻(注2 )
工作温度范围
存储温度范围
注意事项:
最大额定值和电气特性
SS
26
60
42
60
SS
29
90
63
90
SS
210
100
70
100
SS
单位
215
150
V
105
V
150
V
A
A
0.85
0.95
0.70
0.80
0.1
5.0
V
mA
mA
pF
o
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Cj
R
θJL
R
θJA
T
J
22
20
14
20
23
30
21
30
24
40
28
40
25
50
35
50
2.0
50
0.5
0.4
0.4
10
130
17
75
-65到+125
-65到+150
-65到+150
0.70
0.65
C / W
o
o
T
英镑
与PW = 300微秒1.脉冲测试, 1 %占空比
2.测对PC板0.4 “ ×0.4 ” (10毫米X 10毫米)铜焊盘区。
3.测量4.0V DC应用反向电压,在1 MHz和
C
C
- 40 -
版本: B07
RATINGSAND特性曲线( SS22 THRU SS215 )
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
2.0
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流。 ( A)
50
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
额定TL
平均正向电流。 ( A)
电阻或
感性负载
1.5
SS22-SS24
SS25-SS215
40
30
1.0
20
0.5
印刷电路板安装在0.2X0.2"
( 5.0X5.0mm )铜焊盘区
0
焊接温度。 ( C)
O
10
0
1
10
循环次数在60Hz
100
图4 - TYPICALREVERSE特性
FIG.3-典型正向特性
50
100
SS22-SS24
SS25-SS215
TJ=125
C
10
O
TJ = 25℃
O
瞬时正向电流。 ( A)
10
SS25-SS26
瞬时反向电流。 (MA )
SS22-SS24
1
1
TJ=75
C
O
SS29-SS210
0.1
0.1
SS215
0.01
TJ=25
C
O
脉冲宽度= 300秒
1 %占空比
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 (%)
正向电压。 (V )
图5 - 典型结电容
瞬态热阻抗。 (
O
C / W )
400
FIG.6-典型瞬态热
特征
100
结电容。 (PF )
TJ = 25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
100
O
10
1
10
0.1
SS29-SS215
SS22-SS24
SS25-SS26
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
T,脉冲持续时间。 (秒)
10
100
的反向电压。 (V )
版本: B07
额定值和特性曲线( SS22 THRU SS215 )
版本: D10
CREAT的艺术
2.0安培。表面贴装肖特基整流器
SMB/DO-214AA
Pb
SS22 - SS215
RoHS指令
合规
特点
对于表面安装应用程序
易皮尔克和地点
金属与硅整流,多数载流子传导
低功耗,高效率
高电流能力,低VF
高浪涌电流能力
塑料用物质载体包销商
实验室Classigication 94V- 0
外延建设
高温焊接:
260 ℃ / 10秒码头
对包装后缀"G"绿色复合
代码&的日期代码前缀"G" 。
机械数据
案例:模压塑料
终端:纯锡电镀,无铅。
极性:由阴极频带指示
包装:每EIA STD RS - 481 12毫米带
重量: 0.093 GRAMS
尺寸以英寸(毫米)
标记图
SS2X
G
Y
M
=具体设备守则
=绿色复合
=年
=工作月
最大额定值和电气特性
等级25
环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
(参见图1)
峰值正向浪涌电流, 8.3ms单一正弦半
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压(注1 )
IF = 2 A @ 25
@ 100
最大直流反接
电流在额定DC
阻断电压
典型结Capecitance (注2 )
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
注1: PW = 300U秒脉冲测试, 1 %占空比
@ T
A
=25
@ T
A
=100℃
@ T
A
=125
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
SS
22
20
14
20
SS
23
30
21
30
SS
24
40
28
40
SS
25
50
35
50
2
50
SS
26
60
42
60
SS
29
90
63
90
SS
210
100
70
100
SS
215
150
105
150
单位
V
V
V
A
A
V
F
0.5
0.4
0.4
0.70
0.65
0.85
0.70
0.1
0.95
0.80
V
mA
mA
mA
pF
O
I
R
C
j
R
θJL
R
θJA
T
J
T
英镑
10
-
5
130
17
75
-
5.0
C / W
O
O
- 65至+ 125
- 65至+ 150
- 65至+ 150
C
C
注2 :测量在4.0V DC为1MHz和应用反向电压
版本: E11
额定值和特性曲线( SS22 THRU SS215 )
2.5
平均正向
a
电流(A )
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
50
图。 2 - 最大非重复正向
浪涌电流
峰值正向浪涌
A
电流(A )
8.3ms单半正弦
波JEDEC的方法
额定TL
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
50
60
70
80
90
100
110
120
o
40
30
20
10
0
1
10
SS22-SS24
SS25-SS215
电阻或
感性负载
130
140
150
160
100
引线温度(℃ )
循环次数在60赫兹
图。 3-典型正向特性
100
正向
A
电流(A )
TA=25
o
C
瞬时反向
A
电流(mA )
100
图。 4- TYPICALREVERSE特性
SS22-SS24
SS25-SS215
10
TA=125℃
10
SS25-SS26
1
1
SS22-
SS29-SS210
0.1
TA=75℃
0.1
SS215
脉冲宽度= 300US
1 %占空比
0.01
TA=25℃
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
1.6
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
正向电压。 (V )
1.4
1999额定峰值反向VOLYAGE百分比(% )
图。 5典型结电容
1000
结电容(pF )
a
图。 6典型的瞬态热
退化特征
100
瞬态热
阻抗(
/W)
TA25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
10
100
1
10
0.1
SS29-SS215
SS22-SS24
SS25-SS26
0.1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压( V)
T-脉冲持续时间。 (秒)
版本: E11
星合电子
XINGHE ELECTRONICS
1
GAOMI XINGHE ELECTRONICSCO.,LTD.    WWW.SDDZG.COM     TEL:0536-2210359       QQ:464768017
星合电子
XINGHE ELECTRONICS
2
GAOMI XINGHE ELECTRONICSCO.,LTD.    WWW.SDDZG.COM     TEL:0536-2210359       QQ:464768017
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SS215
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
SS215
CJ(长电/长晶)
25+
15568
SMAG
全系列封装原装正品★肖特基二极管
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885514887 复制

电话:0755-83987779
联系人:洪小姐
地址:福田区中航路都会电子城2C020A室(本公司可以开13%增票,3%增票和普票)
SS215
TSC
2023+PB
60000
Sub SMA
★专业经营贴片二,三极管,桥堆★现货库存低价抛售★
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:657995889 复制

电话:0755*83682918
联系人:林小姐
地址:深圳市福田区华强花园A座30E
SS215
JINGDAO/晶导
22+
16000
SMADO-214AC
原装正品自家库存
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
SS215
TSC
2019
30000
DO-214AA
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
SS215
Taiwan Semiconductor Corporation
24+
10000
DO-214AA(SMB)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SS215
CROWNPO
2443+
23000
SMB
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SS215
晶导微
24+
18650
SMA
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
SS215
TSC
24+
30000
SMB(DO-214AA)
进口原装大量现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
SS215
TSC/台半
22+
33000
DO-214AA
百分百进口正品原装现货 支持实单!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
SS215
CROWNPO
24+
21000
SMB
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