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SS115
1.0 AMP 。表面贴装肖特基整流器
电压范围
150伏
当前
1.0安培
特点
a
a
a
a
a
a
a
a
对于表面安装应用程序
金属与硅整流,多数载流子传导
低正向压降
方便取放
高浪涌电流能力
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V -O
外延建设
高温焊接:
o
260℃ / 10秒码头
SMA/DO-214AC
.062(1.58)
.050(1.27)
.111(2.83)
.090(2.29)
.187(4.75)
.160(4.06)
机械数据
a
a
a
a
a
案例:模压塑料
码头:焊接镀
极性:由阴极频带指示
包装:每EIA STD RS - 481 12毫米带
重量: 0.064克
.091(2.30)
.078(1.99)
.012(.31)
.006(.15)
.008(.20)
.004(.10)
.210(5.33)
.195(4.95)
.056(1.41)
.035(0.90)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
评价在25±环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
符号
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
(参见图1)
峰值正向浪涌电流, 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
最大正向电压
O
(注1 )
@ 25 C
1.0A
O
@ 125℃ 1.0A
O
@ 25°C 2.0A
O
@ 125℃ 2.0A
反向电流最大DC
@ T
A
=25+
at
SS115
150
105
150
1.0
30
0.82
0.67
0.89
0.75
0.05
0.5
50
20
-65到+150
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
V
mA
mA
pF
+/W
+
+
额定阻断电压DC
@ T
A
=125+
典型结电容(注3 )
典型热阻(注2 )
工作温度范围
存储温度范围
I
R
Cj
R
JL
T
J
T
英镑
笔记
:
与PW = 300微秒1.脉冲测试, 1 %占空比
2.在测量PCB板上有0.2× 0.2 “ ( 5.0× 5.0毫米)铜焊盘区。
3.测量4.0V DC应用反向电压,在1 MHz和
- 908 -
额定值和特性曲线( SS115 )
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
1.0
50
电阻或
感性负载
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流。 ( A)
平均正向电流。 ( A)
40
额定TL
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
30
.50
20
10
印刷电路板安装在0.2X0.2"
( 5.0X5.0mm )铜焊盘区
0
50
60
70
80
90
100
110
120
130
o
0
140
150
160
170
1
10
循环次数在60Hz
100
焊接温度。 ( C)
FIG.3-典型正向特性
50
FIG.4-典型的反向特性
100
Tj=125
0
C
瞬时正向电流。 ( A)
10.0
瞬时反向电流。 (MA )
10
Tj=125
0
C
1
1
Tj=25
0
C
0.1
Tj=25
0
C
0.1
脉冲宽度= 300秒
1 %占空比
0.01
0.01
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向电压。 (V )
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 (%)
FIG.5-典型结电容
400
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
结电容。 (PF )
100
10
.1
1.0
的反向电压。 (V )
10
100
- 21 -
威伦
1.0AMP肖特基势垒整流器
SMA封装
特点
*适合表面安装应用程序
*低漏电流
*冶金结合建设
*高可靠性
*符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SS12
THRU
无铅产品
SS120
机械数据
*案例:模压塑料
*环氧: UL 94V -O率阻燃
*安装位置:任意
*重量: 0.066克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
典型热阻
典型结电容
(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
特征
最大正向电压在1.0A DC
在最大平均反向电流
额定阻断电压DC
@TA=25℃
@TA=25℃
@TA=100℃
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
R
θJC
C
J
T
J
T
英镑
70
60
-55到+125
-55到+150
SYMBOL SS12 SS13 SS14 SS15 SS16 SS18 SS110 SS115 SS120
SS12 SS13 SS14 SS15 SS16 SS18 SS110 SS115 SS120
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
1.0
30.0
70
30
50
35
80
56
80
100
70
100
150
105
150
200
140
200
安培
安培
℃/W
℃/W
P
F
单位
单位
毫安
SYMBOL SS12 SS13 SS14 SS15 SS16 SS18 SS110 SS115 SS120
V
F
I
R
0.50
0.5
10.0
0.70
0.85
0.87
0.2
5.0
0.90
注意: 1.Measured在1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2009.11
威伦电子股份有限公司。
威伦
1.0AMP肖特基势垒整流器
图。 1 ,典型正向电流降额曲线
SS12
THRU
SMA封装
无铅产品
图。 2 ,典型正向特性
SS120
2.0
正向电流(A )
100.00
SS12~SS14
SS15~SS16
SS18~SS110
平均正向电流( A)
1.6
10.00
SS115~SS120
1.2
1.00
0.8
0.10
0.4
0.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度( ℃ )
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向电压( V)
图。 3最大非重复正向浪涌电流
50
图。 4 ,典型的反向特性
100.000
峰值正向浪涌电流( A)
反向漏电流(mA)
40
10.000
30
1.000
100℃
20
0.100
10
0.010
0
1
10
循环次数在60Hz
100
0.001
20%
40%
25℃
60%
80%
100%
百分比额定峰值反向电压( % )
图。 5 ,典型结电容
200
结电容(pF )
SS12~SS14
150
SS15~SS16
SS18~SS110
SS115~SS120
100
50
0
0
1
10
100
反向电压( V)
2009.11
威伦电子股份有限公司。
CREAT的艺术
SMA/DO-214AC
1.0AMP表面贴装肖特基整流器
SS12 - SS115
Pb
RoHS指令
合规
特点
UL认证文件# E- 326243
对于表面安装应用程序
方便取放
金属与硅整流,多数载流子传导
低功耗,高效率
高电流能力,低VF
高浪涌电流能力
塑料用物质载体包销商
实验室Classigication 94V- 0
外延建设
高温焊接保证: 260 ℃
在码头/ 10秒
可靠性高年级( ACE - Q101标准)
对包装后缀"G"绿色复合
代码&的日期代码前缀"G"
机械数据
案例: JEDEC SMA / DO- 214AC模压塑料
终端:纯锡电镀,无铅
极性:由阴极频带指示
包装:每EIA STD 12毫米带RS - 481
重量: 0.066克
尺寸以英寸(毫米)
标记图
SS1X
G
Y
M
=具体设备守则
=绿色复合
=年
=工作月
最大额定值和电气特性
等级25
环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
类型编号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流, 8.3ms单一正弦半
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压(注1 )
@ 1.0A @ 25℃
@ 1.0A @100℃
最大反向电流@额定VR牛逼
A
=25
T =100℃
A
T =125
A
典型结Capecitance (注2 )
典型热阻(注3 )
工作温度范围
存储温度范围
注1 :与PW = 300U秒脉冲测试, 1 %占空比
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
SS
12
20
14
20
SS
13
30
21
30
SS
14
40
28
40
SS
15
50
35
50
1.0
30
SS
16
60
42
60
SS
19
90
63
90
SS
110
100
70
100
SS
115
150
105
150
单位
V
V
V
A
A
V
F
0.5
0.4
0.4
0.75
0.65
0.80
0.70
0.1
0.95
0.85
V
mA
mA
mA
pF
O
I
R
C
j
R
θJL
R
θJA
T
J
T
英镑
10
-
5
-
50
28
88
-
2
C / W
O
O
- 65至+ 125
- 65至+ 150
- 65至+ 150
C
C
注2 :测量4.0V DC应用逆向Voltagr在1 MHz和
注3 :安装在Cu -垫规格5mm × 5毫米上P.C.B.
版本: G11
额定值和特性曲线( SS12 THRU SS115 )
图1正向电流降额CUURVE
平均正向电流
(A)
1.2
1
电阻或
电感
峰值正向浪涌
电流(A )
40
图。 2最大非重复正向
浪涌电流
8.3ms单半
正弦波
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
60
70
SS12-SS14
SS15-SS115
30
20
10
0
80
90 100 110 120 130 140
焊接温度(
o
C)
150
160
170
1
10
循环次数在60赫兹
100
图。 3典型的正向特性
100
瞬时反向电流(mA )
正向电流
(A)
图。 4典型的反向特性
100
SS12-SS14
SS15-SS115
TA=125℃
10
10
SS15-SS16
1
1
SS12-SS14
SS115
0.1
TA=75℃
0.1
SS19-SS110
0.01
TA=25℃
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
正向电压( V)
1.2
1.4
1.6
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压( % )
图。 5典型结电容
图。 6典型的瞬态热阻抗
100
1000
SS12-SS14
SS15-SS16
SS19-SS115
瞬态热
阻抗(
/W)
电容(pF)
10
100
TA=25℃
f=1.0MHz
Vslg=50mV
1
10
0.1
1
10
100
反向电压( V)
0.1
0.01
0.1
1
T-脉冲持续时间(S )
10
100
版本: G11
SS12 SS115通
肖特基势垒整流器器
产品概述
1.0Amp表面贴装
SMA/DO-214AC
特点
对于表面安装应用程序

方便取放

金属与硅整流,多数载流子传导

低功耗,高效率

高电流能力,低VF

高浪涌电流能力

塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0

外延建设

高温焊接:
260
o
C / 10秒码头
尺寸以英寸(毫米)
MECANICAL数据
案例: JEDEC SMA / DO- 214AC模压塑料

终端:纯锡电镀,无铅

极性:由阴极频带指示

包装:每EIA STD RS - 481 12毫米带

重量: 0.066克
无铅;符合RoHS标准
12/12/2007 Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
1
SS12 SS115通
最大额定值和电气特性
o
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
(参见图1)
峰值正向浪涌电流, 8.3 ms单
半正弦波叠加额定
负荷(JEDEC的方法)
最大正向电压
o
(注1 )
IF = 1.0A @ 25℃
o
@ 100 C
o
反向电流最大DC
@ T
A
=25
C上
o
额定阻断电压DC
@ T
A
=125
C
最大DC反向电流在VR = 33V
o
&放大器;
T
A
=50
C
典型结电容(注3 )
典型热阻(注2 )
符号SS
12
20
V
RRM
14
V
RMS
20
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
HT
IR
Cj
SS
13
30
21
30
SS
14
40
28
40
SS
15
50
35
50
SS
16
60
42
60
SS
19
90
63
90
SS
110
100
70
100
SS
单位
115
150
V
105
V
150
V
A
A
1.0
30
0.5
0.4
0.4
10
-
50
28
88
5.0
0.75
0.65
0.80
0.95
0.70
0.85
0.1
2.0
5.0
V
mA
mA
uA
pF
o
R
θJL
R
θJA
工作温度范围
T
J
-65到+125
-65到+150
存储温度范围
T
英镑
-65到+150
注意事项:
与PW = 300微秒1.脉冲测试, 1 %占空比
2.测对PC板0.2 “ ×0.2 ” ( 5.0毫米X 5.0毫米)铜焊盘区。
3.测量4.0V DC应用反向电压,在1 MHz和
C / W
o
o
C
C
12/12/2007 Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
2
SS12 SS115通
收视率和特性曲线
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
1.0
50
电阻或
感性负载
SS12- SS14
SS15-SS115
0.5
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流。 ( A)
平均正向电流。 ( A)
40
额定TL
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
30
20
10
印刷电路板安装在0.2X0.2"
( 5.0X5.0mm )铜焊盘区
0
50
60
70
80
90
100
110
120
130
o
0
140
150
160
170
1
焊接温度。 ( C)
10
循环次数在60Hz
100
FIG.3-典型正向特性
100
50
FIG.4-典型的反向特性
SS12-SS14
SS15-SS115
瞬时反向电流。 (MA )
SS19-SS110
10
SS15-SS16
瞬时正向电流。 ( A)
10
SS12-SS14
Tj=125
0
C
1
1
SS115
0.1
Tj=75
0
C
0.1
0.01
TJ = 25℃
O
脉冲宽度= 300秒
1 %占空比
0.01
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向电压。 (V )
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 (%)
FIG.5-典型结电容
瞬态热阻抗。 (
O
C / W )
400
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
FIG.6-典型瞬态热
特征
100
结电容。 (PF )
100
SS12-SS14
SS15-SS16
SS19-SS115
10
1
10
0.1
1.0
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
T,脉冲持续时间。 (秒)
100
的反向电压。 (V )
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而,硅标准公司不做任何
担保或保证,明示或暗示,作为对这些信息的可靠性,准确性,及时性或完整性不承担任何
其使用的责任,或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因,任何产品进行更改的权利,包括
无需在可靠性,功能或设计限制的增强。没有获发牌照,无论明示或暗示,就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品,任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
12/12/2007 Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
3
SS115
1.0 AMP 。表面贴装肖特基整流器
电压范围
150伏
当前
1.0安培
特点
a
a
a
a
a
a
a
a
对于表面安装应用程序
金属与硅整流,多数载流子传导
低正向压降
方便取放
高浪涌电流能力
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V -O
外延建设
高温焊接:
o
260℃ / 10秒码头
SMA/DO-214AC
.062(1.58)
.050(1.27)
.111(2.83)
.090(2.29)
.187(4.75)
.160(4.06)
机械数据
a
a
a
a
a
案例:模压塑料
码头:焊接镀
极性:由阴极频带指示
包装:每EIA STD RS - 481 12毫米带
重量: 0.064克
.091(2.30)
.078(1.99)
.012(.31)
.006(.15)
.008(.20)
.004(.10)
.210(5.33)
.195(4.95)
.056(1.41)
.035(0.90)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
评价在25±环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
符号
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
(参见图1)
峰值正向浪涌电流, 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
最大正向电压
O
(注1 )
@ 25 C
1.0A
O
@ 125℃ 1.0A
O
@ 25°C 2.0A
O
@ 125℃ 2.0A
反向电流最大DC
@ T
A
=25+
at
SS115
150
105
150
1.0
30
0.82
0.67
0.89
0.75
0.05
0.5
50
20
-65到+150
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
V
mA
mA
pF
+/W
+
+
额定阻断电压DC
@ T
A
=125+
典型结电容(注3 )
典型热阻(注2 )
工作温度范围
存储温度范围
I
R
Cj
R
JL
T
J
T
英镑
笔记
:
与PW = 300微秒1.脉冲测试, 1 %占空比
2.在测量PCB板上有0.2× 0.2 “ ( 5.0× 5.0毫米)铜焊盘区。
3.测量4.0V DC应用反向电压,在1 MHz和
- 908 -
额定值和特性曲线( SS115 )
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
1.0
50
电阻或
感性负载
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流。 ( A)
平均正向电流。 ( A)
40
额定TL
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
30
.50
20
10
印刷电路板安装在0.2X0.2"
( 5.0X5.0mm )铜焊盘区
0
50
60
70
80
90
100
110
120
130
o
0
140
150
160
170
1
10
循环次数在60Hz
100
焊接温度。 ( C)
FIG.3-典型正向特性
50
FIG.4-典型的反向特性
100
Tj=125
0
C
瞬时正向电流。 ( A)
10.0
瞬时反向电流。 (MA )
10
Tj=125
0
C
1
1
Tj=25
0
C
0.1
Tj=25
0
C
0.1
脉冲宽度= 300秒
1 %占空比
0.01
0.01
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向电压。 (V )
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 (%)
FIG.5-典型结电容
400
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
结电容。 (PF )
100
10
.1
1.0
的反向电压。 (V )
10
100
- 21 -
SS12 - SS115
1.0 AMP 。表面贴装肖特基整流器
SMA/DO-214AC
特点
对于表面安装应用程序
方便取放
金属与硅整流,多数载流子传导
低功耗,高效率
高电流能力,低VF
高浪涌电流能力
塑料用物质载体包销商
实验室分类94V- 0
外延建设
高温焊接:
260
o
C / 10秒码头
机械数据
案例: JEDEC SMA / DO- 214AC模压塑料
终端:纯锡电镀,无铅
极性:由阴极频带指示
包装:每EIA STD RS - 481 12毫米带
重量: 0.066克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
等级25
o
C环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
符号SS SS SS SS
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
L
(参见图1)
峰值正向浪涌电流, 8.3 ms单
半正弦波叠加额定
负荷(JEDEC的方法)
最大正向电压
o
(注1 )
IF = 1.0A @ 25℃
@ 100
o
C
o
反向电流最大DC
@ T
A
=25
C上
o
额定阻断电压DC
@ T
A
=125
C
最大DC反向电流在VR = 33V
&放大器;
T
A
=50
o
C
典型结电容(注3 )
典型热阻(注2 )
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
HT
IR
Cj
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
SS
16
60
42
60
SS
19
90
63
90
SS
110
100
70
100
SS
单位
115
150
V
105
V
150
V
A
A
1.0
30
0.5
0.4
0.4
10
-
50
28
88
5.0
0.75
0.65
0.80
0.95
0.70
0.85
0.1
2.0
5.0
V
mA
mA
uA
pF
o
R
θJL
R
θJA
工作温度范围
T
J
-65到+125
-65到+150
存储温度范围
T
英镑
-65到+150
注意事项:
与PW = 300微秒1.脉冲测试, 1 %占空比
2.测对PC板0.2 “ ×0.2 ” ( 5.0毫米X 5.0毫米)铜焊盘区。
3.测量4.0V DC应用反向电压,在1 MHz和
C / W
o
o
C
C
- 32 -
版本: C07
额定值和特性曲线( SS12 THRU SS115 )
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
1.0
50
电阻或
感性负载
SS12- SS14
SS15-SS115
0.5
FIG.2-最大非重复正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流。 ( A)
平均正向电流。 ( A)
40
额定TL
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
30
20
10
印刷电路板安装在0.2X0.2"
( 5.0X5.0mm )铜焊盘区
0
50
60
70
80
90
100
110
120
130
o
0
140
150
160
170
1
焊接温度。 ( C)
10
循环次数在60Hz
100
FIG.3-典型正向特性
100
50
FIG.4-典型的反向特性
SS12-SS14
SS15-SS115
瞬时反向电流。 (MA )
SS19-SS110
10
SS15-SS16
瞬时正向电流。 ( A)
10
SS12-SS14
Tj=125
0
C
1
1
SS115
0.1
Tj=75
0
C
0.1
0.01
TJ = 25℃
O
脉冲宽度= 300秒
1 %占空比
0.01
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向电压。 (V )
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分比额定峰值反向电压。 (%)
FIG.5-典型结电容
瞬态热阻抗。 (
O
C / W )
400
Tj=25
0
C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
FIG.6-典型瞬态热
特征
100
结电容。 (PF )
100
SS12-SS14
SS15-SS16
SS19-SS115
10
1
10
0.1
1.0
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
T,脉冲持续时间。 (秒)
100
的反向电压。 (V )
版本: C07
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