PF805-04
SRM20V100LLMX
7
SRM20V100LLMX
7
1M位的静态RAM
ge
LTA
武
瓦特比S
罗PE CT
ODU
Pr
s
描述
q
低电源电压
q
工作温度范围宽
q
低电源电流
q
访问时间为70ns （ 2.7V ）
q
131,072字× 8位异步
该SRM20V100LLMX
7
为131072字× 8位异步，静态随机存取存储器上的单片
CMOS芯片。其极低的待机功率要求使该器件非常适用于需要非易失性存储应用
带后备电池。 -25到85° C的工作温度范围使其非常适用于便携式设备。
内存异步和静态性质，无需外部时钟或刷新电路。无论是
输入和输出端口是TTL兼容的3态输出可以轻松扩展存储容量。
s
特点
q
使用温度范围宽..... -25 85°C
q
快速访问时间................. SRM20V100LLMX
7
70ns的（最大）
q
低电源电流..............待机： 0.6μA （典型值） ： LL版
0.3μA （典型值） ： SL版
操作： 8毫安/ 1MHz的（典型值）
q
完全静态.................无时钟要求
q
电源电压..................... 2.7V至3.6V
q
TTL兼容的输入和输出
q
用线或能力3态输出
q
非易失性存储装置与备用电池
SOP6-32pin （塑料）
q
套餐...... SRM20V100LLMX
7
SRM20V100LLTX
7
TSOP （
I
） -32pin （塑料）
SRM20V100LLRX
7
TSOP （
I
） -32pin -R1 （塑料）
SRM20V100LLKX
7
超薄TSOP （
I
） -32pin （塑料）
SRM20V100LLYX
7
超薄TSOP （
I
） -32pin -R1 （塑料）
s
引脚配置
(SOP6)
北卡罗来纳州
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/01
I/02
I/03
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/08
I/07
I/06
I/05
I/04
SRM20V100LLMT
（ TSOP /超薄TSOP ）
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
V
DD
北卡罗来纳州
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/08
I/07
I/06
I/05
I/04
V
SS
I/03
I/02
I/01
A0
A1
A2
A3
SRM20V100LLTX/KX
s
框图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS1
CS2
10
X解码器
(TSOP-R1/Slim-TSOP-R1)
1024
存储单元阵列
1024×128×8
128×8
7
128
列门
A4
A5
A6
A7
A12
A14
A16
北卡罗来纳州
V
DD
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
SRM20V100LLRX/YX
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A3
A2
A1
A0
I/01
I/02
I/03
V
SS
I/04
I/05
I/06
I/07
I/08
CS1
A10
OE
地址缓冲器
Y
解码器
CS1，CS2
芯片
控制
8
针
描述
A0到A16地址输入
WE
写使能
OE
OUTPUT ENABLE
CS1 ， CS2片选
I / O1到I / O8数据I / O
V
DD
电源（ 2.7V至3.6V ）
V
SS
电源（0V）
。 。
无连接
OE
WE
OE ， WE
芯片
控制
I / O缓冲器
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4 I / O5 I / O6 I / O7 I / O8
1
s
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输入/输出电压
功耗
工作温度
储存温度
焊接温度和时间
T
六，
(V
SS
= 0V)
评级
-0.5到4.6
-0.5到V
DD
+0.3
-0.5到V
DD
+0.3
0.5
-25到85
-65到150
260 ° C， 10秒（以铅）
符号
V
DD
V
I
V
I / O
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
单位
V
V
V
W
°C
°C
—
VI / O （最小值） = -3.0V （脉冲宽度为50ns ）
s
DC推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
T
If
符号
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
条件
—
—
—
—
分钟。
2.7
0
2.2
–0.3
T
(V
SS
= 0V ，TA = -25至85°C ）
典型值。
马克斯。
单位
V
3.0
3.6
V
0
0
V
—
V
DD
+0.3
0.4
V
—
脉冲宽度是小于50ns ，则-3.0V
s
电气特性
q
DC电气特性
参数
输入漏
输出漏
符号
I
LI
I
LO
I
DDS
待机电源电流
I
DDS1
I
DDA
平均工作电流
I
DDA1
工作电源电流
高电平输出电压
低电平输出电压
I
DDO
V
OH
V
OL
条件
V
I
= 0至V
DD
CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
或WE = V
IL
或OE = V
IH
, V
IO
= 0至V
DD
CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
CS1 = CS2≥V
DD
—0.2V
或CS2≤0.2V
V
I
= V
IL
, V
IH
I
I / O
= 0毫安，T
CYC
=最小值。
V
I
= V
IL
, V
IH
I
I / O
= 0毫安，T
CYC
= 1s
V
I
= V
IL
, V
IH
I
I / O
= 0毫安
V
DD
≥3V,
I
OH
= -2.0mA
I
OH
= –100A
V
DD
≥3V,
I
OL
= -2.0mA
I
OL
= 100A
DD
=3.0V
(V
DD
= 2.7 3.6V ，V
SS
= 0V ，TA = -25至85°C ）
分钟。
–1
–1
—
LL
SL
—
—
—
—
—
2.4
V
DD
—0.2
—
—
Typ.T
—
—
—
0.6
0.3
20
8
8
—
—
—
—
马克斯。
1
1
1.0
60
30
35
15
15
—
—
0.4
0.2
单位
A
A
mA
A
mA
mA
mA
V
V
T
典型值是在TA = 25°C和V
q
终端电容
参数
地址容量
输入电容
I / O容量
符号
C
添加
C
I
C
I / O
条件
V
添加
=0V
V
I
=0V
V
I / O
=0V
分钟。
—
—
—
典型值。
—
—
—
（ F = 1MHz时， TA = 25 ° C）
马克斯。
8
8
10
单位
pF
pF
pF
2
q
时序图
RREAD
cylcle
T1
地址
t
加
t
ACS1
CS1
t
CLZ1
t
ACS2
CS2
t
CLZ2
t
OE
t
OLZ
DOUT
t
OHZ
t
CHZ1
t
CHZ2
WE
t
CLZ1
DOUT
t
DW
DIN
t
DH
t
OH
地址
CS1
CS2
t
WR
t
WHZ
t
AS
t
AW
t
CW1
t
WR
t
RC
RWRITE
周期（1）（ CS1控制）
T2
t
WC
OE
RWRITE
周期（2）（ CS2控制）
T2
t
WC
地址
t
AW
t
CW2
CS1
t
AS
CS2
WE
t
WHZ
DOUT
t
CLZ2
DIN
t
DW
t
DH
t
WP
t
WR
RWRITE
周期（ 3 ） （我们控制）
T3, T4
t
WC
地址
t
AW
CS1
t
AS
CS2
t
WP
WE
t
WHZ
DOUT
DIN
t
DW
t
OW
t
DH
t
WR
注： 1。在读周期时间，我们是要"H"水平。
2.在写周期时间由CS1或CS2控制，输出缓冲器处于高阻抗状态， OE水平是否"H"或"L" 。
3.在写由我们控制周期时间，输出缓冲器为高阻状态，如果OE是"H"水平。
4.当I / O端子的输出模式，要小心，不给对面信号到I / O端子。
q
采用低压供电的电网数据保持特性
(V
SS
= 0V ，TA = -25至85°C ）
参数
数据保持电源电压
数据保持电流
芯片选择数据保持时间
手术恢复时间
T
Ta
符号
V
DDR
I
DDR
t
CDR
t
R
条件
分钟。
2.0
典型值。
—
0.5
T
0.25
T
—
—
马克斯。
3.6
50
单位
V
A
V
DD
= 2.7V
CS1 = CS2≥V
DD
—0.2V
或CS2≤0.2V
LL
SL
—
—
0
5
25
—
—
ns
ms
= 25°C
数据保持时间
V
DD
t
CDR
CS1
2.7V
（ CS1控制）
2.7V
t
R
CS1≥V
DD
—0.2V
数据保持时间
V
DD
t
CDR
2.7V
（ CS2控制）
2.7V
t
R
数据保持模式
V
DDR
≥2.0V
数据保持模式
V
DDR ，
2.0V
V
IH
V
IH
CS2
V
IL
CS2≥0.2V
V
IL
T
保持在待机状态下的数据时，电源电压可以被降低，在一定的范围内。但读或写周期
而电源电压低，不能执行。
4
SRM20V100LLMX
7
s
功能
q
真值表
CS1
H
X
L
L
L
X： "H"或"L"
CS2
X
L
H
H
H
OE
X
X
X
L
H
WE
X
X
L
H
H
数据I / O
高阻
高阻
输入数据
输出数据
高阻
模式
未选中
未选中
写
读
输出禁用
I
DD
I
DDS ，
I
DDS1
I
DDS ，
I
DDS1
I
DDO
I
DDO
I
DDO
q
读数据
数据是能在地址而保持CS1 = "L" ，CS 2 = "H" ， OE = "L"和WE = "H"设置为读取。
因为数据I / O端子是在高阻抗状态时， OE = "H" ，数据总线可用于任何
其他的目标，然后访问时间显然能够被砍伐。
q
写入数据
有以下四种方式将数据写入存储器。
（ 1 ）保持CS2 = "H" ，我们= "L" ，设置地址并给"L"脉冲CS1 。
（ 2 ）保持CS1 = "L" ，我们= "L" ，设置地址并给"H"pulse以CS2 。
（ 3 ）保持CS1 = "L" ， CS2 = "H" ，设置地址并给"L"脉冲WE 。
（ 4 ）设置地址后，给"L"脉冲CS1 ，我们并给予"H"脉冲CS2 。
无论如何，在数据I / O端子的数据被锁存起来进SRM20V100LLMX
7
在该时期结束该
CS1 ，我们是"L"水平， CS2是"H"水平。随着数据的I / O端子处于高阻状态，当任何一个
CS1， OE = "H" ，或CS 2 = "L" ，能够避免在数据总线上的竞争。
q
待机模式
当CS1为"H"或CS2为"L"水平， SRM20V100LLMX
7
是在待机状态下具有保持数据
操作。在这种情况下，数据I / O端子的Hi- Z和地址的所有输入， WE和数据可以是任何"H"或
"L" 。当CS1和CS2水平都超过V范围内
DD
-0.2V ，CS 2级是在0.2V下的范围内，在
SRM20V100LLMX
7
几乎没有电流流动，除非通过存储器的高电阻部分。
5
PF805-04
SRM20V100LLMX
7
SRM20V100LLMX
7
1M位的静态RAM
ge
LTA
武
瓦特比S
罗PE CT
ODU
Pr
s
描述
q
低电源电压
q
工作温度范围宽
q
低电源电流
q
访问时间为70ns （ 2.7V ）
q
131,072字× 8位异步
该SRM20V100LLMX
7
为131072字× 8位异步，静态随机存取存储器上的单片
CMOS芯片。其极低的待机功率要求使该器件非常适用于需要非易失性存储应用
带后备电池。 -25到85° C的工作温度范围使其非常适用于便携式设备。
内存异步和静态性质，无需外部时钟或刷新电路。无论是
输入和输出端口是TTL兼容的3态输出可以轻松扩展存储容量。
s
特点
q
使用温度范围宽..... -25 85°C
q
快速访问时间................. SRM20V100LLMX
7
70ns的（最大）
q
低电源电流..............待机： 0.6μA （典型值） ： LL版
0.3μA （典型值） ： SL版
操作： 8毫安/ 1MHz的（典型值）
q
完全静态.................无时钟要求
q
电源电压..................... 2.7V至3.6V
q
TTL兼容的输入和输出
q
用线或能力3态输出
q
非易失性存储装置与备用电池
SOP6-32pin （塑料）
q
套餐...... SRM20V100LLMX
7
SRM20V100LLTX
7
TSOP （
I
） -32pin （塑料）
SRM20V100LLRX
7
TSOP （
I
） -32pin -R1 （塑料）
SRM20V100LLKX
7
超薄TSOP （
I
） -32pin （塑料）
SRM20V100LLYX
7
超薄TSOP （
I
） -32pin -R1 （塑料）
s
引脚配置
(SOP6)
北卡罗来纳州
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/01
I/02
I/03
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/08
I/07
I/06
I/05
I/04
SRM20V100LLMT
（ TSOP /超薄TSOP ）
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
V
DD
北卡罗来纳州
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/08
I/07
I/06
I/05
I/04
V
SS
I/03
I/02
I/01
A0
A1
A2
A3
SRM20V100LLTX/KX
s
框图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS1
CS2
10
X解码器
(TSOP-R1/Slim-TSOP-R1)
1024
存储单元阵列
1024×128×8
128×8
7
128
列门
A4
A5
A6
A7
A12
A14
A16
北卡罗来纳州
V
DD
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
SRM20V100LLRX/YX
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A3
A2
A1
A0
I/01
I/02
I/03
V
SS
I/04
I/05
I/06
I/07
I/08
CS1
A10
OE
地址缓冲器
Y
解码器
CS1，CS2
芯片
控制
8
针
描述
A0到A16地址输入
WE
写使能
OE
OUTPUT ENABLE
CS1 ， CS2片选
I / O1到I / O8数据I / O
V
DD
电源（ 2.7V至3.6V ）
V
SS
电源（0V）
。 。
无连接
OE
WE
OE ， WE
芯片
控制
I / O缓冲器
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4 I / O5 I / O6 I / O7 I / O8
1
s
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输入/输出电压
功耗
工作温度
储存温度
焊接温度和时间
T
六，
(V
SS
= 0V)
评级
-0.5到4.6
-0.5到V
DD
+0.3
-0.5到V
DD
+0.3
0.5
-25到85
-65到150
260 ° C， 10秒（以铅）
符号
V
DD
V
I
V
I / O
P
D
T
OPR
T
英镑
T
SOL
单位
V
V
V
W
°C
°C
—
VI / O （最小值） = -3.0V （脉冲宽度为50ns ）
s
DC推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
T
If
符号
V
DD
V
SS
V
IH
V
IL
条件
—
—
—
—
分钟。
2.7
0
2.2
–0.3
T
(V
SS
= 0V ，TA = -25至85°C ）
典型值。
马克斯。
单位
V
3.0
3.6
V
0
0
V
—
V
DD
+0.3
0.4
V
—
脉冲宽度是小于50ns ，则-3.0V
s
电气特性
q
DC电气特性
参数
输入漏
输出漏
符号
I
LI
I
LO
I
DDS
待机电源电流
I
DDS1
I
DDA
平均工作电流
I
DDA1
工作电源电流
高电平输出电压
低电平输出电压
I
DDO
V
OH
V
OL
条件
V
I
= 0至V
DD
CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
或WE = V
IL
或OE = V
IH
, V
IO
= 0至V
DD
CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
CS1 = CS2≥V
DD
—0.2V
或CS2≤0.2V
V
I
= V
IL
, V
IH
I
I / O
= 0毫安，T
CYC
=最小值。
V
I
= V
IL
, V
IH
I
I / O
= 0毫安，T
CYC
= 1s
V
I
= V
IL
, V
IH
I
I / O
= 0毫安
V
DD
≥3V,
I
OH
= -2.0mA
I
OH
= –100A
V
DD
≥3V,
I
OL
= -2.0mA
I
OL
= 100A
DD
=3.0V
(V
DD
= 2.7 3.6V ，V
SS
= 0V ，TA = -25至85°C ）
分钟。
–1
–1
—
LL
SL
—
—
—
—
—
2.4
V
DD
—0.2
—
—
Typ.T
—
—
—
0.6
0.3
20
8
8
—
—
—
—
马克斯。
1
1
1.0
60
30
35
15
15
—
—
0.4
0.2
单位
A
A
mA
A
mA
mA
mA
V
V
T
典型值是在TA = 25°C和V
q
终端电容
参数
地址容量
输入电容
I / O容量
符号
C
添加
C
I
C
I / O
条件
V
添加
=0V
V
I
=0V
V
I / O
=0V
分钟。
—
—
—
典型值。
—
—
—
（ F = 1MHz时， TA = 25 ° C）
马克斯。
8
8
10
单位
pF
pF
pF
2
q
时序图
RREAD
cylcle
T1
地址
t
加
t
ACS1
CS1
t
CLZ1
t
ACS2
CS2
t
CLZ2
t
OE
t
OLZ
DOUT
t
OHZ
t
CHZ1
t
CHZ2
WE
t
CLZ1
DOUT
t
DW
DIN
t
DH
t
OH
地址
CS1
CS2
t
WR
t
WHZ
t
AS
t
AW
t
CW1
t
WR
t
RC
RWRITE
周期（1）（ CS1控制）
T2
t
WC
OE
RWRITE
周期（2）（ CS2控制）
T2
t
WC
地址
t
AW
t
CW2
CS1
t
AS
CS2
WE
t
WHZ
DOUT
t
CLZ2
DIN
t
DW
t
DH
t
WP
t
WR
RWRITE
周期（ 3 ） （我们控制）
T3, T4
t
WC
地址
t
AW
CS1
t
AS
CS2
t
WP
WE
t
WHZ
DOUT
DIN
t
DW
t
OW
t
DH
t
WR
注： 1。在读周期时间，我们是要"H"水平。
2.在写周期时间由CS1或CS2控制，输出缓冲器处于高阻抗状态， OE水平是否"H"或"L" 。
3.在写由我们控制周期时间，输出缓冲器为高阻状态，如果OE是"H"水平。
4.当I / O端子的输出模式，要小心，不给对面信号到I / O端子。
q
采用低压供电的电网数据保持特性
(V
SS
= 0V ，TA = -25至85°C ）
参数
数据保持电源电压
数据保持电流
芯片选择数据保持时间
手术恢复时间
T
Ta
符号
V
DDR
I
DDR
t
CDR
t
R
条件
分钟。
2.0
典型值。
—
0.5
T
0.25
T
—
—
马克斯。
3.6
50
单位
V
A
V
DD
= 2.7V
CS1 = CS2≥V
DD
—0.2V
或CS2≤0.2V
LL
SL
—
—
0
5
25
—
—
ns
ms
= 25°C
数据保持时间
V
DD
t
CDR
CS1
2.7V
（ CS1控制）
2.7V
t
R
CS1≥V
DD
—0.2V
数据保持时间
V
DD
t
CDR
2.7V
（ CS2控制）
2.7V
t
R
数据保持模式
V
DDR
≥2.0V
数据保持模式
V
DDR ，
2.0V
V
IH
V
IH
CS2
V
IL
CS2≥0.2V
V
IL
T
保持在待机状态下的数据时，电源电压可以被降低，在一定的范围内。但读或写周期
而电源电压低，不能执行。
4
SRM20V100LLMX
7
s
功能
q
真值表
CS1
H
X
L
L
L
X： "H"或"L"
CS2
X
L
H
H
H
OE
X
X
X
L
H
WE
X
X
L
H
H
数据I / O
高阻
高阻
输入数据
输出数据
高阻
模式
未选中
未选中
写
读
输出禁用
I
DD
I
DDS ，
I
DDS1
I
DDS ，
I
DDS1
I
DDO
I
DDO
I
DDO
q
读数据
数据是能在地址而保持CS1 = "L" ，CS 2 = "H" ， OE = "L"和WE = "H"设置为读取。
因为数据I / O端子是在高阻抗状态时， OE = "H" ，数据总线可用于任何
其他的目标，然后访问时间显然能够被砍伐。
q
写入数据
有以下四种方式将数据写入存储器。
（ 1 ）保持CS2 = "H" ，我们= "L" ，设置地址并给"L"脉冲CS1 。
（ 2 ）保持CS1 = "L" ，我们= "L" ，设置地址并给"H"pulse以CS2 。
（ 3 ）保持CS1 = "L" ， CS2 = "H" ，设置地址并给"L"脉冲WE 。
（ 4 ）设置地址后，给"L"脉冲CS1 ，我们并给予"H"脉冲CS2 。
无论如何，在数据I / O端子的数据被锁存起来进SRM20V100LLMX
7
在该时期结束该
CS1 ，我们是"L"水平， CS2是"H"水平。随着数据的I / O端子处于高阻状态，当任何一个
CS1， OE = "H" ，或CS 2 = "L" ，能够避免在数据总线上的竞争。
q
待机模式
当CS1为"H"或CS2为"L"水平， SRM20V100LLMX
7
是在待机状态下具有保持数据
操作。在这种情况下，数据I / O端子的Hi- Z和地址的所有输入， WE和数据可以是任何"H"或
"L" 。当CS1和CS2水平都超过V范围内
DD
-0.2V ，CS 2级是在0.2V下的范围内，在
SRM20V100LLMX
7
几乎没有电流流动，除非通过存储器的高电阻部分。
5
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