SRF820H
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI SRF820H
是专为
C高功率级放大器
应用中，在225至400兆赫
军用通信设备。
包装样式0.500 6L FLG
C
A
4
D
1
在2倍
FU LL
产品特点：
内部输入匹配网络
P
G
= 8.4分贝在70瓦/ 400兆赫
Omnigold
金属化系统
可在配对和
四边形
暗淡
2
B
G
.725/18,42
F
3
E
K
H
M尼加拉瓜妇女协会UM
英寸/ M M
M
L
J
I
M A XIM UM
英寸/ M M
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
8.0 A
60 V
30 V
4.0 V
220 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
1.25 ° C / W
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
.150 / 3.43
.045 / 1.14
.210 / 5.33
.835 / 21.21
.200 / 5.08
.490 / 12.45
.003 / 0.08
.125 / 3.18
.725 / 18.42
.970 / 24.64
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.120 / 3.05
.160 / 4.06
.220 / 5.59
.865 / 21.97
.210 / 5.33
.510 / 12.95
.007 / 0.18
.980 / 24.89
.105 / 2.67
.170 / 4.32
.285 / 7.24
.135 / 3.43
1 = COLLECTOR
2 - 基
3 & 4 =辐射源
订货编号： ASI10474
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
P
G
P
OUT
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
CB
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
30
60
4.0
5.0
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
W
I
C
= 2.0 A
F = 1.0 MHz的
P
IN
= 70 W
F = 400 MHz的
20
80
80
8.4
70
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
SRF820H
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI SRF820H
是专为
C高功率级放大器
应用中，在225至400兆赫
军用通信设备。
包装样式0.500 6L FLG
C
A
4
D
1
在2倍
FU LL
产品特点：
内部输入匹配网络
P
G
= 8.4分贝在70瓦/ 400兆赫
Omnigold
金属化系统
可在配对和
四边形
暗淡
2
B
G
.725/18,42
F
3
E
K
H
M尼加拉瓜妇女协会UM
英寸/ M M
M
L
J
I
M A XIM UM
英寸/ M M
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
8.0 A
60 V
30 V
4.0 V
220 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
1.25 ° C / W
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
.150 / 3.43
.045 / 1.14
.210 / 5.33
.835 / 21.21
.200 / 5.08
.490 / 12.45
.003 / 0.08
.125 / 3.18
.725 / 18.42
.970 / 24.64
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.120 / 3.05
.160 / 4.06
.220 / 5.59
.865 / 21.97
.210 / 5.33
.510 / 12.95
.007 / 0.18
.980 / 24.89
.105 / 2.67
.170 / 4.32
.285 / 7.24
.135 / 3.43
1 = COLLECTOR
2 - 基
3 & 4 =辐射源
订货编号： ASI10474
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
P
G
P
OUT
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
CB
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
30
60
4.0
5.0
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
W
I
C
= 2.0 A
F = 1.0 MHz的
P
IN
= 70 W
F = 400 MHz的
20
80
80
8.4
70
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
QQ：2880707522 复制
