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保护产品
描述
RailClamps被浪涌额定二极管阵列设计
保护高速数据接口。在SR系列具有
经过特别设计,以保护敏感康波
它们被连接到数据和传输堂费
过压线造成的
ESD
(静电
放电) ,
EFT
(电快速瞬变)和
宁。
在SRDA系列器件的独特设计其纳入
利率额定浪涌,低电容控向二极管和
一个TVS二极管在单个封装中。在瞬态
的条件下,所述转向二极管指示瞬态
电源线或任正侧
地面上。内部TVS二极管防止过电压
上的电源线,保护任何下游康波
堂费。
低电容阵列配置允许用户
保护两个高速数据或传输线。
低电感建设最大程度地减少电压
在高浪涌电流过冲。
RailClamp
低电容TVS二极管阵列
特点
u
用于高速数据线的瞬态保护
IEC 61000-4-2 ( ESD ) 15千伏(空气) ,具有8kV(接触)
IEC 61000-4-4 ( EFT ) 40A ( 5 / 50ns的)
IEC 61000-4-5 (闪电) 24A ( 8 / 20μS )
浪涌阵列额定二极管内部TVS二极管
保护四个I / O线&电源线
低电容( <15pF )高速接口
低操作&钳位电压
固态技术
SRDA3.3-4 THRU SRDA12-4
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
机械特性
JEDEC SO- 8封装
UL 497B上市
模塑料FL可燃性等级:UL 94V- 0
标志:产品型号,日期代码,标识
包装:管或磁带和卷轴每EIA 481
应用
USB电源&数据线路保护
T1 / E1次级IC侧保护
T3 / E3二次IC侧保护
HDSL , IDSL次级IC侧保护
视频线路保护
微控制器输入保护
基站
I
2
C总线保护
电路图
示意图&引脚CON组fi guration
I / O
REF1
1
8
REF 2
REF 1
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
2
7
I / O
REF 1
3
6
I / O
REF2
I / O
4
5
REF 2
S0-8 (顶视图)
修订二千分之九
1
www.semtech.com
SRDA3.3-4 THRU SRDA12-4
保护产品
绝对最大额定值
阿婷
峰值脉冲电网( TP = 8 /20μS )
峰值脉冲电流( TP = 8 /20μS )
山顶FORW ARD电压(I
F
= 1A , TP = 8 /20μS )
铅焊接温度erature
作品展业务的临时erature
储存温度erature
Symbo升
P
pk信息
I
PP
V
FP
T
L
T
J
T
英镑
价值
500
25
1.5
260 (10秒)
-55到+125
-55到+150
单位
A
V
°C
°C
°C
电气特性
SR DA3.3-4
1
帕AME德
反向站立-Off电压
冲-Th粗糙电压
快 - 后电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
钳位电压荷兰国际集团
钳位电压荷兰国际集团
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
PT
V
SB
I
R
V
C
V
C
V
C
C
j
I
PT
= 2 A
I
SB
= 50毫安
V
RWM
= 3.3V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μ s
I
PP
= 10A , TP = 8 / 20μ s
I
PP
= 25A , TP = 8 / 20μ s
之间的VC I / O P项和
GND
V
R
= 0V , F = 1MHz的
之间的VC I / O P程式
V
R
= 0V , F = 1MHz的
8
3.5
2.8
1
5.3
10
15
15
合作第二ITIO NS
最低
典型的iCal
最大
3.3
单位
V
V
V
A
V
V
V
pF
4
pF
注意:
( 1) SRDA3.3-4采用升特?的propri-构建
etary EPD制程技术。请参见应用部分
更多的信息。
2000升特公司
2
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SRDA3.3-4 THRU SRDA12-4
保护产品
电气特性
(续)
SR DA05-4
帕AME德
相反的立场-O FF电压
反向breakdow N个电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
钳位电压荷兰国际集团
钳位电压荷兰国际集团
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
V
C
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 5V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
I
PP
= 10A , TP = 8 / 20μs的
I
PP
= 25A , TP = 8 / 20μs的
之间的VC I / O P项和
GND
V
R
= 0V , F = 1MHz的
之间的VC I / O P程式
V
R
= 0V , F = 1MHz的
8
6
10
9.8
12
20
15
合作第二ITIO NS
最低
典型的iCal
最大
5
单位
V
V
A
V
V
V
pF
4
pF
SR DA12-4
帕AME德
相反的立场-O FF电压
反向breakdow N个电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
钳位电压荷兰国际集团
钳位电压荷兰国际集团
结帽acitance
Symbo升
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
V
C
C
j
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 12V ,T = 25°C
I
PP
= 1A , TP = 8 / 20μs的
I
PP
= 10A , TP = 8 / 20μs的
I
PP
= 20A , TP = 8 / 20μs的
之间的VC I / O P项和
GND
V
R
= 0V , F = 1MHz的
之间的VC I / O P程式
V
R
= 0V , F = 1MHz的
8
13.3
1
17
20
25
15
合作第二ITIO NS
最低
典型的iCal
最大
12
单位
V
V
A
V
V
V
pF
4
pF
2000升特公司
3
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SRDA3.3-4 THRU SRDA12-4
保护产品
典型特征
非重复性峰值脉冲功率与脉冲时间
10
110
100
功率降额曲线
峰值脉冲功率 - P
PP
( kW)的
%额定功率还是我的
PP
90
80
70
60
50
40
30
20
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
脉冲持续时间 - TP (微秒)
100
1000
0
0
25
50
75
100
o
125
150
环境温度 - T的
A
( C)
脉冲波形
110
100
90
80
百分之我
PP
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
时间(μs )
20
25
30
TD = I
PP
/2
e
-t
钳位电压与峰值脉冲电流
波形
参数:
TR = 8μs
TD = 20μS
22
20
钳位电压 - V
C
(V)
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
峰值脉冲电流 - 我
PP
(A)
波形
参数:
TR = 8μs
TD = 20μS
SRDA3.3-4
SRDA05-4
SRDA12-4
电容的变化与反向电压
0
-2
%电容变化
-4
-6
-8
-10
-12
1
-14
0
1
2
3
反向电压( V)
4
5
6
0
0
I / O至GND
F = 1MHz的
正向电压 - V
F
(V)
10
9
8
7
6
5
4
3
2
正向电压与正向电流
波形
参数:
TR = 8μs
TD = 20μS
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
正向电流 - I
F
(A)
2000升特公司
4
www.semtech.com
SRDA3.3-4 THRU SRDA12-4
保护产品
应用信息
为保护四个设备连接选项
高速铁路
该SRDA TVS设计用于保护四条数据线
从瞬时过电压被钳位它们到
固定参考。当受保护的电压
线路电压超过参考电压(加上二极管V
F
)的
控向二极管正向偏置,在进行
瞬态电流远离敏感电路。
数据线的针脚1 ,图4,图6和7分别连接
负参考连接在引脚5 & 8.这些
标签应直接连接到接地平面上
董事会以获得最佳效果。的路径长度被保持为
短越好,以减少寄生电感。
正参考连接在管脚2和3 。
用于连接正参考的选项
如下:
1.为了保护数据线和电力线,连接
销2 & 3直接到正电源轨(Ⅴ
CC
).
在这种结构中,数据线被引用
到电源电压。内部TVS二极管
防止了在电源轨的过电压。
2. SRDA可从电源通过分离
加入引脚之间2 & 3和串联电阻
V
CC
。推荐10千瓦的价值。该
内部TVS和转向二极管仍然有失偏颇,
提供更低的电容的优点。
3.在应用中没有积极的供给参考
可,还是完整的供应隔离需要,
内部瞬态抑制可以用作参考。在
这种情况下,销2 & 3不连接。该
控向二极管将开始进行时
电压保护线路超过工作
电压的TVS (加上一个二极管压降)的。
ESD保护用RailClamps
RailClamps是ESD保护利用优化
轨到轨拓扑结构。伴随着良好的电路板布局,
这些设备从根本上消除的缺点
用分立元件来实现这种拓扑结构。
请看图1,其中显示出的情况
克里特岛二极管或二极管阵列配置为轨到
在高速线导轨保护。在正
时间ESD事件,顶部二极管将正向
当被保护线路上的电压超过偏压
参考电压加上二极管的V的压降。
F
对于负面事件,底部的二极管会偏
当电压超过二极管的V 。起初
F
数据线和电源保护使用VCC AS
参考
数据线路保护与偏置和电源
隔离电阻
数据线路保护采用内部TVS二极管
参考
2000升特公司
5
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产品 - RailClamp
描述
RailClamps被浪涌额定二极管阵列设计
保护高速数据接口。该SRDA系列
经过特别设计,以保护敏感
它们被连接到数据和反式部件
过压任务线因静电
放电
( ESD ) ,
电气快速瞬变
( EFT ) ,
闪电。
独特的设计结合了浪涌额定值,低
电容控向二极管,并在一个TVS二极管
单个封装中。在瞬态条件下,该
转向二极管直接瞬态电流到地
通过内部低电压TVS 。该TVS二极管钳位
瞬态电压到一个安全水平。低电容
tance阵列配置使用户能够保护起来
四个高速数据线。
该SRDA3.3-4使用构造Semtech的
环保署专有工艺技术。环保署过程
提供低对峙电压与显著reduc-
在漏电流和电容超过含硅系统蒸发散
雪崩二极管的过程。它们的特点是一个真正的
3.3伏卓越的保护工作电压。
这些器件采用8引脚SOIC封装。据测
祖雷斯贝尔3.9× 4.9毫米。它们可与锡铅或
符合RoHS / WEEE标准雾锡铅完成。高
浪涌能力(IPP = 25A , TP = 8 / 20μs的)意味着它可以
在这样的应用中使用高威胁环境
的CO / CPE设备,通信线路,并
视频线。
RailClamp
低电容TVS阵列
特点
用于高速数据线的瞬态保护
IEC 61000-4-2 ( ESD )具有±15kV (空气) ,具有±8kV (接触)
IEC 61000-4-4 ( EFT ) 40A ( 5 / 50ns的)
IEC 61000-4-5 (闪电) 24A ( 8 / 20μS )
浪涌阵列额定二极管内部TVS二极管
保护四个I / O线
低电容( <15pF )高速接口
低工作电压:
3.3V
低钳位电压
固态技术
SRDA3.3-4
机械特性
JEDEC SOIC -8封装
铅表面处理:锡铅或雾锡
模塑料FL可燃性等级:UL 94V- 0
标志:产品型号,日期代码,标识
包装:磁带和卷轴每EIA 481
应用
T1 / E1次级IC侧保护
T3 / E3二次IC侧保护
模拟视频保护
微控制器输入保护
基站
I
2
C总线保护
电路图
原理图和引脚配置
2, 3
I / O 1
1
8
GND
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
NC
2
7
I / O 4
NC
5, 8
3
6
I / O 3
I / O 2
4
5
GND
S0-8 (顶视图)
修订08年1月15日
www.semtech.com
1
SRDA3.3-4
保护产品
绝对最大额定值
阿婷
峰值脉冲功率(T
p
= 8/20
μ
s)
峰值脉冲电流(T
p
= 8/20
μ
s)
铅焊接温度erature
作品展业务的临时erature
储存温度erature
符号
P
pk信息
I
P P
T
L
T
J
T
英镑
价值
500
25
260 (10秒)
-40至+85
-55到+150
单位
A
°C
°C
°C
电气特性(T = 25
o
C)
SR DA3.3-4
参数
相反的立场-O FF电压
击穿电压
快 - 后电压
反向漏电流
钳位电压荷兰国际集团
钳位电压荷兰国际集团
钳位电压荷兰国际集团
结帽acitance
符号
V
RWM
V
PT
V
SB
I
R
V
C
V
C
V
C
C
j
I
PT
= 2
μ
A
I
SB
= 50毫安
V
RWM
= 3.3V ,T = 25°C
I
PP
= 1A ,T
p
= 8/20
μ
s
I
PP
= 10A ,T
p
= 8/20
μ
s
I
PP
= 25A ,T
p
= 8/20
μ
s
I / O P程式之间
V
R
= 0V , F = 1MHz的
I / O P程式之间
V
R
= 0V , F = 1MHz的
8
3.5
2.8
1
5.3
10
15
15
条件
最低
典型
最大
3.3
单位
V
V
V
μ
A
V
V
V
pF
4
pF
2008 Semtech公司公司
2
www.semtech.com
SRDA3.3-4
保护产品
典型特征
非重复性峰值脉冲功率与脉冲时间
10
峰值脉冲功率 - P
pk
( kW)的
功率降额曲线
110
100
%额定功率,或
PP
I
90
80
70
60
50
40
30
20
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
脉冲持续时间 - 吨
p
(s)
100
1000
0
0
25
50
75
100
o
125
150
环境温度 - T的
A
( C)
脉冲波形
110
100
90
80
百分之我
PP
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
时间(μs )
20
25
30
TD = I
PP
/2
e
-t
钳位电压与峰值脉冲电流
波形
参数:
TR = 8μs
TD = 20μS
20
18
钳位电压 - 维生素C (V )
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
峰值脉冲电流 - IPP ( A)
波形
参数:
TR = 8
s
TD = 20μS
归一化的结电容
与反向电压
1.04
1.02
1
CJ ( VR ) / CJ ( VR = 0 )
0.98
0.96
0.94
0.92
0.9
0.88
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
反向电压 - VR (V )
2008 Semtech公司公司
3
www.semtech.com
SRDA3.3-4
保护产品
应用信息
为保护四个设备连接选项
高速数据线
这些设备旨在保护低电压数据
线在3.3伏特操作。当该电压
保护线路电压超过击穿或“接通”
在TVS二极管的电压,转向二极管
正向偏置,进行瞬态电流远
从敏感电路。
数据线的针脚1 ,图4,图6和7的引脚5连接
和8应直接连接到地平面。
路径长度保持尽可能短,以
减小寄生电感。
需要注意的是引脚2和3在内部连接到
阴极低电压TVS的。所以不推荐
这些引脚直接连接到直流源
比卡回votlage更大(V
SB
)作为设备
如下所述可锁住。
EPD TVS特点
这些设备的构造采用了升特公司
环保署专有技术。利用环保署技
术中, SRDA3.3-4能有效地工作在3.3V
同时保持优良的电气特性。
环保署TVS在采用了复杂的nppn结构
相反的pn结构传统通常发现
tional硅雪崩TVS二极管。由于环保署
TVS器件使用的4层结构,它们显示出
相比稍有不同的IV特性曲线
传统设备。在正常操作期间,该
装置代表一个高阻抗的电路到
该器件的工作电压(V
RWM
) 。在ESD
事件时,设备将开始导通,并将输入
低阻抗状态时,通过电压的冲
(V
PT
)被超过。不同于传统的装置中,所述低
TVS的电压会表现出轻微的负阻
特性,它传导电流。这characteris-
抽动有助于降低器件的钳位电压,
但是,必须在应用中的DC被认为
电压存在。
当TVS导通电流时,它会表现出
轻微的“扣回”或负性characteris-
抽动由于它的结构。这点上定义的
由阶跃恢复电压曲线(V
SB
)和扣回
2008 Semtech公司公司
4
数据线路保护采用内部TVS二极管
参考
EPD TVS IV特性曲线
I
PP
I
SB
I
PT
V
BRR
I
R
V
RWM
V V V
C
SB
PT
I
BRR
电流(I
SB
) 。返回到非导通状态时,所述
电流通过该设备必须低于我
SB
(约<50毫安)和电压必须低于
在V
SB
(通常2.8伏3.3V器件) 。如果一个3.3V
TVS连接到3.3V的直流电源,它永远不会落下
低于2.8V的扣回电压将因此
留在一个导通状态。
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SRDA3.3-4
保护产品
典型应用
LC01-6
8
5
1
4
SRDA3.3-4
LC01-6
T1 / E1接口保护( GR- 1089长距离)
2008 Semtech公司公司
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SRDA3.3-4.TB
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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SEMTECH
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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电话:021-51872165/51872153
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23000
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