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SMA5817-SMA5819
机械数据
表面贴装
肖特基势垒整流器
电压范围 - 2080伏特电流 - 1.0安培
特点
*主义理想的表面安装应用程序
*低漏电流
*玻璃钝化结
*案例:模压塑料
*环氧: UL 94V- 0利率FL火焰阻燃
*码头:焊接镀每焊
MIL- STD- 750 ,方法2026
*极性:标
*安装位置:任意
*重量: 0.064克
.062(1.60)
.055(1.40)
.181(4.60)
.157(4.00)
.114(2.90)
.098(2.50)
SMA ( DO- 214AC )
.096(2.44)
.078(2.00)
.060(1.52)
.030(.76)
.208(5.28)
.188(4.80)
.008(0.203)
.002(0.051)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度,除非另有规定。单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在降额
焊接温度
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大瞬时电压在1.0A DC
@T
A
= 25℃
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
@T
A
= 100℃
典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作和存储温度范围
注意事项:
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
I
R
C
J
JA
T
J,
T
英镑
SMA5817 SMA5818 SMA5819 SR150 SR160 SR170
单位
SS12
SS13
SS14
SS15 SS16 SS18
20
14
20
30
21
30
40
28
40
1.0
30
0.55
0.70
1.0
20
110
88
-65 + 125 , -65到+150
0.85
50
35
50
60
42
60
80
56
80
安培
安培
毫安
pF
℃/W
1.Measured在1 MHz和应用4.0volts的反向电压。
从结到环境, .0.2X0.2 * ( 5.0X5.0mm 2.热阻
2
)铜焊盘面积。
永诚电脑配件有限公司, (香港)有限公司。
主页:
http://www.wingshing.com
联系电话: ( 852 ) 2341 9276传真: ( 852 ) 2797 8153
电子信箱: wsccltd@hkstar.com
SMA5817-SMA5819
额定值和特性
曲线
SS
SS
12~
SS
14
15~
SS
18
SS12~SS14
SS15~SS18
SS12~SS14
SS15~SS18
永诚电脑配件有限公司, (香港)有限公司。
主页:
http://www.wingshing.com
联系电话: ( 852 ) 2341 9276传真: ( 852 ) 2797 8153
电子信箱: wsccltd@hkstar.com
RECTRON
半导体
技术规格
SR120
THRU
SR160
肖特基势垒整流器
电压范围为20 60伏特电流1.0安培
特点
*
*
*
*
*
*
低开关噪声
低正向压降
高电流能力
高开关功能
高浪涌capabitity
高可靠性
DO-41
机械数据
*
*
*
*
*
案例:模压塑料
环氧树脂: UL94V-O率阻燃
导语: MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置:任意
重量: 0.33克
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
(在T
A
= 25
o
C除非另有说明)
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
.375 “设计(9.5mm )引线长度
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
典型热阻(注1 )
典型结电容(注2 )
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θ
JA
C
J
T
J
T
英镑
-65至+ 125
-65到+ 150
SR120
20
14
20
SR130
30
21
30
SR140
40
28
40
1.0
40
50
110
-65到+ 150
SR150
50
35
50
SR160
60
42
60
单位
安培
安培
0
C / W
pF
0
0
C
C
电气特性
(在T
A
= 25
o
C除非另有说明)
特征
最大正向电压在1.0A DC
最大平均反向电流
在额定阻断电压DC
@T
A
= 25 C
@T
A
= 100
o
C
o
符号
V
F
I
R
SR120
SR130
.55
SR140
1.0
10
SR150
.70
SR160
单位
毫安
毫安
1998-8
注: 1,热阻(结到环境) :垂直印刷电路板安装, 0.5“ ( 12.7毫米)引线长度。
2.测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
RECTRON
SR120
1.0安培肖特基势垒整流器
THRU
SR1100
电压范围
20至100伏特
当前
特点
*低正向压降
*高电流能力
*高可靠性
*高浪涌电流能力
*外延建设
1.0安培
DO-41
.107(2.7)
.080(2.0)
DIA 。
1.0(25.4)
分钟。
机械数据
*案例:模压塑料
*环氧: UL 94V- 0利率FL火焰阻燃
*铅:轴向引线,焊每MIL -STD- 202 ,
方法208存在保证
*极性:颜色频带端为负极
*安装位置:任意
*重量: 0.34克
.034(.9)
.028(.7)
DIA 。
.205(5.2)
.166(4.2)
1.0(25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
评分25℃环境温度uniess otherwies规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
参见图。 1
峰值正向浪涌电流, 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
在1.0A最大正向电压
反向电流最大DC
TA = 25℃
在额定阻断电压DC
典型结电容(注1)
典型热阻RqJA (注2 )
工作温度范围T
J
储存温度范围T
英镑
注意事项:
SR120 SR130 SR140 SR150 SR160 SR180 SR1100单位
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
1.0
30
0.55
1.0
10
110
50
-65
+125
-65
+150
-65
+150
0.70
0.85
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
V
mA
mA
pF
C / W
C
C
TA = 100℃
1.测量在1MHz和应用4.0V DC反向电压
2.热阻结到环境的垂直PC板安装0.5" ( 12.7毫米)引线长度。
额定值和特性曲线( SR120 THRU SR1100 )
图1 - 典型正向电流降额曲线
平均正向电流( A)
图2 ,典型正向
特征
1.2
1.0
50
瞬时正向电流( A)
0.8
SR
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
SR
15
0~
SR
16
0
SR
18
0
3.0
1.0
SR
12
0~
SR
14
0
10
环境温度( C)
图3 -最大非重复正向
浪涌电流
30
1
SR
15
100
20
R1
~S
40
120
0
11
SR
0~
0
R
~S
00
11
140
160
180
200
TJ = 25℃
脉宽300US
1 %占空比
0.1
峰值正向浪涌电流( A)
24
.01
.1
.3
.5
.7
.9
1.1
1.3
1.5
18
TJ = 25℃
8.3ms单半
正弦波
JEDEC的方法
FORWARD VOLT
年龄, ( V)
12
6
图5 - 典型的反向
0
1
5
10
50
100
特征
100
循环次数在60Hz
图4 - 典型结电容
350
300
250
200
150
100
50
0
结电容(PF )
反向漏电流(毫安)
10
1.0
TJ = 75℃
.1
TJ = 25℃
.01
.05
.1
.5
1
5
10
50
100
.01
0
20
40
60
80
100 120 140
反向电压, (V)的
百分之额定峰值反向VOLT
AGE ( % )
SR120
THRU
SR1100
1.0安培肖特基势垒整流器
电压范围
20至100伏特
当前
特点
*低正向压降
*高电流能力
*高可靠性
*高浪涌电流能力
*外延建设
1.0安培
DO-41
.107(2.7)
.080(2.0)
DIA 。
1.0(25.4)
分钟。
机械数据
*案例:模压塑料
*环氧: UL 94V- 0利率FL火焰阻燃
*铅:轴向引线,焊每MIL -STD- 202 ,
方法208存在保证
*极性:颜色频带端为负极
*安装位置:任意
*重量: 0.34克
.205(5.2)
.166(4.2)
.034(.9)
.028(.7)
DIA 。
1.0(25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
评分25℃环境温度uniess otherwies规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
类型编号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
参见图。 1
峰值正向浪涌电流, 8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
在1.0A最大正向电压
反向电流最大DC
TA = 25℃
在额定阻断电压DC
典型结电容(注1)
典型热阻R
θ
JA (注2)
工作温度范围T
J
储存温度范围T
英镑
注意事项:
SR120 SR130 SR140 SR150 SR160 SR180 SR1100单位
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
1.0
30
0.55
1.0
10
110
50
-65
+125
-65
+150
-65
+150
0.70
0.85
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
V
mA
mA
pF
C / W
C
C
TA = 100℃
1.测量在1MHz和应用4.0V DC反向电压
2.热阻结到环境的垂直PC板安装0.5" ( 12.7毫米)引线长度。
24
额定值和特性曲线( SR120 THRU SR1100 )
图1 - 典型正向电流降额曲线
平均正向电流( A)
图2 ,典型正向
特征
1.2
1.0
50
瞬时正向电流( A)
0.8
SR
50
0.2
0
~S
R
16
3.0
1.0
SR
1
0.4
20
~S
R
0
14
0.6
10
0
SR
1
SR
12
SR
0~
14
0
15
SR
0~
0
11
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1
SR
8
SR
0~
0
11
0
环境温度( C)
TJ = 25℃
脉宽300US
1 %占空比
图3 -最大非重复正向
浪涌电流
30
0.1
峰值正向浪涌电流( A)
24
.01
.1
.3
.5
.7
.9
1.1
1.3
1.5
18
TJ = 25℃
8.3ms单半
正弦波
JEDEC的方法
正向电压( V)
12
6
图5 - 典型的反向
0
1
5
10
50
100
特征
100
循环次数在60Hz
图4 - 典型结电容
350
300
250
200
150
100
50
0
结电容(PF )
反向漏电流(毫安)
10
1.0
TJ = 75℃
.1
TJ = 25℃
.01
.05
.1
.5
1
5
10
50
100
.01
0
20
40
60
80
100 120 140
反向电压, (V)的
百分之额定峰值反向电压( % )
25
W TE
PO WE R SEM IC ND UC TO R 5
SR120 - SR160
1.0A肖特基整流器
特点
!
!
!
!
!
!
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
高电流能力
低功耗,高效率
高浪涌电流能力
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
保护应用
A
B
A
C
D
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例:模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:负极频带
重量:0.55克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
DO-41
暗淡
最大
A
25.4
B
4.06
5.21
C
0.71
0.864
D
2.00
2.72
尺寸:mm
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流器ED输出电流(注1 )
@T
L
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJL
R
θJA
T
j
, T
英镑
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
SR120
20
14
SR130
30
21
SR140
40
28
1.0
40
SR150
50
35
SR160
60
42
单位
V
V
A
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容(注2 )
典型热阻结到铅
典型热阻结到环境(注1 )
工作和存储温度范围
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
0.50
0.5
10
110
15
50
-65到+150
0.70
V
mA
80
pF
K / W
K / W
°C
注:1。有效的规定,引线被保持在环境温度下从所述壳体的距离9.5毫米。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
SR120 - SR160
1第3
2002韩元鼎好电子
I
F
,正向电流(A)
20
10
SR120 - SR140
I
(O),
平均正向电流( A)
1.0
SR150 - SR160
0.5
1.0
T
j
= 25
°
C
I
F
脉冲宽度= 300
s
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.1
0.5
0.9
1.3
1.7
2.1
T
L
,焊接温度(
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
40
T
j
= 150
°
C
1000
C
j
,结电容(pF )
单一正弦半波
( JEDEC的方法)
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
30
SR120 - SR140
20
100
SR150 - SR160
10
0
1
10
100
10
0.1
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
I
R
,瞬时反向电流(mA)
100
10
T
j
= 100
°
C
1.0
T
j
= 75
°
C
0.1
0.01
T
j
= 25
°
C
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5典型的反向特性
SR120
SR160
2 3
2002
韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
!
SR120-T3
SR120-TB
SR120
SR130-T3
SR130-TB
SR130
SR140-T3
SR140-TB
SR140
SR150-T3
SR150-TB
SR150
SR160-T3
SR160-TB
SR160
套餐类型
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
送货数量
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
产品上市
胆大
是WTE
首选
设备。
!
T3后缀是指一个13 “卷轴。 TB后缀是指弹药包。
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量,请咨询售楼部。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
警告:
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支持设备或系统未经明确的书面批准。
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44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
886-7-822-5417
电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
http://www.wontop.com
我们日常供电。
2002韩元鼎好电子
SR120 - SR160
3 3
直流分量CO 。 , LTD 。
S
TS7;6
UJSV
TS7766
SGEUKHKGS TRGEKCNKTUT
UGEJPKECN TRGEKHKECUKQPT QH TEJQUUMZ DCSSKGS SGEUKHKGS
WQNUCIG SCPIG 3 ; 6 LH 766青春痘
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HGCUVSGT
0
0
0
0
0
0
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儒` hjo [J ^ Nhel位[ ^ A_ JHI
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JCAB KOCL ] bcga ] [ I [ \\ ceclq
JCAB kmja_ ] [ I [ \\ clclq
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FQ3 : 7
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C
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C
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776
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>6
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TS7766
766
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766
VPKUT
青春痘
青春痘
青春痘
Cfik
Cfik
4>;
青春痘
fCfik
fCfik
6
E5 X
iH
6
6
3 ; 6 LH 1 78 ;
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E
E
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/-
出口
NEXT
NEXT
EXI
出口
NEXT
SCUKPI公积金EJCSCEUGSKTUKE EVSWGT .TS7 ; 6 UJSV TS7766 /
直流分量CO 。 , LTD 。
S
/.
出口
NEXT
NEXT
EXI
出口
NEXT
SR120通SR1100
肖特基势垒整流器器
反向电压
- 20
to
100Volts
正向电流
- 1.0
安培
DO- 41
特点
金属半导体结与GARD环
外延建设
低正向压降
高电流能力
塑料材料进行UL认证94V- 0
对于低vlotage使用,高频率逆变器,
1.0(25.4)
分钟。
.034(0.9)
迪亚
.028(0.7)
续流和极性保护应用
.205(5.2)
最大
.107(2.7)
迪亚
.080(2.0)
1.0(25.4)
分钟。
机械数据
案例: JEDEC DO- 41模压塑料
极性:颜色频带为负极
重量: 0.012盎司, 0.34克
安装位置:任意
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
评分在25℃环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 %
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计(9.5mm )导线长度
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
超级强加在额定负荷( JEDEC的方法)
峰值正向电压在1.0A DC
反向电流最大DC
额定直流藕合电压
典型结电容(注1)
典型热阻(注2 )
工作温度范围
存储温度范围
@T
J
=25℃
@T
J
=100℃
@T
L
=100
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
SR120
20
14
20
SR130
30
21
30
SR140
40
28
40
SR150
50
35
50
1.0
SR160
60
42
60
SR180
80
56
80
SR1100
100
70
100
单位
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJL
T
J
T
英镑
110
0.55
40
0.70
1.0
10
80
15
-55到+125
-55到+150
0.85
A
V
mA
pF
℃/W
注: 1.Measured在1.0 MHz和应用的4.0V直流反向电压。
2.Thermal电阻结到铅。
~ 200 ~
额定值和CHARACTERTIC曲线
SR120通SR1100
图。 1
正向电流降额曲线
峰值正向浪涌电流,
安培
1.0
平均正向电流
安培
0.8
0.6
40
图。 2
最大不重复浪涌电流
30
20
0.4
0.2
0
单相半波60HZ
负载电阻或电感
10
脉宽8.3ms的
单半正弦波
( JEDEC的方法)
0
1
2
5
10
20
50
100
循环次数在60Hz
图3 - 典型正向特性
20
10
25
50
75
100
125
150
175
引线温度( ℃ )
FIG.3
典型结电容
400
瞬时正向电流,
(A)
SR120-SR140
电容(PF )
SR120-SR140
100
SR150-SR1100
SR150-SR160
SR180-SR1100
1.0
T
J
= 25°C F = 1兆赫
T
J
= 25°C
脉宽300US
1 %占空比
10
0.1
1
10
100
反向电压,伏
0.1
0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
正向电压(伏)
图5 ,典型逆向工程&特性
100
瞬时反向电流(mA)
10
T
J
=100
1.0
T
J
=75
0.1
T
J
=25
0.01
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
百分之额定峰值反向电压( % )
~ 201 ~
数据表
1.0安培肖特基
整流器
机械尺寸
JEDEC
D0-41
.080
.107
.205
.160
1.00分钟。
SR120 。 。 。 180系列
描述
.031典型。
特点
n
超低V
F
n
低功耗?高效率
n
低存储的电荷;岁数
载流子传导
n
符合UL规格94V- 0
电气特性@ 25
O
C.
最大额定值
峰值重复反向电压... V
RRM
工作峰值反向电压... V
RWM
DC阻断电压... V
DC
平均正向整流电流... I
F( AV )
@ T
A
= 55°C
非重复性峰值正向浪涌电流... I
FSM
@ Rated Load Conditions, ½ Wave, 8.3mS
正向电压... V
F
@ I
F
= 1.0 AMPS
DC反向电流... I
R
@额定阻断电压DC
典型结电容... C
J
典型热阻...
θJA
工作温度范围牛逼...
J
典型的反向特性
T
J
= 125
o
C
SR120 ... 180系列
SR120
20
20
20
SR130
30
30
30
SR140
40
40
40
SR150
50
50
50
SR160
60
60
60
SR180
80
80
80
单位
安培
安培
............................................. 1.0 ...............................................
............................................. 4 0 ...............................................
.55
T
L
= 25°C
.60
.65
< ................. 0.70 ................ >
............................................. 1.0 .... ...........................................毫安
110
< ................................. 71 ............... .................... >
< ............. -65 150 ............. >
pF
°C
/ W
°C
............................................. 5 0 ...............................................
< ............. -65至125 .......... >
正向电流降额曲线
正向电流( AMPS )
SR150...180
典型结电容
反向电流(mA )
SR120...140
pF
T
J
= 75
o
C
SR120...140
SR150...180
T
J
= 25 C
o
反向电压(伏)
焊接温度(
o
C)
反向电压(V
R
) - 伏
第7-4页
WTE
功率半导体
SR120 - SR1100
Pb
1.0A肖特基二极管
特点
!
!
肖特基芯片
保护环片施工
瞬态保护
!
高电流能力
A
B
!
低功耗,高效率
!
高浪涌电流能力
!
为了在低电压,高频率
逆变器,续流和极性
保护应用

D
A
C
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例: DO - 41 ,模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:负极频带
重量:0.55克数(大约)
安装位置:任意
标记:型号数量
无铅:对于符合RoHS /无铅版本,
新增“ -LF ”后缀型号,见第4页
DO-41
暗淡
最大
25.4
A
4.06
5.21
B
0.71
0.864
C
2.00
2.72
D
尺寸:mm
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
(注1 )
@T
L
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
SR120 SR130 SR140
20
14
30
21
40
28
SR150 SR160
50
35
1.0
60
42
SR180 SR1100
80
56
100
70
单位
V
V
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
( JEDEC的方法)
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJL
R
θJA
T
j
, T
英镑
110
0.50
40
0.70
0.5
10
80
15
50
-65到+150
0.85
A
V
mA
pF
° C / W
°C
典型结电容(注2 )
典型热阻(注1 )
工作和存储温度范围
注:1。有效的规定,引线被保持在环境温度下从所述壳体的距离9.5毫米。
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
SR120 - SR1100
1 4
2006韩元鼎好电子

I
F
,正向电流(A)
20
10
I
(O),
平均正向电流( A)
1.0
SR120 - SR140
SR150 - SR160
0.5
1.0
SR180 - SR1100
T
j
= 25
°
C
I
F
脉冲宽度= 300
s
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
L
,焊接温度(
°
C)
图。 1正向电流降额曲线
V
F
,正向电压( V)
图。 2典型正向特性
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
40
T
j
= 150
°
C
1000
C
j
,结电容(pF )
单一正弦半波
( JEDEC的方法)
T
j
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
30
SR120 - SR140
20
100
SR150 - SR1100
10
0
1
10
100
10
0.1
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
循环次数在60赫兹
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
I
R
,瞬时反向电流(mA)
100
10
T
j
= 100
°
C
1.0
T
j
= 75
°
C
0.1
0.01
T
j
= 25
°
C
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5典型的反向特性
SR120 - SR1100
2 4
2006韩元鼎好电子
标识信息
大坪规格
0.8mm
最大
5mm
SR1x0
WTE
阴极
SR1x0
x
WTE
=极性带
=设备号
= 2, 3 ,4,5 ,6,8或10个
=制造商的标志
1.2mm
最大
6mm
52.4mm
阴极带:红色
阳极带:白色
0.8mm
最大
包装信息
磁带盒&
磁带&卷轴
产品ID标签
150mm
检查孔
(两端)
330mm
255mm
75mm
体积
80±5mm
20mm
198mm
产品ID标签
84mm
包装
磁带&卷轴
磁带盒&
体积
卷筒直径/
箱尺寸(mm )
330
255 x 75 x 150
198 x 84 x 20
QUANTITY
( PCS)的
5,000
5,000
1,000
外箱尺寸
(mm)
370 x 370 x 420
400 x 273 x 415
459 x 214 x 256
QUANTITY
( PCS)的
25,000
50,000
50,000
约。总重量
(公斤)
13.0
21.0
19.5
注意:
1.纸卷轴,白色或灰色。芯材:塑料或金属。
2.部件都装在符合EIA标准RS - 296 -E 。
SR120 - SR1100
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
SR120-T3
SR120-TB
SR120
SR130-T3
SR130-TB
SR130
SR140-T3
SR140-TB
SR140
SR150-T3
SR150-TB
SR150
SR160-T3
SR160-TB
SR160
SR180-T3
SR180-TB
SR180
SR1100-T3
SR1100-TB
SR1100
1.
2.
3.
套餐类型
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
DO-41
送货数量
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带盒&
1000单位/箱
产品上市
胆大
是WTE
首选
设备。
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量,请咨询售楼部。
订购RoHS /无铅版本(与无铅完成) ,加上“ -LF ”后缀
上面的零件编号。例如, SR120 - TB- LF 。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
警告:
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
886-7-822-5417
电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
http://www.wontop.com
我们日常供电。
SR120 - SR1100
4 4
2006韩元鼎好电子
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SR150
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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SR150
HY
2024
16880
DO
原装现货上海库存,欢迎咨询
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SR150
HY
2024
16880
DO
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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SR150
VISHAY/威世
2443+
23000
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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VISHAY/威世
24+
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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