订购数量： EISB * 0001A
超薄微型封装
SR10000系列
概观
1通道升压型DC / DC
转换器IC
该SR10000系列是三洋独创的SIP （系统级封装） ，其中包括一个DC / DC转换器控制IC，一个
功率MOSFET和肖特基势垒二极管。所有这些组件都通过安装到一个薄和小包装
利用三洋的高密度安装技术， “综合系统委员会（ ISB） ” 。
用此DC / DC转换器包的优点在于，它大大降低了它的安装面积和空间，相
用时相同的电路被设置在分立器件。除此之外，这是非常容易组装升压
开关电源，只需增加电压设置电阻，电感和电容。
功能和特点
由于SR10000系列打包的电压的升压型DC / DC转换器集成电路以及功率MOSFET和肖特基
在同一封装部件之间的最小迹线长度垒二极管设备，它可以提供高
效率和优异的特性，包括低输出纹波。特别需要对这些安装区
时相比，使用分立器件实现的组件减小。
输出电压通过外部电阻器来设定。
待机功能：待机模式电流= 1μA （最大值）
PWM / PFM自动切换控制（ SR10020 ， SR10040 ， SR10050 ）
外部PWM / PFM切换控制（ SR10030 ， SR10060 ， SR10070 ）
振荡器频率： 100kHz的（ SR10060 ） ， 180kHz （ SR10030 ） ， 300kHz的（ SR10020 ， SR10070 ） ， 500kHz的（ SR10040 ，
SR10050 ） （精度± 15 ％ ）
在此数据表模型SR10060给出的数值是暂定的，受前更改
投入批量生产。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
用这样的描述或包含任何三洋半导体的产品在此之前，最近的你
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
N2206 / 41006HKIM No.0001-1 / 8
SR10000系列
功能比较
型号
控制系统
SR10020
SR10030
SR10040
SR10050
SR10060
SR10070
自动PWM / PFM
切换控制
外部PWM / PFM
切换控制
自动PWM / PFM
切换控制
自动PWM / PFM
切换控制
外部PWM / PFM
切换控制
外部PWM / PFM
切换控制
DC / DC控制器IC
输入电压范围
0.9V至10V
0.9V至10V
0.9V至10V
0.9V至10V
0.9V至10V
0.9V至10V
振荡器频率
300kHz
180kHz
500kHz
500kHz
100kHz
300kHz
TR最大额定值
VDSS
30V
30V
30V
30V
20V
20V
ID
2.5A
2.5A
2.5A
2.5A
3A
3A
迪最大额定值
VRRM
30V
30V
30V
15V
30V
15V
IO
1A
1A
1A
2A
1A
2A
1.5V至20V
1.5V至20V
1.5V至20V
1.5V至10V
1.5V至13V
1.5V至10V
输出设置* 1
* 1：输出设定最大值是电压是1 / 1.5倍VDSS和VRRM作为一般规则
拇指，并且它们被提供给作为唯一的参考。因此，它必须实际操作过程中被证实
它们不超过额定电压。
包装尺寸
单位：mm
3.4
0.75
3.4
MIN 0.6
1.7
1
2
3
0.1
0.65 0.4
A
4
5
1.7
B
C
D
0.4 0.65
E
0.4 0.65
1.7
1.7
0.35
0.65 0.4
No.0001-2/8
SR10000系列
引脚布局和内部等效电路框图
1
A
B
C
D
E
2
3
4
5
1D，1E
2D，2E， 3E
3D
Di
图4D ，4E， 5D，5E
TR
EXT
IC
GND
VDD
FB
图2A ，2B，2C ，3A，3B
图3C ，图4A ，4B，4C ，5B
5C
CE
底部视图
图1B ，1C
5A
1A
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
设备
IC
参数
VDD引脚电压
FB引脚电压
CE引脚电压
EXT引脚电压
EXT引脚电流
TR
漏极 - 源极电压1
栅极 - 源极电压1
漏电流1
漏 - 源电压2
栅 - 源电压2
漏电流2
允许功耗
Di
反向电压1
输出电流1
反向电压2
输出电流2
允许功耗
工作温度
储存温度
符号
VDD
VFB
VCE
VEXT
IEXT
VDSS1
VGSS1
ID1
VDSS2
VGSS2
ID2
PD -T
VRRM1
我O1
VRRM2
我O2
PD -D
TOPR
TSTG
60mm
×
60mm
×
1.6mm
3
FR4板
SR10050 ， SR10070
60mm
×
60mm
×
1.6mm
3
FR4板
SR10020 ， SR10030 ， SR10040 ， SR10060
SR10060 ， SR10070
SR10020 ， SR10030 ， SR10040 ， SR10050
条件
评级
-0.3至+12
-0.3至+12
-0.3至+12
-0.3 VDD + 0.3
单位
V
V
V
V
mA
V
V
A
V
V
A
mW
V
A
V
A
mW
±
100
30
±
12
2.5
20
±
10
3
700
30
1
15
2
750
-30至+85
-40到+125
°
C
°
C
No.0001-3/8
SR10000系列
电气特性
总的操作特性
在TA = 25℃时，在指定的测试电路
参数
输出电压
输出电压设定范围
FB控制电压
电源电压
操作启动电压
电流损耗
符号
VOUT
VOSET
VFB
VDD
VST
国际直拨电话
*3
IO=1mA
VIN = 2V ， IO = 0毫安SR10060
VIN = 2V ， IO = 0毫安SR10030
VIN = 2V ， IO = 0毫安SR10020 ， SR10070
VIN = 2V ， IO = 0毫安SR10040 ， SR10050
待机电流
振荡器频率
Istb
FOSC
VIN = 2V ， VCE = 0V
VIN = 2V ， IO = 10毫安SR10060
VIN = 2V ， IO = 10毫安SR10030
VIN = 2V ， IO = 10毫安SR10020 ， SR10070
VIN = 2V ， IO = 10毫安SR10040 ， SR10050
效率
CE高压
CE低电压
PWM的高电压
PWM低电压
CE高电流
CE低电流
EFFI
VCEH
VCEL
VPWMH
VPWML
ICEH
ICEL
SR10030 ， SR10060 ， SR10070 * 4
SR10030 ， SR10060 ， SR10070 * 4
CE=VDD=3.3V
CE=0V
VDD-0.2
VDD-1.0
0.1
0.1
0.65
0.20
85
153
255
425
100
180
300
500
85
29
45
62
97
1.8
条件
民
VIN = 2V ， IO = 10毫安
VIN = VOSET
×
0.6 ， VDD = 3.3V ， IOUT = 10毫安
3.217
1.5
0.9
10
0.9
41
64
88
137
1
115
207
345
575
评级
典型值
3.300
最大
3.383
*2
V
V
V
V
V
单位
A
A
A
A
A
千赫
千赫
千赫
千赫
%
V
V
V
V
A
A
* 2：输出设定的最大电压是在1 / 1.5倍的VDSS内置的MOSFET和在1 / 1.5
倍迪的VRRM作为一般的经验规则。因此，它必须实际操作中得到验证，他们
不超过额定电压。
* 3： VDD应该是1.8V或更高时，车辆或其它动力源，因为输出电压供给VDD和
振荡频率变得稳定在VDD被设置为1.8V或更高，尽管内置IC开始升压电压
操作从VDD = 0.8V 。
* 4：对于模特SR10030 ， SR10060和SR10070 ， CE引脚也用于实现PWM / PFM外部
切换功能。当电压为VDD - 0.2V以上时， PWM控制时，并且当它是VCEH或
以上但VDD - 1.0V或更低， PWM / PFM自动切换以25 ％的占空比进行控制。
迪特点
在TA = 25℃时，在指定的测试电路
参数
正向电压1
反向电流1
正向电压2
反向电流2
符号
VF1
IR1
VF2
IR2
条件
SR10020 ， SR10030
SR10040 ， SR10060
SR10050 ， SR10070
IF=1A
VR=30V
IF=1A
VR=6V
民
典型值
0.43
40
0.30
最大
0.47
200
0.35
600
单位
V
A
V
A
引脚功能
PIN号
1A
图1B ，1C
图1D ，1E， 2D，2E， 3E
图2A，2B ，2C， 3A ，3B，3C
图4A ，4B，4C ，5B
3D
图4D ，4E， 5D，5E
5A
5C
EXT IC ， TR门
迪阴极
IC CE
IC FB
门的TR
二极管和VOUT的阴极
操作开始时，芯片使能引脚设置为“高” 。该引脚也可作为
PWM / PFM选择器模式SR10030 ， SR10060和SR10070 。
外部电阻连接引脚输出电压设定，内部控制电压：
0.9V典型
GND
TR来源
TR排水，阳极迪
IC的VDD
引脚名称
接地引脚IC 。
源极引脚为TR
TR的漏极和二极管的阳极
电源电压IC
描述
No.0001-4/8
SR10000系列
等效电路及测试外围电路
VIN
L
22H
SR10000系列
IIN一
TR
VIN
CIN
10F
CE
EXT
IC
GND
FB
RFB2
45k
VCE
VDD
CFB
68pF
RFB1
120k
Co
10F
V
Di
RSENSE
100m
VOUT
FOSC
外部元件的选择规则
1） RFB ：设置RFB1和RFB2的比率为RFB1 + RFB2≤2MΩ和VFB = 0.9V 。
2）循环流化床：设置fzfb = 1 /（ 2× π × CFB × RFB1 ） ，将处于5kHz至30kHz的。
3）L ，钴， RSENSE ：
当陶瓷电容器用作有限公司：
L = 10μH ，钴= 10μF （ SR10020 ， SR10040 ， SR10050 ， SR10070 ）
L = 22μH ，钴= 10μF （ SR10030 ， SR10060 ）
RSENSE = 50mΩ以下（ SR10060 ） ，为100mΩ （比SR10060等）
当钽电容用于合作： L = 10μH ，钴= 47μF （ SR10040 ， SR10050 ）
L = 22μH ，钴= 47μF （ SR10020 ， SR10070 ）
L = 47μH ，钴= 47μF （ SR10030 ， SR10060 ）
RSENSE =无（短路）
当电解电容器用于合作： L = 22μH ，共同= 100μF // 2.2μF陶瓷（ SR10020 ， SR10070 ）
L = 47μH ，钴= 100μF // 2.2μF陶瓷（ SR10030 ， SR10060 ）
RSENSE =无（短路）
以上各组分的这些常数应该在必要时可以改变放大升压比VOUT / VIN
并使用较大的输出电流IOUT如下所示作为基准的表达。
合作= （标准有限公司* ）
×
（ IOUT （MA ） / 300毫安
×
VOUT / VIN ）
如上图所示的值： *标准有限公司
No.0001-5/8
QQ：2880707522 复制
