SQV90N06-05
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Vishay Siliconix公司
汽车N沟道60 V （D -S ）， 175℃ MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
CON组fi guration
TO-262
D
60
0.005
0.007
90
单身
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
低热阻封装
AEC- Q101标准
d
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
1
2 3
G
S
G
S
顶视图
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
TO-262
SQV90N06-05-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
连续源电流（二极管
漏电流脉冲
b
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
导通）
a
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
120
94
120
480
75
280
250
83
- 55 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
笔记
一。包装有限。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。参数验证正在进行中。
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.6
单位
° C / W
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文档编号： 68874
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特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
导通状态漏极
当前
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
b
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源
收费
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源极 - 漏极二极管额定值和
脉冲电流
a
正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
b
I
SM
V
SD
I
F
= 90 A，V
GS
= 0 V
-
-
-
1.1
480
1.4
A
V
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.33
I
D
90 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V
V
DS
= 30 V，I
D
= 90 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
-
-
-
-
-
-
0.5
-
-
-
-
7190
830
580
175
35
34
1.7
18
18
84
28
8990
1035
725
210
42
44
2.8
27
27
126
42
ns
nC
pF
g
fs
V
DS
= 60 V
V
DS
= 60 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 60 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
5
V
I
D
= 30 A
I
D
= 30 A，T
J
= 125 °C
I
D
= 30 A，T
J
= 175 °C
I
D
= 30 A
60
1.5
-
-
-
-
120
-
-
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
0.003
-
-
0.004
110
-
2.5
± 100
1
50
250
-
0.005
0.008
0.0095
0.007
-
S
A
μA
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
250
V
GS
= 10 V直通5 V
200
Vishay Siliconix公司
180
150
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
120
T
C
= 25 °C
90
150
V
GS
= 4 V
100
60
50
V
GS
= 3 V
0
0
4
8
12
16
20
30
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
输出特性
250
0.010
传输特性
g
fs
- 跨导（S ）
T
C
= - 55 °C
150
T
C
= 25 °C
100
T
C
= 125 °C
50
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
200
0.008
0.006
V
GS
= 4.5 V
0.004
V
GS
= 10 V
0.002
0
0
16
32
48
64
80
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
跨
11 000
10 000
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
9000
10
12
导通电阻与漏电流
I
D
= 90 A
- 电容（pF ）
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
10
20
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
8
V
DS
= 30 V
6
4
2
0
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总
门
费（ NC ）
电容
栅极电荷
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
80
I
D
= 10毫安
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100
击穿电压BVDSS
77
10
I
S
-
来源
电流（A ）
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
74
71
0.1
T
J
= - 50 °C
68
0.01
65
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
BVDSS与结温
0.05
0.8
源漏二极管正向电压
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.04
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
0
0.03
- 0.4
I
D
= 5毫安
- 0.8
I
D
= 250 μA
- 1.2
0.02
T
J
= 150 °C
0.01
0.00
0
2
T
J
= 25 °C
4
6
8
10
- 1.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
T
J
- 温度（℃ ）
导通电阻与栅极至源极电压
2.1
I
D
= 30 A
1.8
阈值电压
R
DS （ ON）
- 导通电阻
10 V
（归一化）
1.5
4.5 V
1.2
0.9
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
导通电阻与结温
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热额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
I
DM
有限
Vishay Siliconix公司
100
100 s
I
D
- 漏电流（ A）
10
有限
由R
DS （ ON） *
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1秒10秒， DC
1
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
方
波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
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