SQS462EN
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Vishay Siliconix公司
汽车N沟道60 V （D -S ）， 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
CON组fi guration
的PowerPAK
1212-8
特点
60
0.063
0.082
8
单身
D
TrenchFET
功率MOSFET
AEC- Q101标准
100 % R
g
和UIS测试
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
3.30 mm
S
1
2
3
S
S
3.30 mm
G
4
D
8
7
6
5
D
D
D
G
底部视图
最热代码：
Q012
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
的PowerPAK 1212-8
SQS462EN-T1-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
连续源电流（二极管
漏电流脉冲
b
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
D，E
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
导通）
a
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
8
8
8
32
9
4
33
11
- 55 + 175
260
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
PCB
MOUNT
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
81
4.5
单位
° C / W
笔记
一。包装有限。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
。当安装在1"正方形板（ FR4材料） 。
。见焊接温度曲线（ www.vishay.com/doc?73257 ） 。采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证
并且不要求以确保足够的底侧的焊料互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
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特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
b
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
脉冲电流
a
正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
I
F
= 4 A，V
GS
= 0 V
V
DD
= 30 V ，R
L
= 5.5
I
D
5.4 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
GS
=10 V
V
DS
= 30 V，I
D
= 5.4 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
-
-
-
-
-
-
2.3
-
-
-
-
-
-
374
72
29
8
1.3
1.6
4.6
6
9
12
8
-
0.82
470
90
40
12
-
-
6.9
9
14
18
12
32
1.2
A
V
ns
nC
pF
g
fs
V
DS
= 60 V
V
DS
= 60 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 60 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
5
V
I
D
= 4.3 A
I
D
= 4.3 A，T
J
= 125 °C
I
D
= 4.3 A，T
J
= 175 °C
I
D
= 3 A
60
1.5
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
0.050
-
-
0.063
11
-
2.5
± 100
1
50
150
-
0.063
0.108
0.135
0.082
-
S
A
μA
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= 15 V，I
D
= 4 A
源极 - 漏极二极管额定值和特性
b
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立运营的temperature.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
20
V
GS
= 10 V直通5 V
16
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS
= 4 V
I
D
- 漏电流（ A）
16
20
Vishay Siliconix公司
12
12
8
8
T
C
= 25
°C
4
V
GS
= 3 V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
4
T
C
= 125
°C
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
T
C
= - 55
°C
输出特性
2.0
20
传输特性
1.6
g
fs
- 跨导（S ）
15
I
D
- 漏电流（ A）
T
C
= - 55
°C
T
C
= 25
°C
1.2
10
T
C
= 125
°C
0.8
T
C
= 25
°C
5
0.4
T
C
= 125
°C
0.0
0
1
2
3
4
5
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
T
C
= - 55
°C
0
0
2
4
6
8
10
I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
0.25
600
跨
0.20
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
500
C
国际空间站
400
0.15
300
0.10
V
GS
= 4.5 V
200
C
OSS
0.05
V
GS
= 10 V
0.00
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
100
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
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电容
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3
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
10
2.5
I
D
= 4.3 A
2.1
Vishay Siliconix公司
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
8
I
D
= 5.4 A
V
DS
= 30 V
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
6
1.7
V
GS
= 10 V
4
1.3
V
GS
= 4.5 V
2
0.9
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
- 总
门
费（ NC ）
0.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
100
0.25
导通电阻与结温
10
I
S
-
来源
电流（A ）
T
J
= 150
°C
1
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.20
0.15
T
J
= 150
°C
0.10
0.1
T
J
= 25
°C
0.01
0.05
T
J
= 25
°C
0.001
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
源漏二极管正向电压
0.6
75
导通电阻与栅极至源极电压
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0.3
72
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
69
- 0.3
I
D
= 250 μA
- 0.6
I
D
= 5毫安
66
- 0.9
63
- 1.2
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
60
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 结温（ ° C）
阈值电压
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漏源击穿与结温
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4
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热额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
100
I
DM
有限
I
D
有限
100 μs
Vishay Siliconix公司
10
I
D
- 漏电流（ A）
1毫秒
1
限于由R
DS （ ON）
*
0.1
T
C
= 25
°C
单身
脉冲
BVDSS有限公司
10毫秒
100毫秒
1
s,10 s,
DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
is
特定网络版
安全工作区
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
注意事项：
P
DM
t
1
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
=
81
° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
100
1000
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
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文档编号： 71727
5
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