【SQM120N03-1m5LVishay Siliconix公司汽车N沟道30 V （ D- S）】,IC型号SQM120N03-1m5L,SQM120N03-1m5L PDF资料,SQM120N03-1m5L经销商,ic,电子元器件-51电子网

SQM120N03-1m5L

Vishay Siliconix公司

汽车N沟道30 V （ D- S） 175℃ MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

（）在V

= 10 V

DS （ ON）

（）在V

= 4.5 V

(A)

CON组fi guration

0.0015

0.0020

120

单身

特点

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

TrenchFET

功率MOSFET

低热阻封装

100 % R

和UIS测试

AEC- Q101标准

符合RoHS指令2002/95 / EC

TO-263

N沟道MOSFET

顶视图

订购信息

包

铅（ Pb），且无卤

TO-263

SQM120N03-1m5L-GE3

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

连续源电流（二极管传导）

漏电流脉冲

单脉冲雪崩电流

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

工作结存储温度范围

L = 0.1 mH的

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

符号

, T

英镑

极限

± 20

120

480

336

375

125

- 55 + 175

°C

单位

热电阻额定值

参数

结到环境

结至外壳（漏）

笔记

一。包装有限。

B 。脉冲测试;脉冲宽度

300微秒，占空比

2 %.

。当安装在1"正方形板（ FR-4材料）。

。参数验证正在进行中。

PCB

MOUNT

符号

thJA

thJC

极限

0.4

单位

° C / W

文档编号： 67333

S11-1098 -REV 。 A， 13军11

www.vishay.com

本文如有更改，恕不另行通知。

本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述

www.vishay.com/doc?91000

SQM120N03-1m5L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

门源阈值电压

栅源漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

= 0 V，I

= 250 μA

= V

, I

= 250 μA

= 0 V, V

= ± 20 V

= 0 V

= 10 V

漏源导通电阻

DS （ ON）

= 10 V

= 4.5 V

正向跨导

动态

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源极 - 漏极二极管额定值和

脉冲电流

正向电压

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

特征

= 60 A，V

= 0 V

0.81

480

1.5

= 15 V ，R

= 0.3

50 A，V

根

= 10 V ，R

= 1

F = 1 MHz的

= 10 V

= 10 V，I

= 120 A

= 0 V

= 15 V ， F = 1兆赫

0.59

12 484

2204

860

179

1.19

15 605

2755

1075

270

1.79

= 30 V

= 30 V ，T

= 125 °C

= 30 V ，T

= 175 °C

= 30 A

= 30 A，T

= 125 °C

= 30 A，T

= 175 °C

= 20 A

1.5

120

2.0

0.0014

0.0016

190

2.5

± 100

250

0.0015

0.0023

0.0028

0.0020

μA

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

= 15 V，I

= 30 A

笔记

一。脉冲测试;脉冲宽度

300微秒，占空比

2 %.

B 。通过设计保证，不受生产测试。

。独立的工作温度。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

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文档编号： 67333

S11-1098 -REV 。 A， 13军11

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典型特征

= 25 ℃，除非另有说明）

200

= 10 V直通4 V

160

- 漏电流（ A）

120

150

120

= 25

°C

= 3 V

- 漏极至源极电压（ V）

= 125

°C

= - 55

°C

栅极 - 源

电压（V）的

输出特性

1.5

350

传输特性

= - 55

°C

- 跨导（S ）

1.2

- 漏电流（ A）

280

= 25

°C

0.9

210

= 125

°C

140

0.6

= 25

°C

0.3

= 125

°C

= - 55

°C

0.0

栅极 - 源

电压（V）的

- 漏电流（ A）

传输特性

0.005

15 000

跨

国际空间站

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

0.004

- 电容（pF ）

12 000

0.003

9000

0.002

= 4.5 V

= 10 V

6000

0.001

3000

RSS

OSS

0.000

100

120

- 漏电流（ A）

- 漏极至源极电压（ V）

导通电阻与漏电流

电容

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SQM120N03-1m5L

Vishay Siliconix公司

典型特征

= 25 ℃，除非另有说明）

= 120 A

= 15 V

栅极 - 源

电压（V）的

DS （ ON）

- 导通电阻

（归一化）

1.7

= 30 A

2.0

= 10 V

1.4

= 4.5 V

1.1

0.8

120

160

200

- 总

门

费（ NC ）

0.5

- 50 - 25

100

125

150

175

- 结温（ ° C）

栅极电荷

100

0.005

导通电阻与结温

来源

电流（A ）

= 150

°C

= 25

°C

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

0.004

0.003

= 150

°C

0.002

= 25

°C

0.1

0.01

0.001

0.0

0.000

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

源极到漏极

电压（V）的

栅极 - 源

电压（V）的

源漏二极管正向电压

0.5

导通电阻与栅极至源极电压

0.1

GS （ TH）

方差（ V）

- 漏极至源极电压（ V）

= 1毫安

- 0.3

= 5毫安

- 0.7

= 250 μA

- 1.1

- 1.5

- 50 - 25

100

125

150

175

- 50 - 25

100

125

150

175

- 温度（℃ ）

- 结温（ ° C）

阈值电压

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漏源击穿与结温

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Vishay Siliconix公司

热额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

1000

100

- 漏电流（ A）

有限

100 μs

有限

限于由R

DS （ ON）

1毫秒

10毫秒

100毫秒， 1

0.1

= 25

°C

单身

脉冲

BVDSS有限公司

0.01

0.1

100

- 漏极至源极电压（ V）

* V

>最小V

在r

DS （ ON）

特定网络版

安全工作区

标准化的有效瞬态

热阻抗

0.1

0.01

0.001

0.0001

-4

-3

-2

-1

100

1000

方

波脉冲持续时间（ S）

归瞬态热阻抗，结到环境

文档编号： 67333

S11-1098 -REV 。 A， 13军11

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