【SQD40P10-40L汽车P沟道100 V（ D- S） 175℃ MOSFET产品概述VDS(V】,IC型号SQD40P10-40L,SQD40P10-40L PDF资料,SQD40P10-40L经销商,ic,电子元器件-51电子网

SQD40P10-40L

汽车P沟道

100 V（ D- S） 175℃ MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

R

DS （ ON）

（）在V

GS

= - 10 V

R

DS （ ON）

（）在V

GS

= - 4.5 V

I

D

(A)

CON组fi guration

- 100

0.040

0.048

- 38

单身

S

特点

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

TrenchFET

功率MOSFET

低热阻封装

AEC- Q101标准

d

100 % R

g

和UIS测试

符合RoHS指令2002/95 / EC

TO-252

G

的漏极连接到选项卡

G

D

S

D

P沟道MOSFET

顶视图

订购信息

包

铅（ Pb），且无卤

TO-252

SQD40P10-40L-GE3

绝对最大额定值

(T

C

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

连续源电流（二极管传导）

a

漏电流脉冲

b

单脉冲雪崩电流

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

b

工作结存储温度范围

L = 0.1 mH的

T

C

= 25 °C

T

C

= 125 °C

T

C

= 25 °C

T

C

= 125 °C

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

S

I

DM

I

AS

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

极限

- 100

± 20

- 38

- 22

- 50

- 150

- 44

96

136

45

- 55 + 175

mJ

W

°C

A

单位

V

热电阻额定值

参数

结到环境

结至外壳（漏）

笔记

一。包装有限。

B 。脉冲测试;脉冲宽度

300微秒，占空比

2 %.

。当安装在1"正方形板（ FR-4材料）。

。参数验证正在进行中。

印刷电路板安装

c

符号

R

thJA

R

thJC

极限

50

1.1

单位

° C / W

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SQD40P10-40L

汽车P沟道

100 V（ D- S） 175℃ MOSFET

特定网络阳离子

(T

C

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

门源阈值电压

栅源漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

a

V

DS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

V

GS

= 0 V，I

D

= - 250 μA

V

DS

= V

GS

, I

D

= - 250 μA

V

DS

= 0 V, V

GS

= ± 20 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= - 10 V

V

GS

= - 10 V

漏源导通电阻

a

R

DS （ ON）

V

GS

= - 10 V

V

GS

= - 10 V

V

GS

= - 4.5 V

正向跨导

b

动态

b

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

c

栅极 - 源电荷

c

栅极 - 漏极电荷

c

栅极电阻

导通延迟时间

c

上升时间

c

打开-O FF延迟时间

c

下降时间

c

脉冲电流

a

正向电压

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

R

g

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

I

SM

V

SD

I

F

= - 7.7 A，V

GS

= 0 V

V

DD

= - 50 V ，R

L

= 6.49

I

D

- 7.7 A，V

根

= - 10 V ，R

g

= 1.0

F = 1 MHz的

V

GS

= - 10 V

V

DS

= - 50V ，我

D

= - 9.2 A

V

GS

= 0 V

V

DS

= - 25 V ， F = 1兆赫

-

1.5

-

4433

301

208

96

8.4

23.5

3.13

11

78

15

-

- 0.8

5545

380

260

144

-

4.7

17

117

23

- 150

- 1.5

A

V

ns

nC

pF

g

fs

V

DS

= - 100 V

V

DS

= - 100 V，T

J

= 125 °C

V

DS

= - 100 V，T

J

= 175 °C

V

DS

-

5 V

I

D

= - 9.2 A

I

D

= - 9.2 A，T

J

= 125 °C

I

D

= - 9.2 A，T

J

= 175 °C

I

D

= - 7.7 A

- 100

- 1.0

-

- 30

-

- 2.0

-

0.033

-

0.037

35

-

- 2.5

± 100

-1

- 50

- 250

-

0.040

0.074

0.093

0.048

-

S

A

μA

V

nA

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V

DS

= - 15 V，I

D

= - 9.2 A

源极 - 漏极二极管额定值和特性

b

笔记

一。脉冲测试;脉冲宽度

300微秒，占空比

2 %.

B 。通过设计保证，不受生产测试。

。独立的工作温度。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

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SQD40P10-40L

汽车P沟道

100 V（ D- S） 175℃ MOSFET

典型特征

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

40

V

GS

= 10 V直通4 V

32

I

D

- 漏电流（ A）

I

D

- 漏电流（ A）

40

32

24

16

T

C

= 25

°C

8

V

GS

= 3 V

8

T

C

= 125

°C

T

C

= - 55

°C

0

2

4

6

8

10

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

0

1

2

3

4

5

V

GS

-

栅极 - 源

电压（V）的

输出特性

10

100

传输特性

8

80

T

C

= - 55

°C

T

C

= 25

°C

6

T

C

= 25

°C

4

g

fs

- 跨导（S ）

I

D

- 漏电流（ A）

60

T

C

= 125

°C

40

2

T

C

= 125

°C

0

1

2

3

4

5

V

GS

-

栅极 - 源

电压（V）的

T

C

= - 55

°C

20

0

10

20

30

40

50

I

D

- 漏电流（ A）

传输特性

0.10

7000

6000

0.08

R

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

- 电容（pF ）

5000

4000

3000

2000

1000

0.00

0

8

16

24

32

40

0

20

跨

C

国际空间站

0.06

0.04

V

GS

= 4.5 V

0.02

V

GS

= 10 V

C

OSS

C

RSS

40

60

80

100

I

D

- 漏电流（ A）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

导通电阻与漏电流

电容

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汽车P沟道

100 V（ D- S） 175℃ MOSFET

典型特征

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

10

R

DS （ ON）

- 导通电阻（标准化）

2.5

I

D

= 9.2 A

2.0

V

GS

= 10 V

V

GS

-

栅极 - 源

电压（V）的

8

I

D

= 9.2 A

V

DS

= 50 V

6

1.5

V

GS

= 4.5 V

4

1.0

2

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

Q

g

- 总

门

费（ NC ）

0.5

- 50 - 25

0

25

50

75

100

125

150

175

T

J

- 结温（ ° C）

栅极电荷

100

导通电阻与结温

0.25

10

I

S

-

来源

电流（A ）

T

J

= 150

°C

1

0.20

R

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

0.15

0.1

T

J

= 25

°C

0.01

0.10

T

J

= 150

°C

0.05

T

J

= 25

°C

0.001

0.0

0.00

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0

2

4

6

8

10

V

SD

-

源极到漏极

电压（V）的

V

GS

-

栅极 - 源

电压（V）的

源漏二极管正向电压

1.1

- 105

导通电阻与栅极至源极电压

0.8

V

GS （ TH）

方差（ V）

I

D

= 250 μA

0.5

I

D

= 5毫安

0.2

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

- 110

I

D

= 10毫安

- 115

- 120

- 125

- 0.1

- 130

- 0.4

- 50 - 25

0

25

50

75

100

125

150

175

- 135

- 50 - 25

0

25

50

75

100

125

150

175

T

J

- 温度（℃ ）

T

J

- 结温（ ° C）

阈值电压

漏源击穿与结温

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汽车P沟道

100 V（ D- S） 175℃ MOSFET

热额定值

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

1000

I

DM

有限

100

I

D

- 漏电流（ A）

100 μs

10

1毫秒

10毫秒

100毫秒

1

s,10 s,

DC

1

限于由R

DS （ ON）

*

0.1

T

C

= 25

°C

单身

脉冲

BVDSS有限公司

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

* V

GS

>最小V

GS

在r

DS （ ON）

is

特定网络版

安全工作区

2

1

占空比= 0.5

标准化的有效瞬态

热阻抗

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

0.01

10

-4

10

-3

10

-2

方波脉冲都

配给（多个）

10

-1

1

归瞬态热阻抗，结至外壳

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