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SQD19P06-60L
汽车P沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= - 10 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
CON组fi guration
- 60
0.055
0.100
- 20
单身
S
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
低热阻封装
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
AEC- Q101标准
d
TO-252
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
D
P沟道MOSFET
顶视图
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
TO-252
SQD19P06-60L-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流（二极管传导）
a
漏电流脉冲
b
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 60
± 20
- 20
- 11
- 25
- 80
- 24
28
46
15
- 55 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结至外壳（漏）
笔记
一。包装有限。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。参数验证正在进行中。
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
50
3.2
单位
° C / W
1/9
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SQD19P06-60L
汽车P沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 4.5 V
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
源极 - 漏极二极管额定值和
脉冲电流
a
正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
特征
b
I
SM
V
SD
I
F
= - 10 A，V
GS
= 0 V
-
-
-
- 0.85
- 80
- 1.5
A
V
V
DD
= - 30 V ，R
L
= 1.6
I
D
- 19 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
GS
= - 10 V
V
DS
= - 30 V，I
D
= - 19 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= - 25 V ， F = 1兆赫
-
-
-
-
-
-
2.3
-
-
-
-
1192
160
96
27
3.9
5.9
4.7
7
9
25
12
1490
200
120
41
-
-
7.1
11
14
38
18
ns
nC
pF
g
fs
V
DS
= - 60 V
V
DS
= - 60 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= - 60 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
-
5 V
I
D
= - 19 A
I
D
= - 19 A，T
J
= 125 °C
I
D
= - 19 A，T
J
= 175 °C
I
D
= - 10 A
- 60
- 1.5
-
-
-
-
- 20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.046
-
-
0.075
20
-
- 2.5
± 100
-1
- 50
- 150
-
0.055
0.095
0.125
0.100
-
S
A
μA
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 17 A
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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SQD19P06-60L
汽车P沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
30
V
GS
= 10
V
直通5
V
24
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
30
24
18
18
12
V
GS
= 4
V
12
6
6
V
GS
= 2
V,
1
V
V
GS
= 3
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
0
0
3
6
9
12
15
0
0
2
T
C
= - 55 °C
4
6
8
10
V
DS
- 漏 - 源
V
oltage （
V
)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
25
T
C
= - 55 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
传输特性
0.25
克FS - 跨导（S ）
20
0.20
T
C
= 25 °C
15
0.15
V
GS
= 4.5
V
0.10
V
GS
= 10
V
0.05
10
T
C
= 125 °C
5
0
0
5
10
15
20
25
0
0
6
12
18
24
30
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
I
D
- 漏电流（ A）
跨
2000
10
导通电阻与漏电流
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
I
D
= 19 A
8
1500
- 电容（pF ）
C
国际空间站
V
DS
= 30
V
6
1000
4
500
C
OSS
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
栅极电荷
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汽车P沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
2.3
100
I
D
= 10 A
2.0
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
I
S
- 源电流（ A）
V
GS
= 10
V
1.7
10
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.1
1.4
1.1
0.01
0.8
0.5
- 50
0.001
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
导通电阻与结温
0.5
1.0
源漏二极管正向电压
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.7
I
D
= 250 A
0.3
0.4
I
D
= 5毫安
0.1
0.2
0.1
T
J
= 150 °C
- 0.2
0.0
0
2
4
6
T
J
= 25 °C
8
10
- 0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
T
J
- 温度（℃ ）
导通电阻与栅极至源极电压
- 60
I
D
= 10毫安
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
- 64
阈值电压
- 68
- 72
- 76
- 80
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
漏源击穿与结温
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汽车P沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
热额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
I
DM
有限
100
有限
by
R
DS （ ON）
*
I
D
- 漏电流（ A）
100 s
10
1毫秒
1
10毫秒
100毫秒， 1秒，10秒，直流
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
0.01
0.01
*
V
GS
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
2
1
归
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
5/9
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    联系人：杨小姐
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    SQD19P06-60L
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