SQ4920EY
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Vishay Siliconix公司
汽车双N沟道30 V （ DS ） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 4.5 V
I
D
（一）每腿
CON组fi guration
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
G
1
D
2
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
G
2
D
1
特点
30
0.0145
0.0175
8
双
D
2
TrenchFET
功率MOSFET
AEC- Q101标准
d
100 % R
g
和UIS测试
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
SO-8
SQ4920EY-T1-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
连续源电流（二极管传导）
a
漏电流脉冲
b
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
8
7.2
4
32
25
31
4.4
1.4
- 55 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结到脚（漏极）
笔记
一。包装有限。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。参数验证正在进行中。
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJF
极限
110
34
单位
° C / W
S12-1860 -REV 。 C， 13 - 8 - 12
文档编号： 66724
1
如有技术问题，请联系：
automostechsupport@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0, I
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
正向跨导
f
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
关断延时
下降时间
c
脉冲电流
a
正向电压
时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
I
F
= 1.8 A，V
GS
= 0
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.1 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= 15 V ， F = 1兆赫
-
-
-
-
-
-
2.5
-
-
-
-
-
-
1175
225
85
19.7
3.8
2.9
-
7
10
25
8
-
0.75
1465
280
105
30
-
-
7.5
10
15
37
12
32
1.1
A
V
ns
nC
pF
g
fs
V
DS
= 30 V
V
DS
= 30 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 30 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
5
V
I
D
= 5 A
I
D
= 6 A
I
D
= 6 A，T
J
= 125 °C
I
D
= 6 A，T
J
= 175 °C
30
1.5
-
-
-
-
30
-
-
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
0.016
0.013
-
-
43
-
2.5
± 100
1.0
50
150
-
0.0175
0.0145
0.024
0.028
-
S
A
μA
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
源极 - 漏极二极管额定值和特性
b
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
S12-1860 -REV 。 C， 13 - 8 - 12
文档编号： 66724
2
如有技术问题，请联系：
automostechsupport@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
40
V
GS
= 10 V直通4 V
32
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
Vishay Siliconix公司
40
32
24
24
16
V
GS
= 3 V
8
16
T
C
= 25 °C
8
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
0
0
2
4
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
0
0
1
2
3
4
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
5
输出特性
传输特性
100
0.05
g
fs
- 跨导（S ）
80
T
C
= - 55 °C
60
T
C
= 25 °C
40
T
C
= 125 °C
20
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.04
0.03
0.02
V
GS
= 4.5 V
0.01
V
GS
= 10 V
0
0
3
6
9
I
D
- 漏电流（ A）
12
15
0
0
8
16
24
32
40
I
D
- 漏电流（ A）
跨
导通电阻与漏电流
1500
C
国际空间站
1200
- 电容（pF ）
10
I
D
= 6.1 A
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
8
900
6
V
DS
= 15 V
4
600
300
C
OSS
2
0
0
C
RSS
0
5
10
15
20
25
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
30
0
5
10
15
Q
g
- 总
门
费（ NC ）
20
电容
栅极电荷
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3
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
2.0
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
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100
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
I
S
-
来源
电流（A ）
1.7
10
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
1.4
V
GS
= 4.5 V
1.1
0.1
0.8
0.01
0.5
- 50
0.001
- 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温（ ° C）
150
175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
1.2
导通电阻与结温
0.15
I
D
= 4.2 A
0.12
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
漏源击穿与结温
0.6
0.3
V
GS （ TH）
方差（ V）
0
0.09
- 0.3
I
D
= 5毫安
- 0.6
I
D
= 250 μA
- 0.9
0.06
T
J
= 150 °C
0.03
0
0
T
J
= 25 °C
2
4
6
8
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
10
- 1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 温度（℃ ）
源漏二极管正向电压
40
I
D
= 1毫安
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与栅极至源极电压
38
36
34
32
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温（ ° C）
阈值电压
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4
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热额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
100
I
DM
有限
限于由R
DS （ ON）
*
10
I
D
- 漏电流（ A）
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100 μs
1毫秒
1
I
D
有限
10毫秒
100毫秒
1
s
10
s,
DC
T
C
= 25
°C
单身
脉冲
BVDSS有限公司
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
is
特定网络版
100
安全工作区
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
方波脉冲持续时间（ S）
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 110
° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到环境
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汽车双N沟道
30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0, I
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
正向跨导
f
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
脉冲电流
a
正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
I
F
= 1.8 A，V
GS
= 0
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.1 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= 15 V ， F = 1兆赫
-
-
-
-
-
-
2.5
-
-
-
-
-
-
1175
225
85
19.7
3.8
2.9
-
7
10
25
8
-
0.75
1465
280
105
30
-
-
7.5
10
15
37
12
32
1.1
A
V
ns
nC
pF
g
fs
V
DS
= 30 V
V
DS
= 30 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 30 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
5
V
I
D
= 5 A
I
D
= 6 A
I
D
= 6 A，T
J
= 125 °C
I
D
= 6 A，T
J
= 175 °C
30
1.5
-
-
-
-
30
-
-
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
0.016
0.013
-
-
43
-
2.5
± 100
1.0
50
150
-
0.0175
0.0145
0.024
0.028
-
S
A
μA
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
源极 - 漏极二极管额定值和特性
b
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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