SQ4435EY
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Vishay Siliconix公司
汽车P沟道30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= - 10 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
CON组fi guration
- 30
0.018
0.031
- 15
单身
S
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
AEC- Q101标准
c
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
G
D
P沟道MOSFET
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
SO-8
SQ4435EY-T1-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流（二极管传导）
漏电流脉冲
a
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 30
± 20
- 15
- 8.7
- 6.2
- 60
- 25
31
6.8
2.3
- 55 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结到脚（漏极）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。参数验证正在进行中。
印刷电路板安装
b
符号
R
thJA
R
thJF
极限
85
22
单位
° C / W
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1
文档编号： 67932
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特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0, I
D
= - 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 4.5 V
正向跨导
b
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
脉冲电流
a
正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
I
F
= - 8 A，V
GS
= 0
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 15
I
D
- 1 ，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
GS
= - 10 V
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 4.6 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= - 15 V ， F = 1兆赫
-
-
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
1736
392
268
38.3
5.9
9
-
12.5
9
45.3
10
-
- 0.84
2170
490
335
58
-
-
7
19
15
68
15
- 60
- 1.2
A
V
ns
nC
pF
g
fs
V
DS
= - 30 V
V
DS
= - 30 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= - 30 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
-
5 V
I
D
= - 8 A
I
D
= - 8 A，T
J
= 125 °C
I
D
= - 8 A，T
J
= 175 °C
I
D
= - 6 A
- 30
- 1.5
-
-
-
-
- 30
-
-
-
-
-
-
- 2.0
-
-
-
-
-
0.013
-
-
0.023
22
-
- 2.5
± 100
-1
- 50
- 150
-
0.018
0.026
0.030
0.031
-
S
A
μA
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 8 A
源极 - 漏极二极管额定值和特性
b
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
50
V
GS
= 10 V直通5 V
40
I
D
- 漏电流（ A）
Vishay Siliconix公司
50
40
I
D
- 漏电流（ A）
30
V
GS
= 4 V
20
30
20
T
C
= 25
°C
10
V
GS
= 3 V
0
0
2
4
6
8
10
10
T
C
= 125
°C
T
C
= - 55
°C
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
输出特性
40
0.05
传输特性
g
fs
- 跨导（S ）
T
C
= 25 °C
24 T
C
= - 55 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
32
0.04
0.03
V
GS
= 4.5 V
0.02
16
T
C
= 125 °C
8
0.01
V
GS
= 10 V
0
0
5
10
15
20
25
0.00
0
10
20
30
40
50
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
跨
3000
10
导通电阻与漏电流
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
2500
- 电容（pF ）
I
D
= 4.6 A
8
2000
C
国际空间站
6
1500
4
1000
C
OSS
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
500
2
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
- 总
门
费（ NC ）
电容
栅极电荷
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
2.0
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
I
D
= 8 A
1.7
V
GS
= 10 V
I
S
-
来源
电流（A ）
10
T
J
= 150
°C
100
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1.4
1
T
J
= 25
°C
0.1
1.1
V
GS
= 4.5 V
0.8
0.01
0.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
- 结温（ ° C）
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
导通电阻与结温
1.0
- 30
源漏二极管正向电压
I
D
= 1毫安
0.7
I
D
= 250 μA
V
GS （ TH）
方差（ V）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
175
- 32
0.4
I
D
= 5毫安
0.1
- 34
- 36
- 0.2
- 38
- 0.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
- 40
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 温度（℃ ）
T
J
- 结温（ ° C）
阈值电压
漏源击穿与结温
100
I
DM
有限
100 s
I
D
- 漏电流（ A）
10
受
R
DS （ ON）
*
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
10秒， DC
0.1
T
C
= 25 °C
单脉冲
BVDSS有限公司
0.01
0.01
*
V
GS
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
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热额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
1
占空比= 0.5
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标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
注意事项：
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 85°C / W
t
1
t
2
0.01
10
-4
单身
脉冲
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.
表面
安装
100
1000
方
波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单身
脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
方
波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到脚
记
在两个图中示出的特征
- 归瞬态热阻抗结点到环境温度（ 25 ° C）
- 归瞬态热阻抗结到脚（ 25 ° C）
给出了一般性指导方针仅使得用户能够获得的一部分功能的“球公园”的指示。该数据是从单一萃取
脉冲，从实验测量发达瞬态热阻抗特性。后者是有效的部
安装在印刷电路板 - FR4，尺寸1" 1" X X 0.062" ，双面带2盎司铜，100％在两侧。部分功能
根据实际应用的参数和操作条件可以广泛地变化。
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
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