SQ2360EES
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Vishay Siliconix公司
汽车N沟道60 V （D -S ）， 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
CON组fi guration
TO-236
(SOT-23)
特点
60
0.085
0.130
4.4
单身
D
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
AEC- Q101标准
c
100 % R
g
和UIS测试
典型ESD保护800 V
符合RoHS指令2002/95 / EC
G
1
3
D
G
S
2
顶视图
SQ2360EES
标识代码：
8Mxxx
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
SOT-23
SQ2360EES-T1-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流（二极管传导）
漏电流脉冲
a
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
4.4
2.5
3.7
17
6
1.8
3
1
- 55 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结到脚（漏极）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。参数验证正在进行中。
印刷电路板安装
b
符号
R
thJA
R
thJF
极限
166
50
单位
° C / W
S11-2111 -REV 。 E， 07 - NOV- 11
1
文档编号： 65352
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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SQ2360EES
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特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0, I
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
b
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
脉冲电流
a
正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
I
F
= 1.5 A，V
GS
= 0
V
DD
= 30 V ，R
L
= 15
I
D
2 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V
V
DS
= 30 V，I
D
= 2 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
-
-
-
-
-
-
1.24
-
-
-
-
-
-
295
55
35
7.40
0.95
1.94
2.46
5
11
10
8
-
0.8
370
70
55
12
-
-
3.68
8
17
15
12
17
1.2
A
V
ns
nC
pF
g
fs
V
DS
= 60 V
V
DS
= 60 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 60 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
5
V
I
D
= 6 A，T
J
= 25 °C
I
D
= 6 A，T
J
= 125 °C
I
D
= 6 A，T
J
= 175 °C
I
D
= 5 A
60
1.5
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.058
-
-
0.081
5.8
-
2.5
± 5.5
1
50
150
-
0.085
0.197
0.258
0.130
-
A
S
μA
V
μA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= - 15 V，I
D
= 1.9 A
源极 - 漏极二极管额定值和特性
b
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
S11-2111 -REV 。 E， 07 - NOV- 11
2
文档编号： 65352
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
0.005
10
-2
Vishay Siliconix公司
0.004
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
I
GSS
- 栅电流（ A）
10
-4
0.003
T
J
= 25 °C
0.002
T
J
= 150 °C
10
-6
T
J
= 25 °C
10
-8
0.001
0.000
0
6
12
18
24
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
30
10
-10
0
6
12
18
24
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
30
栅电流与栅源电压
12
V
GS
= 10
V
直通5
V
10
V
GS
= 4
V
I
D
- 漏电流（ A）
8
I
D
- 漏电流（ A）
8
10
12
栅电流与栅源电压
6
6
4
4
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
2
V
GS
= 3
V
2
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
10
0.25
传输特性
g
fs
- 跨导（S ）
T
C
= - 55 °C
6
T
C
= 25 °C
4
T
C
= 125 °C
2
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
8
0.20
0.15
0.10
V
GS
= 4.5
V
V
GS
= 10
V
0.05
0
0.0
0.00
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
2
I
D
- 漏电流（ A）
4
6
8
I
D
- 漏电流（ A）
10
12
跨
导通电阻与漏电流
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
600
10
V
DS
= 30 V
I
D
= 2 A
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
8
Vishay Siliconix公司
500
- 电容（pF ）
400
C
国际空间站
6
300
4
200
C
OSS
C
RSS
100
2
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
- 总
门
费（ NC ）
电容
2.5
栅极电荷
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（标准化）
I
D
= 1.5 A
2.1
V
GS
= 10
V
I
S
- 源电流（ A）
1
T
J
= 25 °C
0.1
T
J
= 150 °C
1.7
1.3
0.01
0.9
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温（ ° C）
150
175
0.001
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
1.5
导通电阻与结温
0.5
0.5
源极 - 漏极二极管正向电压
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.4
V
GS （ TH）
方差
(V)
0.2
0.3
- 0.1
0.2
T
J
= 125 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
- 0.4
I
D
= 250 A
- 0.7
I
D
= 5毫安
- 1.0
- 50
- 25
0
25
50
75 100
T
J
- 温度（℃ ）
125
150
175
导通电阻与栅源电压
阈值电压
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典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
80
I
DM
有限
Vishay Siliconix公司
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
I
D
= 1毫安
76
I
D
- 漏电流（ A）
10
100 μs
限于由R
DS （ ON）
*
72
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
s
10
s,
DC
68
0.1
64
T
C
= 25 °C
单身
脉冲
BVDSS有限公司
60
- 50
- 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温（ ° C）
150
175
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
is
特定网络版
漏源击穿与结温
安全工作区
热额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
2
1
占空比= 0.5
N
ormalized有效的瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 166 ° C / W
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
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汽车N沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0, I
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
b
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
脉冲电流
a
正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
I
F
= 1.5 A，V
GS
= 0
V
DD
= 30 V ，R
L
= 15
I
D
2 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V
V
DS
= 30 V，I
D
= 2 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
-
-
-
-
-
-
1.24
-
-
-
-
-
-
295
55
35
7.40
0.95
1.94
2.46
5
11
10
8
-
0.8
370
70
55
12
-
-
3.68
8
17
15
12
17
1.2
A
V
ns
nC
pF
g
fs
V
DS
= 60 V
V
DS
= 60 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 60 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
5
V
I
D
= 6 A，T
J
= 25 °C
I
D
= 6 A，T
J
= 125 °C
I
D
= 6 A，T
J
= 175 °C
I
D
= 5 A
60
1.5
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.058
-
-
0.081
5.8
-
2.5
± 5.5
1
50
150
-
0.085
0.197
0.258
0.130
-
A
S
μA
V
μA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= - 15 V，I
D
= 1.9 A
源极 - 漏极二极管额定值和特性
b
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
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