【SQ2328ES汽车N沟道100 V（ D- S） 175℃ MOSFET产品概述VDS(V)RDS】,IC型号SQ2328ES,SQ2328ES PDF资料,SQ2328ES经销商,ic,电子元器件-51电子网

SQ2328ES

汽车N沟道

100 V（ D- S） 175℃ MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

R

DS （ ON）

（）在V

GS

= 10 V

I

D

(A)

CON组fi guration

TO-236

(SOT-23)

100

0.300

2

单身

D

特点

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

TrenchFET

功率MOSFET

AEC- Q101标准

c

100 % R

g

和UIS测试

符合RoHS指令2002/95 / EC

G

1

3

D

G

S

2

顶视图

SQ2328ES （ 8L ） *

*标识代码

S

N沟道MOSFET

订购信息

包

铅（ Pb），且无卤

SOT-23

SQ2328ES-T1-GE3

绝对最大额定值

(T

C

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

连续源电流（二极管传导）

漏电流脉冲

a

单脉冲雪崩电流

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

a

工作结存储温度范围

L = 0.1 mH的

T

C

= 25 °C

T

C

= 125 °C

T

C

= 25 °C

T

C

= 125 °C

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

S

I

DM

I

AS

E

AS

P

D

T

J

, T

英镑

极限

100

± 20

2

1.2

3.7

8

5

1.3

3

1

- 55 + 175

mJ

W

°C

A

单位

V

热电阻额定值

参数

结到环境

结到脚（漏极）

笔记

一。脉冲测试;脉冲宽度

300微秒，占空比

2 %.

B 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料）。

。参数验证正在进行中。

印刷电路板安装

b

符号

R

thJA

R

thJF

极限

166

50

单位

° C / W

1 / 10

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SQ2328ES

汽车N沟道

100 V（ D- S） 175℃ MOSFET

特定网络阳离子

(T

C

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

门源阈值电压

栅源漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

a

漏源导通电阻

a

正向跨导

b

动态

b

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

c

栅极 - 源电荷

c

栅极 - 漏极电荷

c

栅极电阻

导通延迟时间

c

上升时间

c

打开-O FF延迟时间

c

下降时间

c

源极 - 漏极二极管额定值和

脉冲电流

a

正向电压

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

R

g

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

特征

b

I

SM

V

SD

I

F

= 1.5 A，V

GS

= 0 V

-

0.8

8

1.2

A

V

DD

= 50 V ，R

L

= 33

I

D

2 A，V

根

= 10 V ，R

g

= 1

F = 1 MHz的

V

GS

= 10 V

V

DS

= 50 V，I

D

= 1.5 A

V

GS

= 0 V

V

DS

= 25 V ， F = 1兆赫

-

0.9

-

152

28

12

3.6

0.9

1.2

1.8

5

10

9

6

190

35

15

5.4

-

2.7

8

15

14

9

ns

nC

pF

V

DS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

R

DS （ ON）

g

fs

V

GS

= 0 V，I

D

= 250 μA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 μA

V

DS

= 0 V, V

GS

= ± 20 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V

V

GS

= 10 V

V

DS

= 100 V

V

DS

= 100 V，T

J

= 125 °C

V

DS

= 100 V，T

J

= 175 °C

V

DS

5

V

I

D

= 1.5 A

I

D

= 1.5 A，T

J

= 125 °C

I

D

= 1.5 A，T

J

= 175 °C

100

2.5

-

5

-

3.0

-

0.214

-

3

-

3.5

± 100

1

50

150

-

0.300

0.552

0.720

-

S

A

μA

V

nA

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V

DS

= 15 V，I

D

= 1.5 A

笔记

一。脉冲测试;脉冲宽度

300微秒，占空比

2 %.

B 。通过设计保证，不受生产测试。

。独立的工作温度。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大

额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

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汽车N沟道

100 V（ D- S） 175℃ MOSFET

典型特征

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

10

V

GS

= 10 V到7 V

8

8.0

6.0

I

D

- 漏电流（ A）

6

I

D

- 漏电流（ A）

V

GS

= 6 V

4.0

T

C

= 25

°C

4

V

GS

= 5 V

2

2.0

T

C

= 125

°C

V

GS

= 3 V

0

2

4

6

8

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

10

T

C

= - 55

°C

10.0

0.0

2.0

4.0

6.0

8.0

V

GS

-

栅极 - 源

电压（V）的

输出特性

2.0

传输特性

5.0

T

C

= - 55

°C

1.6

4.0

g

fs

- 跨导（S ）

T

C

= 25

°C

T

C

= 125

°C

I

D

- 漏电流（ A）

1.2

T

C

= 25

°C

0.8

3.0

2.0

0.4

T

C

= 125

°C

0.0

0

2

4

6

8

10

V

GS

-

栅极 - 源

电压（V）的

T

C

= - 55

°C

1.0

0.0

0.6

1.2

1.8

I

D

- 漏电流（ A）

2.4

3.0

传输特性

0.5

跨

300

0.4

R

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

250

- 电容（pF ）

200

C

国际空间站

0.3

V

GS

= 10 V

150

0.2

100

0.1

50

C

OSS

C

RSS

0

20

40

60

80

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

100

0.0

0

2

4

6

8

10

12

I

D

- 漏电流（ A）

0

导通电阻与漏电流

电容

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100 V（ D- S） 175℃ MOSFET

典型特征

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

10

R

DS （ ON）

- 导通电阻（标准化）

2.5

I

D

= 1.5 A

V

GS

-

栅极 - 源

电压（V）的

8

I

D

= 1.5 A

V

DS

= 50 V

2.1

V

GS

= 10 V

6

1.7

4

1.3

2

0.9

0

1

2

3

4

5

Q

g

- 总

门

费（ NC ）

0.5

- 50 - 25

0

25

50

75

100

125

150

175

T

J

- 结温（ ° C）

栅极电荷

100

导通电阻与结温

1.0

10

T

J

= 150

°C

1

T

J

= 25

°C

0.1

0.8

R

DS （ ON）

- 导通电阻（ Ω ）

I

S

-

来源

电流（A ）

0.6

T

J

= 150

°C

0.4

0.01

0.2

T

J

= 25

°C

0.001

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0

V

SD

-

源极到漏极

电压（V）的

2

4

6

8

V

GS

-

栅极 - 源

电压（V）的

10

源漏二极管正向电压

0.5

135

导通电阻与栅极至源极电压

I

D

= 1毫安

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

0.2

128

V

GS （ TH）

方差（ V）

- 0.1

121

- 0.4

I

D

= 5毫安

114

- 0.7

I

D

= 250 μA

- 1.0

107

- 1.3

- 50 - 25

0

25

50

75

100

125

150

175

100

- 50 - 25

0

25

50

75

100

125

150

175

T

J

- 温度（℃ ）

T

J

- 结温（ ° C）

阈值电压

漏源击穿与结温

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100 V（ D- S） 175℃ MOSFET

热额定值

(T

A

= 25 ℃，除非另有说明）

100

I

DM

有限

10

I

D

- 漏电流（ A）

100 μs

1

1毫秒

10毫秒

0.1

限于由R

DS （ ON）

*

T

C

= 25

°C

单身

脉冲

BVDSS有限公司

100毫秒

1

s,

10

s,

DC

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

* V

GS

>最小V

GS

在r

DS （ ON）

is

特定网络版

安全工作区

1

占空比= 0.5

归

有效的瞬态

热阻抗

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

0.01

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

方波脉冲持续时间（ S）

注意事项：

P

DM

t

1

t

2

1.占空比D =

t

1

t

2

2.每单位基础= R

thJA

= 166 ° C / W

3. T

JM

- T

F

= P

DM

Z

thJF （T ）

4.表层嵌

1

10

归瞬态热阻抗，结到环境

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