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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1410页 > SPW47N60C2
最终数据
SPW47N60C2
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
世界范围内最好的
R
DS （ ON）
在247个
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
600
0.07
47
P-TO247
V
A
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
提高抗干扰
TYPE
SPW47N60C2
包
P-TO247
订购代码
Q67040-S4323
记号
47N60C2
最大额定值，在
T
C
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
I
D
价值
47
30
单位
A
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=10A,
V
DD
=50V
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
94
1800
1
20
6
±20
415
-55... +150
A
V / ns的
V
W
°C
mJ
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
JMAX 1 ）
I
D
=20A,
V
DD
=50V
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
=47A,
V
DS
＆ LT ;
V
DD
，的di / dt = 100A / μs的，
T
JMAX
=150°C
门源电压
功耗，
T
C
= 25°C
工作和存储温度
第1页
2002-10-07
最终数据
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
线性降额因子
焊接温度，
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
SPW47N60C2
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
T
出售
-
-
-
-
值
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
0.3
62
3.33
260
单位
K / W
W / K
°C
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DS
V
GS （ TH）
I
DSS
600
-
3.5
-
700
4.5
-
-
5.5
V
漏源雪崩击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=20A
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=2.7mA
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 600 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 600 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
A
-
-
0.5
-
-
0.06
0.62
25
250
100
0.07
-
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
I
GSS
R
DS （ ON）
R
G
-
-
-
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=30A,
T
j
=25°C
门输入电阻
f
= 1 MHz时，漏极开路
1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
= E * F。
AV
AR
第2页
2002-10-07
最终数据
电气特性
在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
特征
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=30A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
SPW47N60C2
符号
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
V
DD
=380V,
V
GS
=0/13V,
I
D
=47A,
R
G
=1.8,
T
j
=125°C
值
典型值。
30
8800
3150
36
233
470
28
9.5
103
9.6
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
155
14.4
单位
S
pF
有效输出电容，
1)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
2)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
pF
-
-
-
-
ns
V
DD
=350V,
I
D
=47A
-
-
-
-
56
123
220
8
-
-
286
-
nC
V
DD
=350V,
I
D
=47A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=350V,
I
D
=47A
V
1
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
2
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
第3页
2002-10-07
最终数据
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
特征
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
秋天反向峰值速率
恢复电流
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
di
rr
/ DT
V
GS
=0V,
I
F
=I
S
V
R
=350V,
I
F
=I
S
,
di
F
/dt=100A/s
SPW47N60C2
符号
条件
分钟。
值
典型值。
-
-
1
650
24
62
2500
马克斯。
47
94
1.2
1100
-
-
-
单位
I
S
I
SM
T
C
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
A
V
ns
C
A
A / μs的
典型的瞬态热特性
符号
热阻
R
th1
R
th2
R
th3
R
th4
R
th5
R
th6
0.002694
0.006036
0.00791
0.023
0.035
0.018
K / W
价值
典型值。
热容
C
th1
C
th2
C
th3
C
th4
C
th5
C
th6
0.001219
0.004011
0.006484
0.008028
0.05
0.316
WS / K
单位
符号
价值
典型值。
单位
T
j
P
合计
(t)
R
th1
R
日，正
T
例
xternal eatsink
C
th1
C
th2
C
日，正
T
上午B
第4页
2002-10-07
最终数据
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
500
SPW47N60C2
SPW47N60C2
2安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
2
W
A
400
10
1
350
P
合计
300
250
200
150
I
D
10
0
10
-1
100
50
0
0
10
-2 0
10
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
DC
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
1
10
2
T
C
10
V
V
DS
3
3瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
4典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 10 s,
V
GS
220
K / W
10
0
A
180
160
20V
15V
12V
11V
Z
thJC
I
D
10
-1
140
120
10V
10
-2
10
-3
D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
单脉冲
100
80
60
40
20
9V
8V
7V
10
-4 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
0
s
10
t
p
0
0
5
10
15
V
V
DS
25
第5页
2002-10-07
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