【SPW35N60CFD的CoolMOSTM功率晶体管特点新的革命高电压技术内在的快速恢复体二极管极低】,IC型号SPW35N60CFD,SPW35N60CFD PDF资料,SPW35N60CFD经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPW35N60CFD

的CoolMOS

TM

功率晶体管

特点

新的革命高电压技术

内在的快速恢复体二极管

极低的反向恢复电荷

超低栅极电荷

至尊的dv / dt评分

高峰值电流能力

定期额定雪崩

根据JEDEC合格

1)

为目标的应用

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

I

D

600

V

0.118

34

A

PG-TO247

TYPE

SPW35N60CFD

包

PG-TO247

订购代码

Q67045A5053

记号

35N60CFD

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

2)

雪崩能量，单脉冲

雪崩能量，重复

t

AR2),3)

雪崩电流，重复性

t

AR2),3)

漏源电压斜率

反向二极管的dv / dt

最大的二极管整流速度

门源电压

I

D，脉冲

E

AS

E

AR

I

AR

的dV / dt

的di / dt

V

GS

I

D

=34.1 A,

V

DS

=480 V,

T

j

=125 °C

I

S

=34.1 A,

V

DS

=480 V,

T

j

=125 °C

STATIC

AC （F >1赫兹）

功耗

工作和存储温度

修订版1.3

P

合计

T

j

,

T

英镑

第1页

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=10 A,

V

DD

=50 V

I

D

=20 A,

V

DD

=50 V

价值

34.1

21.6

85

1300

1

20

80

40

600

±20

±30

313

-55 ... 150

W

°C

2008-04-17

A

V / ns的

A / μs的

V

mJ

单位

A

请注意，新的封装尺寸arccording到PCN 2009-134 -A

SPW35N60CFD

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

热阻，结 -

环境

R

thJC

R

thJA

含铅

1.6毫米（ 0.063英寸）

从案例10秒

-

0.4

62

K / W

值

典型值。

马克斯。

单位

焊接温度，波峰焊

T

出售

-

260

°C

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

雪崩击穿电压

栅极阈值电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=250 A

V

（ BR ） DS

V

GS （ TH）

V

GS

=0 V,

I

D

=34.1 A

V

DS

=V

GS

,

I

D

= 1.9毫安

V

DS

=600 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=600 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=21.6 A,

T

j

=25 °C

V

GS

=10 V,

I

D

=21.6 A,

T

j

=150 °C

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

f

= 1 MHz时，漏极开路

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=21.6 A

600

-

3

-

700

4

-

5

V

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

4

-

A

-

3300

-

0.10

-

100

0.118

nA

-

0.23

0.6

21

-

S

修订版1.3

第2页

2008-04-17

请注意，新的封装尺寸arccording到PCN 2009-134 -A

SPW35N60CFD

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

有效输出电容，能量

相关

4)

有效的输出电容，时间

related5

)

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

1)

值

典型值。

马克斯。

单位

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

O（ ER ）

V

GS

=0 V,

V

DS

=0 V

伏至480伏

C

O（ TR ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=400 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=34.1 A,

R

G

=3.3

V

GS

=0 V,

V

DS

=25 V,

f

= 1兆赫

-

5060

1400

52

162

-

pF

-

299

20

25

65

12

-

ns

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=480 V,

I

D

=34.1 A,

V

GS

= 0到10伏

-

36

87

163

7.2

-

212

-

nC

V

J- STD20和JESD22

脉冲宽度

t

p

受

T

， MAX

重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

AV

=E

AR

*f.

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

2)

3)

4)

5)

修订版1.3

第3页

2008-04-17

请注意，新的封装尺寸arccording到PCN 2009-134 -A

SPW35N60CFD

参数

符号条件

分钟。

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

V

R

=480 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=34.1 A,

T

j

=25 °C

-

1.0

180

1.5

16

34.1

85

1.2

-

V

ns

C

A

值

典型值。

马克斯。

单位

典型的瞬态热特性

符号

价值

典型值。

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

0.00441

0.00608

0.0341

0.0602

0.0884

K / W

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

单位

符号

价值

典型值。

0.00037

0.00223

0.00315

0.0179

0.098

4.4

5)

WS / K

单位

5)

C

th6

模型的包的情况下的非理想冷却的附加热容量。它是不需要的，如果

R

THCA

= 0 K / W 。

修订版1.3

第4页

2008-04-17

请注意，新的封装尺寸arccording到PCN 2009-134 -A

SPW35N60CFD

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

400

10

2

限于由导通状态

阻力

10 s

1 s

100 s

300

10

1

DC

1毫秒

P

合计

[W]

200

I

D

[A]

10毫秒

10

0

100

0

40

80

120

160

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

T

C

[°C]

V

DS

[V]

3最大。瞬态热阻抗

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

D =吨

p

/T

10

0

4典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

90

20 V

10 V

0.5

75

10

-1

8V

0.2

60

Z

thJC

〔 K / W〕

I

D

[A]

0.1

45

0.05

10

-2

0.02

0.01

单脉冲

7V

30

6.5 V

15

6V

5.5 V

10

-3

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

5

10

5V

15

20

t

p

[s]

V

DS

[V]

修订版1.3

第5页

2008-04-17

请注意，新的封装尺寸arccording到PCN 2009-134 -A

SPW35N60CFD

的CoolMOS

特点

TM

功率晶体管

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

I

D

600

V

新的革命高电压技术

内在的快速恢复体二极管

极低的反向恢复电荷

超低栅极电荷

至尊的dv / dt评分

高峰值电流能力

定期额定雪崩

根据JEDEC合格

1)

为目标的应用

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

0.118

34

A

PG-TO247

TYPE

SPW35N60CFD

包

PG-TO247

订购代码

Q67045A5053

记号

35N60CFD

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

2)

雪崩能量，单脉冲

雪崩能量，重复

t

AR2),3)

雪崩电流，重复性

t

AR2),3)

漏源电压斜率

反向二极管的dv / dt

最大的二极管整流速度

门源电压

I

D，脉冲

E

AS

E

AR

I

AR

的dV / dt

的di / dt

V

GS

I

D

=34.1 A,

V

DS

=480 V,

T

j

=125 °C

I

S

=34.1 A,

V

DS

=480 V,

T

j

=125 °C

STATIC

AC （F >1赫兹）

功耗

工作和存储温度

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=10 A,

V

DD

=50 V

I

D

=20 A,

V

DD

=50 V

价值

34.1

21.6

85

1300

1

20

80

40

600

±20

±30

313

-55 ... 150

W

°C

A

V / ns的

A / μs的

V

mJ

单位

A

修订版1.2

第1页

2005-06-28

SPW35N60CFD

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

热阻，结 -

环境

R

thJC

R

thJA

含铅

1.6毫米（ 0.063英寸）

从案例10秒

-

0.4

62

K / W

值

典型值。

马克斯。

单位

焊接温度，波峰焊

T

出售

-

260

°C

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

雪崩击穿电压

栅极阈值电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=250 A

V

（ BR ） DS

V

GS （ TH）

V

GS

=0 V,

I

D

=34.1 A

V

DS

=V

GS

,

I

D

= 1.9毫安

V

DS

=600 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=600 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=21.6 A,

T

j

=25 °C

V

GS

=10 V,

I

D

=21.6 A,

T

j

=150 °C

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

f

= 1 MHz时，漏极开路

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=21.6 A

600

-

3

-

700

4

-

5

V

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

4

-

A

-

3300

-

0.10

-

100

0.118

nA

-

0.23

0.6

21

-

S

修订版1.2

第2页

2005-06-28

SPW35N60CFD

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

有效输出电容，能量

相关

4)

有效的输出电容，时间

related5

)

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

1)

2)

值

典型值。

马克斯。

单位

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

O（ ER ）

V

GS

=0 V,

V

DS

=0 V

伏至480伏

C

O（ TR ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=400 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=34.1 A,

R

G

=3.3

V

GS

=0 V,

V

DS

=25 V,

f

= 1兆赫

-

5060

1400

52

162

-

pF

-

299

20

25

65

12

-

ns

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=480 V,

I

D

=34.1 A,

V

GS

= 0到10伏

-

36

87

163

7.2

-

212

-

nC

V

J- STD20和JESD22

脉冲宽度

t

p

受

T

， MAX

重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

AV

=E

AR

*f.

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

3)

4)

5)

修订版1.2

第3页

2005-06-28

SPW35N60CFD

参数

符号条件

分钟。

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

V

R

=480 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=34.1 A,

T

j

=25 °C

-

1.0

180

1.5

16

34.1

85

1.2

-

V

ns

C

A

值

典型值。

马克斯。

单位

典型的瞬态热特性

符号

价值

典型值。

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

0.00441

0.00608

0.0341

0.0602

0.0884

K / W

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

单位

符号

价值

典型值。

0.00037

0.00223

0.00315

0.0179

0.098

4.4

5)

WS / K

单位

5)

C

th6

模型的包的情况下的非理想冷却的附加热容量。它是不需要的，如果

R

THCA

= 0 K / W 。

修订版1.2

第4页

2005-06-28

SPW35N60CFD

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

400

10

2

限于由导通状态

阻力

1 s

10 s

100 s

300

10

1

DC

1毫秒

P

合计

[W]

200

I

D

[A]

10毫秒

10

0

100

0

40

80

120

160

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

T

C

[°C]

V

DS

[V]

3最大。瞬态热阻抗

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

D =吨

p

/T

10

0

4典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

90

20 V

10 V

0.5

75

10

-1

8V

0.2

60

Z

thJC

〔 K / W〕

I

D

[A]

0.1

45

0.05

10

-2

0.02

0.01

单脉冲

7V

30

6.5 V

15

6V

5.5 V

10

-3

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

5

10

5V

15

20

t

p

[s]

V

DS

[V]

修订版1.2

第5页

2005-06-28