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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第257页 > SPW17N80C2
初步数据
SPW17N80C2
酷MOS 功率晶体管
特征
·
·
·
·
·
·
OLMOS
O
功率半导体
新的革命高电压技术
世界范围内最好的
R
DS （ ON）
在247个
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
800
290
17
P-TO247
V
m
W
A
TYPE
SPW17N80C2
包
P-TO247
订购代码
Q67040-S4359
记号
SPW17N80C2
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
价值
17
11
51
670
0.5
17
6
±20
208
-55... +150
单位
A
I
D
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=4A,
V
DD
=50V
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
dv / dt的
mJ
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
jmax1)
I
D
=17A,
V
DD
=50V
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
=17A,
V
DS
＆ LT ;
V
DD
，的di / dt = 100A / μs的，
T
JMAX
=150°C
A
V / ns的
V
W
°C
门源电压
功耗
T
C
= 25 °C
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
第1页
工作和存储温度
2000-05-29
初步数据
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
符号
分钟。
SPW17N80C2
值
典型值。
-
-
马克斯。
0.6
62
单位
R
thJC
R
thJA
-
-
K / W
线性降额因子
焊接温度，
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
-
-
-
1.67
260
W / K
°C
T
出售
-
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DS
V
GS （ TH）
I
DSS
800
-
2
-
870
3
-
-
4
V
漏源雪崩击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=17A
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=1mA
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 800 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 800 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
A
-
-
-
-
-
0.5
-
-
250
0.7
25
250
100
290
-
nA
m
W
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
I
GSS
R
DS （ ON）
R
G
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=11A,
T
j
=25°C
门输入电阻
W
f
= 1 MHz时，漏极开路
1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
= E * F。
AR
AV
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初步数据
电气特性
在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
特征
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
条件
分钟。
SPW17N80C2
值
典型值。
15
2320
1250
60
59
124
45
17
77
10
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
88
13
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=11A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
-
-
S
pF
有效输出电容，
1)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
2)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至640 V
pF
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=400V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=17A,
R
G
=5.6
W
,
T
j
=125°C
-
-
-
-
ns
V
DD
=640V,
I
D
=17A
-
-
-
-
9
42
83
6
-
-
107
-
nC
V
DD
=640V,
I
D
=17A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=640V,
I
D
=17A
V
1
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
2
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
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2000-05-29
初步数据
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
条件
分钟。
SPW17N80C2
值
典型值。
-
-
1
550
13
40
1200
马克斯。
17
51
1.2
-
-
-
-
单位
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25°C
-
-
A
V
GS
=0V,
I
F
=
I
S
V
R
=400V,
I
F
=
I
S
,
di
F
/dt=100A/s
-
-
-
-
-
V
ns
C
A
A / μs的
峰值反向恢复电流
I
RRM
秋天反向峰值速率
di
rr
/
dt
恢复电流
瞬态热特性
符号
价值
典型值。
瞬态热阻抗
热阻
单位
符号
价值
典型值。
单位
热容
0.00716
0.01
0.022
0.065
0.083
0.038
K / W
R
th1
R
th2
R
th3
R
th4
R
th5
R
th6
C
th1
C
th2
C
th3
C
th4
C
th5
C
th6
0.000441
0.0014
0.000985
0.0045
0.02
0.146
WS / K
T
j
P
合计
(t)
R
th1
R
日，正
T
例
xternal eatsink
C
th1
C
th2
C
日，正
T
上午B
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初步数据
1功耗
2漏极电流
SPW17N80C2
P
合计
=
f
(T
C
)
SPW17N80C2
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
10 V
SPW17N80C2
240
18
W
200
180
A
14
12
P
合计
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
I
D
10
8
6
4
2
0
0
°C
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
3安全工作区
4瞬态热阻抗
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
2
SPW17N80C2
t
P = 6.7μs
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
SPW17N80C2
K / W
10
0
A
/I
D
10 s
V
DS
10
1
Z
thJC
100 s
10
-1
I
D
R
DS
(
on
)
=
10
-2
D = 0.50
0.20
10
0
1毫秒
10
-3
0.10
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10毫秒
10
DC
10
-1 0
10
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单脉冲
0.02
0.01
10
1
10
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V
10
3
10
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10
10
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10
-5
10
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-3
10
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s
10
0
V
DS
第5页
t
p
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初步数据
SPW17N80C2
酷MOS 功率晶体管
特征
·
·
·
·
·
·
OLMOS
O
功率半导体
新的革命高电压技术
世界范围内最好的
R
DS （ ON）
在247个
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
800
290
17
P-TO247
V
m
W
A
TYPE
SPW17N80C2
包
P-TO247
订购代码
Q67040-S4359
记号
SPW17N80C2
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
价值
17
11
51
670
0.5
17
6
±20
208
-55... +150
单位
A
I
D
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=4A,
V
DD
=50V
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
dv / dt的
mJ
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
jmax1)
I
D
=17A,
V
DD
=50V
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
=17A,
V
DS
＆ LT ;
V
DD
，的di / dt = 100A / μs的，
T
JMAX
=150°C
A
V / ns的
V
W
°C
门源电压
功耗
T
C
= 25 °C
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
第1页
工作和存储温度
2000-05-29
初步数据
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
符号
分钟。
SPW17N80C2
值
典型值。
-
-
马克斯。
0.6
62
单位
R
thJC
R
thJA
-
-
K / W
线性降额因子
焊接温度，
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
-
-
-
1.67
260
W / K
°C
T
出售
-
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DS
V
GS （ TH）
I
DSS
800
-
2
-
870
3
-
-
4
V
漏源雪崩击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=17A
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=1mA
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 800 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 800 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
A
-
-
-
-
-
0.5
-
-
250
0.7
25
250
100
290
-
nA
m
W
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
I
GSS
R
DS （ ON）
R
G
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=11A,
T
j
=25°C
门输入电阻
W
f
= 1 MHz时，漏极开路
1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
= E * F。
AR
AV
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初步数据
电气特性
在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
特征
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
条件
分钟。
SPW17N80C2
值
典型值。
15
2320
1250
60
59
124
45
17
77
10
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
88
13
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=11A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
-
-
S
pF
有效输出电容，
1)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
2)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至640 V
pF
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=400V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=17A,
R
G
=5.6
W
,
T
j
=125°C
-
-
-
-
ns
V
DD
=640V,
I
D
=17A
-
-
-
-
9
42
83
6
-
-
107
-
nC
V
DD
=640V,
I
D
=17A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=640V,
I
D
=17A
V
1
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
2
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
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初步数据
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
条件
分钟。
SPW17N80C2
值
典型值。
-
-
1
550
13
40
1200
马克斯。
17
51
1.2
-
-
-
-
单位
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25°C
-
-
A
V
GS
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F
=
I
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R
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F
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-
-
-
-
-
V
ns
C
A
A / μs的
峰值反向恢复电流
I
RRM
秋天反向峰值速率
di
rr
/
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恢复电流
瞬态热特性
符号
价值
典型值。
瞬态热阻抗
热阻
单位
符号
价值
典型值。
单位
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R
th1
R
th2
R
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R
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R
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R
th6
C
th1
C
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C
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th4
C
th5
C
th6
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WS / K
T
j
P
合计
(t)
R
th1
R
日，正
T
例
xternal eatsink
C
th1
C
th2
C
日，正
T
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初步数据
1功耗
2漏极电流
SPW17N80C2
P
合计
=
f
(T
C
)
SPW17N80C2
I
D
=
f
(T
C
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参数：
V
GS
10 V
SPW17N80C2
240
18
W
200
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A
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140
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0
20
40
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D
10
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0
0
°C
160
20
40
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100
120
°C
160
T
C
T
C
3安全工作区
4瞬态热阻抗
I
D
=
f
(
V
DS
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参数：
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= 0 ,
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C
=25°C
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2
SPW17N80C2
t
P = 6.7μs
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thJC
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10
1
SPW17N80C2
K / W
10
0
A
/I
D
10 s
V
DS
10
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thJC
100 s
10
-1
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D
R
DS
(
on
)
=
10
-2
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0.20
10
0
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10
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0.05
10毫秒
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10
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0.02
0.01
10
1
10
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V
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-5
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-3
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-2
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10
0
V
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