初步数据
SPD30P06P
SPU30P06P
SIPMOS
功率晶体管
特点
·
产品概述
漏源电压
漏源导通电阻
连续漏电流
P沟道
增强型
额定雪崩
dv / dt的额定
175 ° C工作温度
V
DS
R
DS ( ON)
I
D
-60
0.075
-30
V
·
·
·
·
W
A
TYPE
SPD30P06P
SPU30P06P
包
P-TO252
P-TO251
订购代码
Q67042-S4018
Q67042-S4019
销1
G
销2/4
D
3脚
S
最大额定值,在
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
价值
-30
-21.5
单位
A
I
D
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
漏电流脉冲
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
-120
250
12.5
6
KV / μs的
mJ
T
C
= 25 °C
雪崩能量,单脉冲
I
D
= -30 A ,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
W
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
= -30 A,
V
DS
= -48 V ,的di / dt = 200 A / μs的,
T
JMAX
= 175 °C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
±20
125
-55...+175
55/175/56
V
W
°C
T
C
= 25 °C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
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1999-11-22
初步数据
热特性
参数
特征
热阻,结 - 案
热阻,结 - 环境,含铅
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
符号
分钟。
值
典型值。
-
-
-
-
SPD30P06P
SPU30P06P
单位
马克斯。
1.2
100
75
50
K / W
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
符号
分钟。
值
典型值。
-
-3
马克斯。
-
-4
A
-
-
-0.1
-10
-10
0.069
-1
-100
-100
0.075
nA
V
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
-60
-2.1
V
GS
= 0 V,
I
D
= -250 A
栅极阈值电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
= -1.7毫安
零栅极电压漏极电流
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
R
DS ( ON)
-
-
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
W
V
GS
= -10 V,
I
D
= -21.5 A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米(一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
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1999-11-22