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初步数据
SPD30P06P
SPU30P06P
SIPMOS
功率晶体管
特点
·
产品概述
漏源电压
漏源导通电阻
连续漏电流
P沟道
增强型
额定雪崩
dv / dt的额定
175 ° C工作温度
V
DS
R
DS ( ON)
I
D
-60
0.075
-30
V
·
·
·
·
W
A
TYPE
SPD30P06P
SPU30P06P
P-TO252
P-TO251
订购代码
Q67042-S4018
Q67042-S4019
销1
G
销2/4
D
3脚
S
最大额定值,在
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
价值
-30
-21.5
单位
A
I
D
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
漏电流脉冲
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
-120
250
12.5
6
KV / μs的
mJ
T
C
= 25 °C
雪崩能量,单脉冲
I
D
= -30 A ,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
W
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
= -30 A,
V
DS
= -48 V ,的di / dt = 200 A / μs的,
T
JMAX
= 175 °C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
±20
125
-55...+175
55/175/56
V
W
°C
T
C
= 25 °C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
第1页
1999-11-22
初步数据
热特性
参数
特征
热阻,结 - 案
热阻,结 - 环境,含铅
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
符号
分钟。
典型值。
-
-
-
-
SPD30P06P
SPU30P06P
单位
马克斯。
1.2
100
75
50
K / W
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
符号
分钟。
典型值。
-
-3
马克斯。
-
-4
A
-
-
-0.1
-10
-10
0.069
-1
-100
-100
0.075
nA
V
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
-60
-2.1
V
GS
= 0 V,
I
D
= -250 A
栅极阈值电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
= -1.7毫安
零栅极电压漏极电流
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
R
DS ( ON)
-
-
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
W
V
GS
= -10 V,
I
D
= -21.5 A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米(一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
1999-11-22
初步数据
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
输入电容
SPD30P06P
SPU30P06P
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
2*I
D
*R
DS ( ON)最大值
,
I
D
= -21.5 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
5.2
-
-
-
-
10.4
1228
387
142
13
-
1535
383
177
19.5
S
pF
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
ns
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -21.5 A,
R
G
= 1.6
W
上升时间
t
r
-
11
16.5
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -21.5 A,
R
G
= 1.6
W
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
-
30
45
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -21.5 A,
R
G
= 1.6
W
下降时间
t
f
-
20
30
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -21.5 A,
R
G
= 1.6
W
第3页
1999-11-22
初步数据
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
门源费
SPD30P06P
SPU30P06P
典型值。
马克斯。
单位
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
(高原)
-
-
-
-
3.7
13.8
32
-5.2
5.6
20.7
48
-
nC
V
DD
= -48 V,
I
D
= -30 A
栅漏电荷
V
DD
= -48 V,
I
D
= -30 A
栅极电荷总量
V
DD
= -48 V,
I
D
= -30 A,
V
GS
= 0至-10 V
栅极电压平台
V
V
DD
= -48 V ,
I
D
= -30 A
参数
反向二极管
逆二极管连续正向电流
符号
分钟。
典型值。
-
-
-1.3
64.6
153
马克斯。
-30
-120
-1.7
97
230
单位
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
-
-
-
-
-
A
T
C
= 25 °C
逆二极管直流,脉冲
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
ns
nC
V
GS
= 0 V,
I
F
= -30
反向恢复时间
V
R
= -30 V,
I
F
=
I
S
,二
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= -30 V,
I
F=
l
S
,二
F
/ DT = 100 A / μs的
第4页
1999-11-22
初步数据
功耗
漏电流
参数:
V
GS
10 V
SPD30P06P
SPD30P06P
SPU30P06P
P
合计
=
f
(T
C
)
SPD30P06P
I
D
=
f
(T
C
)
-32
140
W
A
120
110
-24
100
P
合计
80
70
60
50
40
-8
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
-4
-12
-16
T
C
I
D
90
-20
T
C
安全工作区
瞬态热阻抗
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
-10
3
SPD30P06P
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
1
SPD30P06P
K / W
A
t
P = 31.0μs
10
0
-10
2
Z
thJC
100 s
10
-1
I
D
10
-2
D = 0.50
/I
D
0.20
10
-3
1毫秒
=
-10
1
DS
(
DS
0.10
0.05
单脉冲
0.02
0.01
R
on
)
V
10毫秒
10
-4
DC
-10
0 -1
-10
0
1
-10
-10
V
-10
2
10
-5 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
第5页
t
p
1999-11-22
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数量
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SPU30P06P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
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Infineon Technologies
24+
5000
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
原装正品现货
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
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26820
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
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联系人:销售部
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SPU30P06P
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22000
130¥/片,原装正品假一赔百!
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SPU30P06P
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22+
93811
TO-251
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TO-251
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