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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第979页 > SPU30N03S2L-10
初步数据
SPU30N03S2L-10
特征
N沟道
逻辑电平
低导通电阻
R
DS （ ON）
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
优越的耐热性
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
非常适合快速开关应用
包
P-TO251
订购代码
Q67042-S4042
记号
2N03L10
I
D
30
P-TO251
A
TYPE
SPU30N03S2L-10
最大额定值，在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
=25°C,
1)
T
C
=100°C
符号
I
D
价值
30
30
单位
A
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
120
150
6
±20
82
-55... +175
55/175/56
mJ
KV / μs的
V
W
°C
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
T
C
=25°C
I
S
=30A,
V
DS
=24V,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I
D
=30 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
第1页
2002-02-11


的OptiMOS
功率晶体管
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
30
10
V
m









初步数据
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
2)
SPU30N03S2L-10
值
分钟。
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
1.8
100
75
50
K / W
单位
符号
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
-
-
-
30
1.2
值
典型值。
-
1,6
马克斯。
-
2
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=50A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
A
0.01
10
1
11.6
8.1
1
100
100
14.6
10
nA
m
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
V
GS
=4.5V,
I
D
=30A
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=30A
1当前受限于键合线;有
R
thJC
= 1.8 K / W ，芯片能够执行
I
D
= 64A
并计算最大。 85℃源极引脚温度。
2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
2002-02-11

漏源导通电阻
初步数据
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
I
D
=30A
SPU30N03S2L-10
值
分钟。
典型值。
47.5
1170
490
125
6.1
63
27
17
马克斯。
-
1460
610
155
9.2
94
41
26
ns
S
pF
单位
符号
条件
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=15V,
V
GS
=10V,
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=30A
V
R
=-V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=24V,
I
D
=30A
V
DD
=24V,
I
D
=30A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=24V,
I
D
=30A
I
S
I
SM
T
C
=25°C
第3页

I
D
=30A,
R
G
=5.4

跨
g
fs
V
DS
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
23.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.8
10.8
31.5
3.4
4.3
16.2
39.4
-
nC
V
-
-
-
-
-
-
-
0.9
25.5
26.5
30
120
1.2
38
40
A
V
ns
nC
2002-02-11
初步数据
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
100
SPU30N03S2L-10
SPU30N03S2L-10
2漏极电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
10 V
32
SPU30N03S2L-10
W
80
A
24
70
P
合计
60
50
40
30
I
D
20
16
12
8
20
10
0
0
4
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
0
0
20
40
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
3
SPU30N03S2L-10
4瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
SPU30N03S2L-10
K / W
A
10
0
/
I
D
t
P = 7.9μs
10 s
I
D
V
DS
10
2
n)
Z
thJC
10
-1
R
DS
(o
=
100 s
10
10
1
1毫秒
10毫秒
-2
单脉冲
10
-3
DC
10
0 -1
10
10
-4 -7
10
10
0
10
1
V
10
2
10
-6
V
DS
第4页

60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
2002-02-11
初步数据
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
60
SPU30N03S2L-10
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
50
50
45
40
R
DS （ ON）
I
D
VGS电压[V] =
a= 3.5
b= 4.0
c= 4.5
d= 5.0
e= 5.5
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
a
V
4.5
V
DS
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
60
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
60
A
50
45
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
g
fs
I
D
40
V
5
V
GS
第5页

40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
A
ê D C
b
m
a
VGS电压[V] =
a= 3.5
b= 4.0
c= 4.5
d= 5.0
e= 5.5
b
c
d
e
30
40
50
A
70
I
D

S
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
A
I
D
60
2002-02-11
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