【VDSGTJMAXGGG1TCTCtpVDDTJMAXEARVDDTJMAX6)TJMAX15VGS】,IC型号SPU07N60C3,SPU07N60C3 PDF资料,SPU07N60C3经销商,ic,电子元器件-51电子网

V

DS

G

T

JMAX

G

1

T

C

T

C

t

p

V

DD

T

JMAX

E

AR

V

DD

T

JMAX

6)

T

JMAX

15

V

GS

V

GS

P

合计

±

栅源电压静态

修订版2.5

P

8

04-10

V

DS

T

j

R

thJC

R

thJA

*)

V

（ BR ） DSS

V

GS

V

GS

Α

V

GS

V

DS

V

DS

T

j

T

j

V

GS

V

GS

T

j

T

j

V

DS

V

GS

R

G

* ） TO252 ：回流焊， MSL3 ; TO251 ：波峰焊接

修订版2.5

P

8 04-10

T

j

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DS

≥

V

GS

f

V

DS

V

GS

V

DS

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

V

GS

R

G

T

j

门源费

栅漏电荷

Q

gs

Q

gd

V

DD

V

DD

V

GS

V

DD

E

AR

f

C

OSS

C

OSS

V

DS

V

DS

6

我< = I ， DI / dt< = 400A / us的，V

SD

D

的dcLINK

=400V, V

PEAK

＆ LT ; V

BR ， DSS

, T

j

＆ LT ;吨

， MAX

.

相同的低侧和高侧开关。

修订版2.5

P

8 04-10

T

j

T

C

逆二极管直流，

脉冲

I

SM

V

GS

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

t

rr

Q

rr

I

RRM

V

R

di

F

/ DT

修订版2.5

P

8 04-10

T

C

T

C

P

合计

T

C

V

DS

V

DS

T

j

V

GS

V

DS

t

p

修订版2.5

P

8 04-10

最终数据

SPD07N60C3

SPU07N60C3

V

DS

@

T

JMAX

R

DS （ ON）

I

D

P-TO251-3-1

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

采用TO- 251和TO- 252

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

高的峰值电流能力

改进的跨导

650

0.6

7.3

V

A

P-TO252-3-1

TYPE

SPD07N60C3

SPU07N60C3

包

P-TO252-3-1

P-TO251-3-1

订购代码

Q67040-S4423

-

记号

07N60C3

最大额定值

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 5.5 A,

V

DD

= 50 V

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

1)

E

AR

I

D

= 7.3 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

I

AR

反向二极管的dv / dt

dv / dt的

I

S=7.3A,

V

DS=480V,

T

j=125°C

符号

I

D

价值

7.3

4.6

单位

A

I

PULS

E

AS

21.9

230

0.5

7.3

6

±20

±30

83

-55... +150

W

°C

2003-09-16

A

V / ns的

V

mJ

栅源电压静态

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C = 25°C

工作和存储温度

第1页

V

GS

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

最终数据

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 7.3 A,

T

j

= 125 °C

SPD07N60C3

SPU07N60C3

符号

dv / dt的

价值

50

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

3)

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=7.3A

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=350Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

T

出售

-

值

典型值。

-

马克斯。

1.5

75

50

260

单位

K / W

°C

值

典型值。

-

700

3

0.5

-

0.54

1.46

0.8

马克斯。

-

3.9

600

-

2.1

-

单位

V

A

1

100

0.6

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=30V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=4.6A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

第2页

2003-09-16

最终数据

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

SPD07N60C3

SPU07N60C3

值

分钟。

典型值。

6

790

260

16

30

55

6

3.5

60

7

马克斯。

-

100

15

ns

pF

S

pF

-

单位

条件

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=4.6A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

有效输出电容，

4)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

5)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=380V,

V

GS

=0/13V,

I

D

=7.3A,

R

G

=12,

T

j

=125°C

-

V

DD

=480V,

I

D

=7.3A

-

3

9.2

21

5.5

-

27

-

nC

V

DD

=480V,

I

D

=7.3A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=480V,

I

D

=7.3A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

=E

AR

*f.

AV

2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

220℃ ，回流：对于TO- 263 3Soldering温度

4

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

5

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

第3页

2003-09-16

最终数据

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

典型的瞬态热特性

符号

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.024

0.046

0.085

0.308

0.317

0.112

K / W

价值

典型值。

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.00012

单位

符号

价值

典型值。

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=480V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

SPD07N60C3

SPU07N60C3

值

分钟。

典型值。

-

1

400

4

28

-

马克斯。

7.3

21.9

1.2

600

-

800

V

ns

C

A

A / μs的

A

-

单位

符号

I

S

I

SM

条件

T

C

=25°C

单位

WS / K

0.0004578

0.000645

0.001867

0.004795

0.045

T

j

P

合计

(t)

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

第4页

2003-09-16

最终数据

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

100

SPD07N60C3

SPU07N60C3

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

W

80

70

A

10

1

P

合计

60

50

40

30

20

10

0

I

D

10

0

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

20

40

60

80

100

120

°C

160

10

-2 0

10

1

10

2

T

C

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

4典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

24

K / W

A

10

0

20V

10V

8V

7V

Z

thJC

10

-1

I

D

16

6,5V

10

-2

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

12

6V

8

5,5V

4

5V

4,5V

10

-3 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

s

t

p

10

-1

0

5

10

15

V

DS

25

V

第5页

2003-09-16