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SPT7851
10位, 20 MSPS , 79毫瓦的A / D转换器
特点
10位, 20 MSPS模拟数字转换器
单片CMOS
内部采样和保持
低输入电容: 1.4 pF的
低功耗: 79毫瓦
2.8 - 3.6 V电源电压范围
TTL兼容输出
–40
°C
+85
°C
手术
应用
CCD成像摄像头和传感器
医学影像
射频通信
文档和胶片扫描仪
光电器件
瞬态信号分析
手持式设备
概述
该SPT7851 10位, 20 MSPS的模拟 - 数字转换器
内置了一个CMOS亲流水线转换器架构
塞斯。它提供了高性能的典型功率耗散
而不能使仅为79毫瓦。具有低失真和高动态
范围,该器件提供所需的imag-表现
荷兰国际集团,多媒体,通信和仪器仪表
应用程序。
该SPT7851可在一个44引脚薄型四方扁平封装
( TQFP )封装,在工业温度范围( -40
°C
+85
°C).
框图
ADC
DAC
+
– G=2
D<1 ... 0>流水线阶段
VIN +
VIN =
VREF +
VREF-
CLK
时钟
司机
数字延迟,错误纠正和输出
10
舞台
1
舞台
2
舞台
9
舞台
10
数字输出( D0 - D9 )
信号处理技术有限公司
4755谷道,科罗拉多斯普林斯,科罗拉多州80907 , USA
电话: ( 719 ) 528-2300传真: ( 719 ) 528-2370网址: http://www.spt.com电子邮件: sales@spt.com
绝对最大额定值(除了可能发生的伤害)
1
25
°
C
电源电压
V
DD1 ..............................................................................
-0.5 V至6 V
V
DD2 ..............................................................................
-0.5 V至6 V
V
DD3 ..............................................................................
-0.5 V至6 V
输入电压
模拟输入.................................
数字输入..................................
V
REF
+ ...........................................
V
REF
– ...........................................
CLK ..............................................
注意:
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
温度
工作温度............................. -40至+85
°C
存储温度............................... -65到+125
°C
1.操作在任何绝对最大额定值是不是暗示。请参阅电气规格进行适当的名义
应用的条件下在典型的应用。
电气规格
T
A
= T
–T
最大
, V
DD1
= V
DD2
= V
DD3
=
3.3 V, V
REF
– = 1.0 V, V
REF
+ = 2.0 V,共模电压= 1.65 V ,
CLK
= 20 MSPS ,
偏置1 = 90
A,
偏置2 = 9.5
A,
差分输入,占空比= 50%时,除非另有规定。
参数
DC精度
决议
差分线性
积分线性度
无失码
模拟量输入
输入电压范围(差分)
共模输入电压
输入电容
输入带宽(大信号)
偏移量(中档)
增益误差
参考电压
参考输入电压范围
(V
REF
+ – V
REF
–)
负参考电压(V
REF
–)
正参考电压(V
REF
+)
共模输出电压(V
CM
)
V
REF
+电流
V
REF
当前
开关性能
最大转化率
流水线延迟
(见时序图)
孔径延迟时间(t
AP
)
孔径抖动时间
TEST
条件
TEST
水平
SPT7851
典型值
10
±0.6
±0.75
保证
±0.6
1.2
±1.0
1.65
1.4
120
±1.0
0.3
1.0
1.0
2.0
1.65
35
–25
±1.7
1.9
最大
单位
最低位
最低位
V
V
VI
IV
IV
V
V
V
V
IV
IV
IV
VI
V
V
VI
IV
V
V
V
IN
+ = V
IN
– = V
CM
V
V
pF
兆赫
% FSR
% FSR
V
V
V
V
A
A
兆赫
ns
PS- RMS
0.6
0.9
1.9
1.3
1.7
1.3
2.9
1.8
I
O
= –1
A
20
7.5
5
10
SPT
SPT7851
2
8/1/00
电气规格
T
A
= T
–T
最大
, V
DD1
= V
DD2
= V
DD3
=
3.3 V, V
REF
– = 1.0 V, V
REF
+ = 2.0 V,共模电压= 1.65 V ,
CLK
= 20 MSPS ,
偏置1 = 90
A,
偏置2 = 9.5
A,
差分输入,占空比= 50%时,除非另有规定。
参数
动态性能
有效位数
IN
= 5.0兆赫
IN
= 10.0兆赫
信噪比
IN
= 5.0兆赫
IN
= 10.0兆赫
总谐波失真
IN
± 5.0 MHz的
IN
± 10.0兆赫
信号与噪声和失真
IN
= 5兆赫
IN
= 10 MHz的
无杂散动态范围
IN
= 5.0兆赫
IN
= 10.0兆赫
微分相位
微分增益
数字输入
逻辑1电压
逻辑0电压
最大输入电流低
最大输入电流高
输入电容
数字输出
逻辑1电压
逻辑0电压
CLK到输出延迟时间(t
D
)
电源要求
电源电压
V
DD1
, V
DD2
, V
DD3
电源电流
I
DD
功耗
电源抑制比( PSRR )
TEST
条件
TEST
水平
SPT7851
典型值
最大
单位
VI
V
VI
V
VI
V
VI
V
VI
V
V
V
VI
VI
VI
VI
V
VI
VI
IV
9.0
9.3
9.0
58
58
–68
–60
–61
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
%
57
56
58
56
70
61
0.2
0.5
62
80% V
DD
20% V
DD
±1
±1
1.8
85% V
DD
4
95% V
DD
0.1
8
A
A
pF
V
V
ns
V
IN
= GND
V
IN
= V
DD
I
O
= -2毫安
I
O
= 2毫安
0.4
12
IV
VI
VI
V
2.8
3.3
24
79
67
3.6
30
100
V
mA
mW
dB
测试级别码
所有的电气特性都受到了
以下条件:具有所有参数
最小/最大规格有保证。该
测试级别列表示特定的设备
在生产过程中实际进行测试
和质量保证检验。任何空白
在数据列部分表示该
说明书中没有在规定的CON-测试
DITION 。
测试级别测试程序
I
II
III
IV
V
VI
100%的产品在特定温度下进行测试。
在T 100 %生产测试
A
= +25
°C,
和样品测试
在指定的温度。
质量保证样品只在指定的温度下进行测试。
参数保证(但未经测试)设计和
特征数据。
参数仅供参考的典型值。
在T 100 %生产测试
A
= +25
°C.
参数
保证在规定的温度范围内。
SPT
SPT7851
3
8/1/00
典型性能特性
THD , SNR , SINAD与输入频率
80
THD , SNR , SINAD VS采样率
80
THD , SNR , SINAD (分贝)
70
70
THD
60
SNR
SINAD
50
THD
SNR
SINAD
THD , SNR , SINAD (分贝)
60
THD
SNR
SINAD
50
40
40
30
30
20
100
101
102
20
10 0
101
102
输入频率(MHz)
采样率( MSPS )
注意:对于每个采样速率优化BIAS1和偏差2的电流。
THD , SNR , SINAD与温度
70
150
功耗与采样率
68
THD , SNR , SINAD (分贝)
THD
66
功耗(MW )
125
100
64
75
62
50
60
SNR
58
25
SINAD
56
–40
–25
0
25
50
70
85
0
10 0
101
102
温度(℃)
采样率( MSPS )
注意: BIAS1和偏差2的每个采样率进行优化。
偏置电压1 VS 1偏置电流
3.4
3.2
0.85
3.0
0.90
偏置电压2 VS 2偏置电流
VBIAS 2 ( V)
Vbias1 ( V)
0.80
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
0
30
60
90
120
150
180
BIAS 1
30
60
90
120
150
VBIAS 1
2.19
2.53
2.79
3
3.22
0.75
0.70
0.65
0.60
0
3
6
9
2 IBIAS
3
6
9
12
15
VBIAS 2
0.6975
0.7535
0.796
0.8295
0.8595
12
15
18
IBIAS1 ( μA )
2 IBIAS ( μA )
SPT
SPT7851
4
8/1/00
图1 - 时序图
采样点
N-1
N
N+1
t
AP
A
IN
CLK
N+2
N+6
N+7
N+8
t
D
D
OUT
N-2
N-1
N
概述
该SPT7851是超低功耗, 10位, 20 MSPS ADC 。
它有一个流水线架构,并集成了数字错误
修正所有10位。此错误校正功能,确保良好
输入线性度性能频率高达奈奎斯特。
输入是全差分,使得设备不敏感
略去对系统级的噪声。此设备也可以在一个用于
单端模式。 (见模拟输入部分)。随着
功耗大致正比于采样速率,
该器件非常适合于低功耗应用
范围为1至20 MSPS的。
图2 - 典型接口电路
典型接口电路
该SPT7851需要很少的外部元件来实现
规定的操作和性能。图2示出了
使用SPT7851的时候典型的接口要求
电路的正常工作。以下各节提供了一个
功能描述和概括的关键性能
标准要考虑实现最佳的设备perfor-
曼斯。
+3.3 V
4.7
F
+
.01
F
10
F
+
CLK IN
( 3 V逻辑)
REF- IN
(+1.15 V)
+3.3 V
.01
F
REF +在
(+2.15 V)
+
4.7
F
.01
F
11
+3.3 V数字
0.1
F
1
GND
CLK
N / C
去耦电容
VDD2
VDD3
VDD1
VREF-
VREF +
VDD1
VDD2
VDD1
12
N / C
N / C
N / C
V
DD3
44
DNC
DNC
D0
D1
( LSB )
90
A
9.5
A
.01
F
(+1.65 V)
GND
Bias1
Bias2
VCM
GND
U1
SPT7851
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D9
D8
接口
3 V逻辑
在RF
51
68 pF的
VIN +
VIN-
22
Minicircuit
T1-6T
GND
GND
34
(MSB)
23
33
AGND
FB
DGND
注:1,所有V
DD1
, V
DD2
和V
DD3
应连在一起。
2. FB =铁氧体磁珠;必须放在尽可能靠近U1越好。
SPT
SPT7851
5
8/1/00
SPT7851
10位, 20 MSPS , 79毫瓦的A / D转换器
特点
10位, 20 MSPS模拟数字转换器
单片CMOS
内部采样和保持
低输入电容: 1.4 pF的
低功耗: 79毫瓦
2.8 - 3.6 V电源电压范围
TTL兼容输出
–40
°C
+85
°C
手术
应用
CCD成像摄像头和传感器
医学影像
射频通信
文档和胶片扫描仪
光电器件
瞬态信号分析
手持式设备
概述
该SPT7851 10位, 20 MSPS的模拟 - 数字转换器
内置了一个CMOS亲流水线转换器架构
塞斯。它提供了高性能的典型功率耗散
而不能使仅为79毫瓦。具有低失真和高动态
范围,该器件提供所需的imag-表现
荷兰国际集团,多媒体,通信和仪器仪表
应用程序。
该SPT7851可在一个44引脚薄型四方扁平封装
( TQFP )封装,在工业温度范围( -40
°C
+85
°C).
框图
ADC
DAC
+
– G=2
D<1 ... 0>流水线阶段
VIN +
VIN =
VREF +
VREF-
CLK
时钟
司机
数字延迟,错误纠正和输出
10
舞台
1
舞台
2
舞台
9
舞台
10
数字输出( D0 - D9 )
信号处理技术有限公司
4755谷道,科罗拉多斯普林斯,科罗拉多州80907 , USA
电话: ( 719 ) 528-2300传真: ( 719 ) 528-2370网址: http://www.spt.com电子邮件: sales@spt.com
绝对最大额定值(除了可能发生的伤害)
1
25
°
C
电源电压
V
DD1 ..............................................................................
-0.5 V至6 V
V
DD2 ..............................................................................
-0.5 V至6 V
V
DD3 ..............................................................................
-0.5 V至6 V
输入电压
模拟输入.................................
数字输入..................................
V
REF
+ ...........................................
V
REF
– ...........................................
CLK ..............................................
注意:
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
温度
工作温度............................. -40至+85
°C
存储温度............................... -65到+125
°C
1.操作在任何绝对最大额定值是不是暗示。请参阅电气规格进行适当的名义
应用的条件下在典型的应用。
电气规格
T
A
= T
–T
最大
, V
DD1
= V
DD2
= V
DD3
=
3.3 V, V
REF
– = 1.0 V, V
REF
+ = 2.0 V,共模电压= 1.65 V ,
CLK
= 20 MSPS ,
偏置1 = 90
A,
偏置2 = 9.5
A,
差分输入,占空比= 50%时,除非另有规定。
参数
DC精度
决议
差分线性
积分线性度
无失码
模拟量输入
输入电压范围(差分)
共模输入电压
输入电容
输入带宽(大信号)
偏移量(中档)
增益误差
参考电压
参考输入电压范围
(V
REF
+ – V
REF
–)
负参考电压(V
REF
–)
正参考电压(V
REF
+)
共模输出电压(V
CM
)
V
REF
+电流
V
REF
当前
开关性能
最大转化率
流水线延迟
(见时序图)
孔径延迟时间(t
AP
)
孔径抖动时间
TEST
条件
TEST
水平
SPT7851
典型值
10
±0.6
±0.75
保证
±0.6
1.2
±1.0
1.65
1.4
120
±1.0
0.3
1.0
1.0
2.0
1.65
35
–25
±1.7
1.9
最大
单位
最低位
最低位
V
V
VI
IV
IV
V
V
V
V
IV
IV
IV
VI
V
V
VI
IV
V
V
V
IN
+ = V
IN
– = V
CM
V
V
pF
兆赫
% FSR
% FSR
V
V
V
V
A
A
兆赫
ns
PS- RMS
0.6
0.9
1.9
1.3
1.7
1.3
2.9
1.8
I
O
= –1
A
20
7.5
5
10
SPT
SPT7851
2
8/1/00
电气规格
T
A
= T
–T
最大
, V
DD1
= V
DD2
= V
DD3
=
3.3 V, V
REF
– = 1.0 V, V
REF
+ = 2.0 V,共模电压= 1.65 V ,
CLK
= 20 MSPS ,
偏置1 = 90
A,
偏置2 = 9.5
A,
差分输入,占空比= 50%时,除非另有规定。
参数
动态性能
有效位数
IN
= 5.0兆赫
IN
= 10.0兆赫
信噪比
IN
= 5.0兆赫
IN
= 10.0兆赫
总谐波失真
IN
± 5.0 MHz的
IN
± 10.0兆赫
信号与噪声和失真
IN
= 5兆赫
IN
= 10 MHz的
无杂散动态范围
IN
= 5.0兆赫
IN
= 10.0兆赫
微分相位
微分增益
数字输入
逻辑1电压
逻辑0电压
最大输入电流低
最大输入电流高
输入电容
数字输出
逻辑1电压
逻辑0电压
CLK到输出延迟时间(t
D
)
电源要求
电源电压
V
DD1
, V
DD2
, V
DD3
电源电流
I
DD
功耗
电源抑制比( PSRR )
TEST
条件
TEST
水平
SPT7851
典型值
最大
单位
VI
V
VI
V
VI
V
VI
V
VI
V
V
V
VI
VI
VI
VI
V
VI
VI
IV
9.0
9.3
9.0
58
58
–68
–60
–61
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
%
57
56
58
56
70
61
0.2
0.5
62
80% V
DD
20% V
DD
±1
±1
1.8
85% V
DD
4
95% V
DD
0.1
8
A
A
pF
V
V
ns
V
IN
= GND
V
IN
= V
DD
I
O
= -2毫安
I
O
= 2毫安
0.4
12
IV
VI
VI
V
2.8
3.3
24
79
67
3.6
30
100
V
mA
mW
dB
测试级别码
所有的电气特性都受到了
以下条件:具有所有参数
最小/最大规格有保证。该
测试级别列表示特定的设备
在生产过程中实际进行测试
和质量保证检验。任何空白
在数据列部分表示该
说明书中没有在规定的CON-测试
DITION 。
测试级别测试程序
I
II
III
IV
V
VI
100%的产品在特定温度下进行测试。
在T 100 %生产测试
A
= +25
°C,
和样品测试
在指定的温度。
质量保证样品只在指定的温度下进行测试。
参数保证(但未经测试)设计和
特征数据。
参数仅供参考的典型值。
在T 100 %生产测试
A
= +25
°C.
参数
保证在规定的温度范围内。
SPT
SPT7851
3
8/1/00
典型性能特性
THD , SNR , SINAD与输入频率
80
THD , SNR , SINAD VS采样率
80
THD , SNR , SINAD (分贝)
70
70
THD
60
SNR
SINAD
50
THD
SNR
SINAD
THD , SNR , SINAD (分贝)
60
THD
SNR
SINAD
50
40
40
30
30
20
100
101
102
20
10 0
101
102
输入频率(MHz)
采样率( MSPS )
注意:对于每个采样速率优化BIAS1和偏差2的电流。
THD , SNR , SINAD与温度
70
150
功耗与采样率
68
THD , SNR , SINAD (分贝)
THD
66
功耗(MW )
125
100
64
75
62
50
60
SNR
58
25
SINAD
56
–40
–25
0
25
50
70
85
0
10 0
101
102
温度(℃)
采样率( MSPS )
注意: BIAS1和偏差2的每个采样率进行优化。
偏置电压1 VS 1偏置电流
3.4
3.2
0.85
3.0
0.90
偏置电压2 VS 2偏置电流
VBIAS 2 ( V)
Vbias1 ( V)
0.80
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
0
30
60
90
120
150
180
BIAS 1
30
60
90
120
150
VBIAS 1
2.19
2.53
2.79
3
3.22
0.75
0.70
0.65
0.60
0
3
6
9
2 IBIAS
3
6
9
12
15
VBIAS 2
0.6975
0.7535
0.796
0.8295
0.8595
12
15
18
IBIAS1 ( μA )
2 IBIAS ( μA )
SPT
SPT7851
4
8/1/00
图1 - 时序图
采样点
N-1
N
N+1
t
AP
A
IN
CLK
N+2
N+6
N+7
N+8
t
D
D
OUT
N-2
N-1
N
概述
该SPT7851是超低功耗, 10位, 20 MSPS ADC 。
它有一个流水线架构,并集成了数字错误
修正所有10位。此错误校正功能,确保良好
输入线性度性能频率高达奈奎斯特。
输入是全差分,使得设备不敏感
略去对系统级的噪声。此设备也可以在一个用于
单端模式。 (见模拟输入部分)。随着
功耗大致正比于采样速率,
该器件非常适合于低功耗应用
范围为1至20 MSPS的。
图2 - 典型接口电路
典型接口电路
该SPT7851需要很少的外部元件来实现
规定的操作和性能。图2示出了
使用SPT7851的时候典型的接口要求
电路的正常工作。以下各节提供了一个
功能描述和概括的关键性能
标准要考虑实现最佳的设备perfor-
曼斯。
+3.3 V
4.7
F
+
.01
F
10
F
+
CLK IN
( 3 V逻辑)
REF- IN
(+1.15 V)
+3.3 V
.01
F
REF +在
(+2.15 V)
+
4.7
F
.01
F
11
+3.3 V数字
0.1
F
1
GND
CLK
N / C
去耦电容
VDD2
VDD3
VDD1
VREF-
VREF +
VDD1
VDD2
VDD1
12
N / C
N / C
N / C
V
DD3
44
DNC
DNC
D0
D1
( LSB )
90
A
9.5
A
.01
F
(+1.65 V)
GND
Bias1
Bias2
VCM
GND
U1
SPT7851
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D9
D8
接口
3 V逻辑
在RF
51
68 pF的
VIN +
VIN-
22
Minicircuit
T1-6T
GND
GND
34
(MSB)
23
33
AGND
FB
DGND
注:1,所有V
DD1
, V
DD2
和V
DD3
应连在一起。
2. FB =铁氧体磁珠;必须放在尽可能靠近U1越好。
SPT
SPT7851
5
8/1/00
www.cadeka.com
SPT7851
10位, 20 MSPS , 79mW
模拟数字转换器
特点
10位, 20 MSPS模拟数字转换器
单片CMOS
内部跟踪和保持
低输入电容: 1.4 pF的
低功耗: 79mW
2.8至3.6V电源电压范围
TTL兼容输出
-40 ° C至+ 85 ° C操作
描述
该SPT7851 10位, 20 MSPS的模拟 - 数字转换器
内置了一个CMOS流水线转换器架构
流程。它提供了高性能的典型功率
功耗仅79mW的。具有低失真和高
动态范围,该器件提供所需的性能
成像,多媒体,通讯和仪器
心理状态的应用程序。
该SPT7851可在一个44引脚薄型四方扁平封装
( TQFP )封装,在工业温度范围( -40°C
至+ 85 ℃)。
应用
CCD成像摄像头和传感器
医学影像
RF通信
文档和液膜扫描仪
电光
瞬态信号分析
手持设备
功能框图
ADC
DAC
+
– G=2
D<1 ... 0>流水线阶段
VIN +
VIN =
VREF +
VREF-
CLK
时钟
司机
数字延迟,错误纠正和输出
10
数字输出( D0 - D9 )
舞台
1
舞台
2
舞台
9
舞台
10
REV 。 2003年十月1B
数据表
SPT7851
电气连接特定的阳离子
(
T
A
= T
–T
最大
, V
DD1
= V
DD2
= V
DD3
= 3.3V, V
REF-
= 1.0V, V
REF +
= 2.0V ,共模电压= 1.65V ,
CLK
= 20 MSPS ,
BIAS1 = 90
A,偏差2 = 9.5
A,差分输入,占空比= 50 % ;除非另有说明)
参数
DC精度
决议
差分线性
积分线性度
无失码
模拟量输入
输入电压范围(差分)
共模输入电压
输入电容
输入带宽(大信号)
偏移量(中档)
增益误差
参考电压
参考输入电压范围
负参考电压(V
REF-
)
正参考电压(V
REF +
)
共模输出电压(V
CM
)
V
REF +
当前
V
REF-
当前
开关性能
最大转化率
流水线延迟(参见图1)
孔径延迟时间(t
AP
)
孔径抖动时间
动态性能
信噪比
有效位数
总谐波失真
信号与噪声和失真
无杂散动态范围
微分相位
微分增益
IN
= 5MHz时,
IN
= 10MHz时
IN
= 5MHz时,
IN
= 10MHz时
IN
= 5MHz时,
IN
= 10MHz时
IN
= 5MHz时,
IN
= 10MHz时
IN
= 5MHz时,
IN
= 10MHz时
VI
V
VI
V
VI
V
VI
V
VI
V
V
V
62
56
9.0
57
58
58
9.3
9.0
-68
-60
58
56
70
61
0.2
0.5
-61
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
%
VI
IV
V
V
20
7.5
5
10
兆赫
CLK
ns
PS- RMS
I
O
= -1
A
V
REF +
– V
REF-
IV
IV
IV
VI
V
V
0.6
0.9
1.9
1.3
1.0
1.0
2.0
1.65
35
-25
1.7
1.3
2.9
1.8
V
V
V
V
A
A
V
IN +
= V
IN-
= V
CM
IV
IV
V
V
V
V
±0.6
1.2
±1.0
1.65
1.4
120
±1.0
0.3
±1.7
1.9
V
V
pF
兆赫
% FSR
% FSR
V
V
VI
10
±0.6
±0.75
保证
最低位
最低位
条件
考试级别
典型值
最大单位
2
REV 。 2003年十月1B
SPT7851
数据表
电气连接特定的阳离子
(
T
A
= T
–T
最大
, V
DD1
= V
DD2
= V
DD3
= 3.3V, V
REF-
= 1.0V, V
REF +
= 2.0V ,共模电压= 1.65V ,
CLK
= 20 MSPS ,
BIAS1 = 90
A,偏差2 = 9.5
A,差分输入,占空比= 50 % ;除非另有说明)
参数
数字输入
逻辑1电压
逻辑0电压
最大输入电流低
最大输入电流高
输入电容
数字输出
逻辑1电压
逻辑0电压
CLK到输出延迟时间(t
D
)
电源要求
电源电压(V
DD1
, V
DD2
, V
DD3
)
电源电流(I
DD
)
功耗
电源抑制比
测试级别码
所有的电气特性均符合以下条件:
所有参数都具有最小/最大特定网络阳离子保证。测试级别列表示特定网络连接C设备测试
生产和质量保证检查过程中实际执行。
水平
IV
V
VI
测试程序
参数保证(但未经测试)通过设计或特性数据。
参数仅供参考的典型值。
在T 100 %生产测试
A
= + 25°C 。参数是保证在特定网络版的温度范围内。
IV
VI
VI
V
2.8
3.3
24
79
67
3.6
30
100
V
mA
mW
dB
I
O
= -2mA
I
O
= + 2毫安
VI
VI
IV
4
85%
V
DD
90%
V
DD
0.1
8
0.4
12
V
V
ns
V
IN
= GND
V
IN
= V
DD
VI
VI
VI
VI
V
1.8
80%
V
DD
20%
V
DD
±1
±1
A
A
pF
条件
考试级别
典型值
最大单位
绝对最大额定值
(超出该设备可能被损坏)
参数
电源电压
V
DD1
, V
DD2
,V
DD3
输入电压
模拟和数字输入
V
REF +
, V
REF-
, CLK
工作温度范围
存储温度范围
-0.5
-0.5
-40
-65
V
DD
+0.5
V
DD
+0.5
+85
+125
V
V
°C
°C
-0.5
+6
V
最大
单位
注意:
1.操作在任何绝对最大额定值是不是暗示。
请参阅电气规格为典型应用适当的名义施加的条件。
REV 。 2003年十月1B
3
数据表
SPT7851
典型性能特性
(
T
A
= T
–T
最大
, V
DD1
= V
DD2
= V
DD3
= 3.3V, V
REF-
= 1.0V, V
REF +
= 2.0V ,共模电压= 1.65 ,
CLK
= 20 MSPS ,
BIAS1 = 90
A,偏差2 = 9.5
A,差分输入,占空比= 50 % ;除非另有说明)
THD , SNR , SINAD与输入频率
80
80
THD , SNR , SINAD主场迎战采样率
THD , SNR , SINAD (分贝)
THD , SNR , SINAD (分贝)
70
SNR
THD
70
60
THD
SNR
SINAD
60
50
40
30
20
10
0
10
1
10
2
SINAD
50
40
30
20
10
0
10
1
10
2
注: BIAS1和电流偏差2
对于每个采样速率优化
输入频率(MHz)
采样率( MSPS )
THD , SNR , SINAD与温度的关系
70
150
功耗与采样率
THD , SNR , SINAD (分贝)
功耗(MW )
68
THD
125
100
75
50
25
0
66
64
62
60
SNR
58
SINAD
注: BIAS1和电流偏差2
对于每个采样速率优化
56
-40
-25
0
25
50
70
85
10
0
10
1
10
2
温度(℃)
采样率( MSPS )
BIAS2电压与电流偏差2
0.90
IBias2
3
6
9
12
15
VBias2
0.6975
0.7535
0.796
0.8295
0.8595
BIAS1电压与电流BIAS1
3.4
3.2
3.0
IBias1
30
60
90
120
150
VBias1
2.19
2.53
2.79
3
3.22
0.85
Vbias1 ( V)
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
0
30
60
90
120
150
180
VBias2 ( V)
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
0
3
6
9
12
15
18
IBIAS1 ( μA )
IBIAS2 ( μA )
4
REV 。 2003年十月1B
SPT7851
数据表
采样
要点
N-1
N
N+1
t
AP
A
IN
CLK
N+2
N+6
N+7
N+8
t
D
D
OUT
N-2
N-1
N
图1 :时序图
概述
该SPT7851是超低功耗, 10位, 20 MSPS ADC 。
它有一个流水线架构,并集成了数字错误
修正所有10位。此错误校正功能,确保良好
输入线性度性能频率高达奈奎斯特。
输入是全差分,使得设备不敏感
略去对系统级的噪声。此设备也可以在一个用于
单端模式。 (见模拟输入部分)。随着
功耗大致正比于采样速率,
该器件非常适合于低功耗应用
范围为1至20 MSPS的。
典型接口电路
该SPT7851需要很少的外部元件来实现
规定的操作和性能。图2示出了
使用SPT7851时,典型的接口要求
在电路的正常工作。以下各节提供
功能描述和概括的关键perfor-
曼斯标准要考虑实现最佳的设备
性能。
+3.3V
REF- IN
(+1.15 V)
4.7
F
+
.01
F
10
F
+
CLK
IN
( 3V逻辑)
+3.3V
+ 3.3V数字
REF +在
(+2.15 V)
+
4.7
F
.01
F
11
12
N / C
N / C
N / C
.01
F
0.1
F
1
GND
CLK
N / C
脱钩
VDD2
VDD1
VDD3
VREF-
VREF +
VDD1
VDD1
VDD2
V
DD3
44
DNC
DNC
D0
( LSB )
90
A
9.5
A
.01
F
(+1.65 V)
GND
Bias1
Bias2
VCM
GND
U1
SPT7851
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D9
接口
3V逻辑
RF
IN
51
68 pF的
VIN +
VIN-
22
Minicircuit
T1-6T
GND
GND
34
D8
(MSB)
23
33
AGND
注:1,所有V
DD1
, V
DD2
和V
DD3
应连在一起。
2. FB =铁氧体磁珠;必须放在尽可能靠近U1越好。
FB
DGND
图2 :典型接口电路
REV 。 2003年十月1B
5
SPT7851
10位, 20 MSPS , 79毫瓦的A / D转换器
特点
10位, 20 MSPS模拟数字转换器
单片CMOS
内部采样和保持
低输入电容: 1.4 pF的
低功耗: 79毫瓦
2.8 - 3.6 V电源电压范围
TTL兼容输出
–40
°C
+85
°C
手术
应用
CCD成像摄像头和传感器
医学影像
射频通信
文档和胶片扫描仪
光电器件
瞬态信号分析
手持式设备
概述
该SPT7851 10位, 20 MSPS的模拟 - 数字转换器
内置了一个CMOS亲流水线转换器架构
塞斯。它提供了高性能的典型功率耗散
而不能使仅为79毫瓦。具有低失真和高动态
范围,该器件提供所需的imag-表现
荷兰国际集团,多媒体,通信和仪器仪表
应用程序。
该SPT7851可在一个44引脚薄型四方扁平封装
( TQFP )封装,在工业温度范围( -40
°C
+85
°C).
框图
ADC
DAC
+
– G=2
D<1 ... 0>流水线阶段
VIN +
VIN =
VREF +
VREF-
CLK
时钟
司机
数字延迟,错误纠正和输出
10
舞台
1
舞台
2
舞台
9
舞台
10
数字输出( D0 - D9 )
信号处理技术有限公司
4755谷道,科罗拉多斯普林斯,科罗拉多州80907 , USA
电话: ( 719 ) 528-2300传真: ( 719 ) 528-2370网址: http://www.spt.com电子邮件: sales@spt.com
绝对最大额定值(除了可能发生的伤害)
1
25
°
C
电源电压
V
DD1 ..............................................................................
-0.5 V至6 V
V
DD2 ..............................................................................
-0.5 V至6 V
V
DD3 ..............................................................................
-0.5 V至6 V
输入电压
模拟输入.................................
数字输入..................................
V
REF
+ ...........................................
V
REF
– ...........................................
CLK ..............................................
注意:
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+0.5 V)
温度
工作温度............................. -40至+85
°C
存储温度............................... -65到+125
°C
1.操作在任何绝对最大额定值是不是暗示。请参阅电气规格进行适当的名义
应用的条件下在典型的应用。
电气规格
T
A
= T
–T
最大
, V
DD1
= V
DD2
= V
DD3
=
3.3 V, V
REF
– = 1.0 V, V
REF
+ = 2.0 V,共模电压= 1.65 V ,
CLK
= 20 MSPS ,
偏置1 = 90
A,
偏置2 = 9.5
A,
差分输入,占空比= 50%时,除非另有规定。
参数
DC精度
决议
差分线性
积分线性度
无失码
模拟量输入
输入电压范围(差分)
共模输入电压
输入电容
输入带宽(大信号)
偏移量(中档)
增益误差
参考电压
参考输入电压范围
(V
REF
+ – V
REF
–)
负参考电压(V
REF
–)
正参考电压(V
REF
+)
共模输出电压(V
CM
)
V
REF
+电流
V
REF
当前
开关性能
最大转化率
流水线延迟
(见时序图)
孔径延迟时间(t
AP
)
孔径抖动时间
TEST
条件
TEST
水平
SPT7851
典型值
10
±0.6
±0.75
保证
±0.6
1.2
±1.0
1.65
1.4
120
±1.0
0.3
1.0
1.0
2.0
1.65
35
–25
±1.7
1.9
最大
单位
最低位
最低位
V
V
VI
IV
IV
V
V
V
V
IV
IV
IV
VI
V
V
VI
IV
V
V
V
IN
+ = V
IN
– = V
CM
V
V
pF
兆赫
% FSR
% FSR
V
V
V
V
A
A
兆赫
ns
PS- RMS
0.6
0.9
1.9
1.3
1.7
1.3
2.9
1.8
I
O
= –1
A
20
7.5
5
10
SPT
SPT7851
2
8/1/00
电气规格
T
A
= T
–T
最大
, V
DD1
= V
DD2
= V
DD3
=
3.3 V, V
REF
– = 1.0 V, V
REF
+ = 2.0 V,共模电压= 1.65 V ,
CLK
= 20 MSPS ,
偏置1 = 90
A,
偏置2 = 9.5
A,
差分输入,占空比= 50%时,除非另有规定。
参数
动态性能
有效位数
IN
= 5.0兆赫
IN
= 10.0兆赫
信噪比
IN
= 5.0兆赫
IN
= 10.0兆赫
总谐波失真
IN
± 5.0 MHz的
IN
± 10.0兆赫
信号与噪声和失真
IN
= 5兆赫
IN
= 10 MHz的
无杂散动态范围
IN
= 5.0兆赫
IN
= 10.0兆赫
微分相位
微分增益
数字输入
逻辑1电压
逻辑0电压
最大输入电流低
最大输入电流高
输入电容
数字输出
逻辑1电压
逻辑0电压
CLK到输出延迟时间(t
D
)
电源要求
电源电压
V
DD1
, V
DD2
, V
DD3
电源电流
I
DD
功耗
电源抑制比( PSRR )
TEST
条件
TEST
水平
SPT7851
典型值
最大
单位
VI
V
VI
V
VI
V
VI
V
VI
V
V
V
VI
VI
VI
VI
V
VI
VI
IV
9.0
9.3
9.0
58
58
–68
–60
–61
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
%
57
56
58
56
70
61
0.2
0.5
62
80% V
DD
20% V
DD
±1
±1
1.8
85% V
DD
4
95% V
DD
0.1
8
A
A
pF
V
V
ns
V
IN
= GND
V
IN
= V
DD
I
O
= -2毫安
I
O
= 2毫安
0.4
12
IV
VI
VI
V
2.8
3.3
24
79
67
3.6
30
100
V
mA
mW
dB
测试级别码
所有的电气特性都受到了
以下条件:具有所有参数
最小/最大规格有保证。该
测试级别列表示特定的设备
在生产过程中实际进行测试
和质量保证检验。任何空白
在数据列部分表示该
说明书中没有在规定的CON-测试
DITION 。
测试级别测试程序
I
II
III
IV
V
VI
100%的产品在特定温度下进行测试。
在T 100 %生产测试
A
= +25
°C,
和样品测试
在指定的温度。
质量保证样品只在指定的温度下进行测试。
参数保证(但未经测试)设计和
特征数据。
参数仅供参考的典型值。
在T 100 %生产测试
A
= +25
°C.
参数
保证在规定的温度范围内。
SPT
SPT7851
3
8/1/00
典型性能特性
THD , SNR , SINAD与输入频率
80
THD , SNR , SINAD VS采样率
80
THD , SNR , SINAD (分贝)
70
70
THD
60
SNR
SINAD
50
THD
SNR
SINAD
THD , SNR , SINAD (分贝)
60
THD
SNR
SINAD
50
40
40
30
30
20
100
101
102
20
10 0
101
102
输入频率(MHz)
采样率( MSPS )
注意:对于每个采样速率优化BIAS1和偏差2的电流。
THD , SNR , SINAD与温度
70
150
功耗与采样率
68
THD , SNR , SINAD (分贝)
THD
66
功耗(MW )
125
100
64
75
62
50
60
SNR
58
25
SINAD
56
–40
–25
0
25
50
70
85
0
10 0
101
102
温度(℃)
采样率( MSPS )
注意: BIAS1和偏差2的每个采样率进行优化。
偏置电压1 VS 1偏置电流
3.4
3.2
0.85
3.0
0.90
偏置电压2 VS 2偏置电流
VBIAS 2 ( V)
Vbias1 ( V)
0.80
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
0
30
60
90
120
150
180
BIAS 1
30
60
90
120
150
VBIAS 1
2.19
2.53
2.79
3
3.22
0.75
0.70
0.65
0.60
0
3
6
9
2 IBIAS
3
6
9
12
15
VBIAS 2
0.6975
0.7535
0.796
0.8295
0.8595
12
15
18
IBIAS1 ( μA )
2 IBIAS ( μA )
SPT
SPT7851
4
8/1/00
图1 - 时序图
采样点
N-1
N
N+1
t
AP
A
IN
CLK
N+2
N+6
N+7
N+8
t
D
D
OUT
N-2
N-1
N
概述
该SPT7851是超低功耗, 10位, 20 MSPS ADC 。
它有一个流水线架构,并集成了数字错误
修正所有10位。此错误校正功能,确保良好
输入线性度性能频率高达奈奎斯特。
输入是全差分,使得设备不敏感
略去对系统级的噪声。此设备也可以在一个用于
单端模式。 (见模拟输入部分)。随着
功耗大致正比于采样速率,
该器件非常适合于低功耗应用
范围为1至20 MSPS的。
图2 - 典型接口电路
典型接口电路
该SPT7851需要很少的外部元件来实现
规定的操作和性能。图2示出了
使用SPT7851的时候典型的接口要求
电路的正常工作。以下各节提供了一个
功能描述和概括的关键性能
标准要考虑实现最佳的设备perfor-
曼斯。
+3.3 V
4.7
F
+
.01
F
10
F
+
CLK IN
( 3 V逻辑)
REF- IN
(+1.15 V)
+3.3 V
.01
F
REF +在
(+2.15 V)
+
4.7
F
.01
F
11
+3.3 V数字
0.1
F
1
GND
CLK
N / C
去耦电容
VDD2
VDD3
VDD1
VREF-
VREF +
VDD1
VDD2
VDD1
12
N / C
N / C
N / C
V
DD3
44
DNC
DNC
D0
D1
( LSB )
90
A
9.5
A
.01
F
(+1.65 V)
GND
Bias1
Bias2
VCM
GND
U1
SPT7851
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D9
D8
接口
3 V逻辑
在RF
51
68 pF的
VIN +
VIN-
22
Minicircuit
T1-6T
GND
GND
34
(MSB)
23
33
AGND
FB
DGND
注:1,所有V
DD1
, V
DD2
和V
DD3
应连在一起。
2. FB =铁氧体磁珠;必须放在尽可能靠近U1越好。
SPT
SPT7851
5
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