SPT5510
16 - BIT ， 200 MWPS ECL D / A转换器
特点
16位， 200 MWPS数字 - 模拟转换器
微分线性度
±0.6
LSB （典型值）
积分线性度
±0.75
LSB （典型值）
快速建立时间： 35 ns至0.0008 ％ ; 25纳秒至0.01％
低突波能量
片上电压参考
ECL兼容性
应用
高精度的任意波形发生器
测试和测量仪器
数字波形合成
微波和卫星调制解调器
磁盘驱动器测试设备
工业过程控制
军事应用
概述
该SPT5510是一个16位， 200 MWPS数字 - 模拟
转换器专为高分辨率的波形合成
对于测试和测量仪器仪表应用。它
拥有真正的16位线性度，差分非线性度
通常
±0.6
LSB的和积分的非线性
±0.75
LSB 。它
具有高达200兆赫的甚高速更新速率，是
ECL兼容。它有25纳秒的超快建立时间
0.01 ％和35 ns至0.0008 ％ 。
该SPT5510工作在工业温度
-40系列
°C
+85
°C
并且是在一个10 ×10mm的可用
44引脚公制四方扁平封装（ MQFP ）塑料封装。
框图
REF
IN
D15–D12
I
OUT
I
OUT
最高位
解码器
16
MSB锁存
16
I
OUT
数字输入
D15–D0
16
输入
LATCH
最低位
卜FF器
12
LSB锁存
12
BIAS
D11–D0
CLK
BG
OUT
当前
细胞
I
OUT
带隙
参考
BIAS
R
SET
AMP
INB
+
–
REF
AMP
参考
CELL
20
AMP
OUT
10
AMP
CC
绝对最大额定值（除了可能发生的伤害）
1
电源电压
负电源电压（V
EE
) ................................. –7 V
A / D对地电压差................................ 0.5 V
输入电压
数字输入电压（ D15 - D0 ，时钟） ... ........... -2.5 0 V
参考放大器的输入电压范围.......................... -2.5 0 V
参考输入电压范围（参考文献中） ...... V
EE
到-2.5 V
输出电流
带隙基准的输出电流.....................
±500 A
参考放大器的输出电流................................
±2.5
mA
温度
工作温度............................... -40至+85
°C
结温.......................................... 150
°C
铅，锡焊（ 10秒） ............................. 250
°C
存储................................................. ... -65到+150
°C
注意：
1.操作在任何绝对最大额定值是不是暗示。请参阅电气规格额定工作
条件。
电气规格
T
A
= 25
°C,
V
EE
=–5.2 V
±5%,
50％占空比的时钟，除非另有规定。
参数
直流性能
1
决议
差分线性
差分线性
积分线性度
积分线性度
积分线性漂移
失调漂移
单调性
输出电容
增益误差
增益误差温度系数
增益误差温度系数
偏移误差
顺从电压
输出电阻
动态性能
转化率
沉降时间t
ST2
TEST
条件
TEST
水平
民
SPT5510
典型值
16
±0.6
±1.0
±0.75
±1.5
最大
单位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
LSB /°C的
PPM FS / ℃，
位
pF
％ FS
PPM FS / ℃，
PPM FS / ℃，
A
V
k
兆赫
T
民
–T
最大
T
民
–T
最大
T
民
–T
最大
与外部参考
与内部带隙参考
VI
IV
VI
IV
IV
IV
V
V
I
V
V
I
IV
IV
IV
–1.95
–4.0
–1.95
–4.0
–0.2
–2.5
15
–2
1.95
4.0
1.95
4.0
0.2
2.5
10
0.4
50
50
2
–4
–1.2
0.88
200
1.1
4
2
1.32
要解决
±0.01%
要解决
±0.0008%
延迟时间T
D
毛刺能量
满量程输出电流
上升时间/下降时间
无杂散动态范围
OUT
= 5 MHz的;
时钟
± 30兆赫
OUT
= 10 MHz的;
时钟
-100兆赫
1
测
带有片上参考
R
L
= 50
10 MHz的范围内
10 MHz的范围内
V
V
V
V
V
V
V
V
25
35
2
30
19
2
84
76
ns
ns
ns
的pV -S
mA
ns
dB
dB
在0 V输出，使用I -V 。
2
测量电压稳定的中等规模的过渡;
L
= 50
.
SPT5510
2
9/27/00
工作原理
该SPT5510是分段的16位电流输出DAC 。
四个MSB ， D15- D12，被解码以15单元电池
（汇电流） 。其余位（ D11 - D0 ）是二进制;
比特D9 D0的是衍生自R-2R梯形。所有细胞是
激光调整，最大精度。的框图
示的基本结构。
所有输出单元总是在，与所述数据确定
从我的给定单元格的当前是否被路由
OUT
还是我
OUT
.
这提供了几乎恒定的功率耗散indepen-
凹痕数据和时钟速率。这也降低了噪声瞬变
电源线和接地线。
参考循环利用的MSB加权细胞和亲
志愿组织的约16到输出的增益。片上为参考
ENCE放大器具有非常高的开环增益和偏移
修整，以提供非常低的温度漂移（典型
<10 PPM / °C增益漂移） 。
图1 - 典型接口电路
电源和接地
该SPT5510需要一个单一的-5.2V供电。所有
电源引脚连接到一个共同的片上功率总线和
应视为模拟电源。为了获得最好的解决per-
formance ，每个电源引脚的去耦如图所示
在图1 - 典型接口电路。
有三个独立的片接地总线。 DGND
引脚应该连接在一起，并连接到系统
地穿过铁氧体磁珠。 REFGND和OGND销
应直接连到SPT5510的地平面和
穿过铁氧体磁珠连接到系统地。这是
关键是REFGND和OGND非常紧密耦合，
任何差分信号（直流失调，噪声等）将
发送到输出端。两个OGND引脚可
从接地平面断开，并用作感
对于一个电流 - 电压转换器线，如图中
输出部分。
C13
20 pF的
C12
10 pF的
.01
F
1K
50
47 pF的
47 pF的
1K
AV
EE
.01
F
C7
R7
R9
C9
C10
22
20
12
19
16
AMP
INB
18
REFGND
REFGND
BG
OUT
R
SET
CLK
17
AMP
CC
AMP
B
15
9
AMP
OUT
1
2
3
4
5
6
7
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
REF
IN
21
R10
50
R8
C8
I
OUT
41
输入
数据
8
25
26
27
28
29
30
31
32
SPT5510
36
I
OUT
OGND
DGND
OGND
OGND
OGND
DGND
DGND
DGND
AV
EE
AV
EE
AV
EE
AV
EE
AV
EE
AV
EE
AV
EE
44
10
24
33
40
42
35
37
39
43
11
R1
R2
10
R4
10
2.2
F
2.2
F
2.2
F
2.2
F
.01
F
.01
F
.01
F
.01
F
R6
10
C5
C6
.01
F
R3
10
C14
C15
C17
C1
.01
F
C2
C3
C16
C4
R5
10
10
C1- C13 - 表面贴装陶瓷芯片
C14 - C17 - 钽
R1 - R6 - 碳膜1/4 W
R7 - R10 - 表面贴装陶瓷芯片
FB - 铁氧体磁珠将被作为位于密切
到设备成为可能。
FB
AV
EE
13
14
23
34
38
AV
EE
C11
47 pF的
产量
产量
补充
SPT5510
4
9/27/00
宽带去耦所需的最佳沉降per-
性能。这可能需要几个并联电容器，
而串联电阻在适当的时候，以减少共振
的影响。有些应用程序可能只需要一个单一的电容器
器;然而，去耦器影响的长期和短期
长期稳定，因此谨慎呼吁。应用程序可能
需要进行一些研究以确定最佳功率
供电去耦网络。
数字输入和时序
每一个数字输入进行缓冲，解码，然后被锁存
入D触发器驱动该输出开关。主 -
从属触发器不被使用;因此，只有一个1/2时钟
期间从数据延迟（最大）切换到输出的变化。在
这种结构中，时钟和数据边沿速率（即，上升/下降
时间）可能会影响数据馈通。使用的数据边缘
大约0.8纳秒将导致大约数据馈通
10 PV- S，而5ns的数据优势将减少馈通
至约4的pV -s表示。数据线可以包括串联电阻器或
如果需要， RC滤波器的边缘控制。
当该数据被锁存到所述时钟信号控制
触发器。当CLK为高电平时，DAC是在跟踪模式下。一
负向CLK锁存数据。如果CLK为低电平时，
DAC是在保持模式。见图2 。
图2 - 时序图
t
S
CLK
t
H
t
D
输出
该输出是由电流吸收器， R-2R梯形的，并且
相关的寄生效应。参见图3的等效输出
电路。
使用时，内部的DAC满量程输出电流
基准放大器通过在引脚上的电压来确定
AMP
INB
和R用
SET
性。可以发现（内
一个LSB），通过使用下面的公式：
I
OUT
FS = （ AMP
INB
/R
SET
) x 16
输入确定是否从每一个流入电流
来自我
OUT
还是我
OUT
如下：
代码（ D15是MSB ）
0 （零刻度）
32768 （中等规模）
65535 （满刻度）
I
OUT
无电流
I
OUT
= I
OUT
目前所有的
I
OUT
目前所有的
I
OUT
= I
OUT
无电流
差分输出有助于最大噪声抑制和
信号摆幅。该DAC是利用电流至电压修整
（IV）的转换器，其在所述输出提供了一个虚地
提出并包括感测线以减轻总线的影响
下降。经营成一个负荷比虚拟接地对方会
介绍在输出微微低头。这把弓是有关
目前汇“有限的输出阻抗和梯子
阻抗。
使用的IV转换电路实例示于图
4.请注意，电阻器和运算放大器的自热在DAC的
满量程范围会引入额外的温度依赖新生
置信。运算放大器和反馈电阻必须同时具备
非常低的温度系数，如果DAC的内部增益漂移为
维护。感线路有助于降低导线的影响 - 无论是IR
损耗和温度漂移。
图4 - 的I-V转换器
BNC
"I
OUT
”
数据
I
OUT
I
OUT
t
ST
t
H
=保持时间
t
D
=时间到输出有效
t
S
=建立时间
t
ST
=建立时间
OGND
I
OUT
OGND
–
250
GND
图3 - 等效输出电路
I
OUT
还是我
OUT
AV
EE
OGND
I
OUT
1.1k
10 pF的
OGND
5
+
+
–
GND
250
BNC
"I
OUT
＆ QUOT ;
SPT5510
9/27/00
SPT5510
16 - BIT ， 200 MWPS ECL D / A转换器
特点
16位， 200 MWPS数字 - 模拟转换器
微分线性度
±0.6
LSB （典型值）
积分线性度
±0.75
LSB （典型值）
快速建立时间： 35 ns至0.0008 ％ ; 25纳秒至0.01％
低突波能量
片上电压参考
ECL兼容性
应用
高精度的任意波形发生器
测试和测量仪器
数字波形合成
微波和卫星调制解调器
磁盘驱动器测试设备
工业过程控制
军事应用
概述
该SPT5510是一个16位， 200 MWPS数字 - 模拟
转换器专为高分辨率的波形合成
对于测试和测量仪器仪表应用。它
拥有真正的16位线性度，差分非线性度
通常
±0.6
LSB的和积分的非线性
±0.75
LSB 。它
具有高达200兆赫的甚高速更新速率，是
ECL兼容。它有25纳秒的超快建立时间
0.01 ％和35 ns至0.0008 ％ 。
该SPT5510工作在工业温度
-40系列
°C
+85
°C
并且是在一个10 ×10mm的可用
44引脚公制四方扁平封装（ MQFP ）塑料封装。
框图
REF
IN
D15–D12
I
OUT
I
OUT
最高位
解码器
16
MSB锁存
16
I
OUT
数字输入
D15–D0
16
输入
LATCH
最低位
卜FF器
12
LSB锁存
12
BIAS
D11–D0
CLK
BG
OUT
当前
细胞
I
OUT
带隙
参考
BIAS
R
SET
AMP
INB
+
–
REF
AMP
参考
CELL
20
AMP
OUT
10
AMP
CC
绝对最大额定值（除了可能发生的伤害）
1
电源电压
负电源电压（V
EE
) ................................. –7 V
A / D对地电压差................................ 0.5 V
输入电压
数字输入电压（ D15 - D0 ，时钟） ... ........... -2.5 0 V
参考放大器的输入电压范围.......................... -2.5 0 V
参考输入电压范围（参考文献中） ...... V
EE
到-2.5 V
输出电流
带隙基准的输出电流.....................
±500 A
参考放大器的输出电流................................
±2.5
mA
温度
工作温度............................... -40至+85
°C
结温.......................................... 150
°C
铅，锡焊（ 10秒） ............................. 250
°C
存储................................................. ... -65到+150
°C
注意：
1.操作在任何绝对最大额定值是不是暗示。请参阅电气规格额定工作
条件。
电气规格
T
A
= 25
°C,
V
EE
=–5.2 V
±5%,
50％占空比的时钟，除非另有规定。
参数
直流性能
1
决议
差分线性
差分线性
积分线性度
积分线性度
积分线性漂移
失调漂移
单调性
输出电容
增益误差
增益误差温度系数
增益误差温度系数
偏移误差
顺从电压
输出电阻
动态性能
转化率
沉降时间t
ST2
TEST
条件
TEST
水平
民
SPT5510
典型值
16
±0.6
±1.0
±0.75
±1.5
最大
单位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
LSB /°C的
PPM FS / ℃，
位
pF
％ FS
PPM FS / ℃，
PPM FS / ℃，
A
V
k
兆赫
T
民
–T
最大
T
民
–T
最大
T
民
–T
最大
与外部参考
与内部带隙参考
VI
IV
VI
IV
IV
IV
V
V
I
V
V
I
IV
IV
IV
–1.95
–4.0
–1.95
–4.0
–0.2
–2.5
15
–2
1.95
4.0
1.95
4.0
0.2
2.5
10
0.4
50
50
2
–4
–1.2
0.88
200
1.1
4
2
1.32
要解决
±0.01%
要解决
±0.0008%
延迟时间T
D
毛刺能量
满量程输出电流
上升时间/下降时间
无杂散动态范围
OUT
= 5 MHz的;
时钟
± 30兆赫
OUT
= 10 MHz的;
时钟
-100兆赫
1
测
带有片上参考
R
L
= 50
10 MHz的范围内
10 MHz的范围内
V
V
V
V
V
V
V
V
25
35
2
30
19
2
84
76
ns
ns
ns
的pV -S
mA
ns
dB
dB
在0 V输出，使用I -V 。
2
测量电压稳定的中等规模的过渡;
L
= 50
.
SPT5510
2
9/27/00
工作原理
该SPT5510是分段的16位电流输出DAC 。
四个MSB ， D15- D12，被解码以15单元电池
（汇电流） 。其余位（ D11 - D0 ）是二进制;
比特D9 D0的是衍生自R-2R梯形。所有细胞是
激光调整，最大精度。的框图
示的基本结构。
所有输出单元总是在，与所述数据确定
从我的给定单元格的当前是否被路由
OUT
还是我
OUT
.
这提供了几乎恒定的功率耗散indepen-
凹痕数据和时钟速率。这也降低了噪声瞬变
电源线和接地线。
参考循环利用的MSB加权细胞和亲
志愿组织的约16到输出的增益。片上为参考
ENCE放大器具有非常高的开环增益和偏移
修整，以提供非常低的温度漂移（典型
<10 PPM / °C增益漂移） 。
图1 - 典型接口电路
电源和接地
该SPT5510需要一个单一的-5.2V供电。所有
电源引脚连接到一个共同的片上功率总线和
应视为模拟电源。为了获得最好的解决per-
formance ，每个电源引脚的去耦如图所示
在图1 - 典型接口电路。
有三个独立的片接地总线。 DGND
引脚应该连接在一起，并连接到系统
地穿过铁氧体磁珠。 REFGND和OGND销
应直接连到SPT5510的地平面和
穿过铁氧体磁珠连接到系统地。这是
关键是REFGND和OGND非常紧密耦合，
任何差分信号（直流失调，噪声等）将
发送到输出端。两个OGND引脚可
从接地平面断开，并用作感
对于一个电流 - 电压转换器线，如图中
输出部分。
C13
20 pF的
C12
10 pF的
.01
F
1K
50
47 pF的
47 pF的
1K
AV
EE
.01
F
C7
R7
R9
C9
C10
22
20
12
19
16
AMP
INB
18
REFGND
REFGND
BG
OUT
R
SET
CLK
17
AMP
CC
AMP
B
15
9
AMP
OUT
1
2
3
4
5
6
7
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
REF
IN
21
R10
50
R8
C8
I
OUT
41
输入
数据
8
25
26
27
28
29
30
31
32
SPT5510
36
I
OUT
OGND
DGND
OGND
OGND
OGND
DGND
DGND
DGND
AV
EE
AV
EE
AV
EE
AV
EE
AV
EE
AV
EE
AV
EE
44
10
24
33
40
42
35
37
39
43
11
R1
R2
10
R4
10
2.2
F
2.2
F
2.2
F
2.2
F
.01
F
.01
F
.01
F
.01
F
R6
10
C5
C6
.01
F
R3
10
C14
C15
C17
C1
.01
F
C2
C3
C16
C4
R5
10
10
C1- C13 - 表面贴装陶瓷芯片
C14 - C17 - 钽
R1 - R6 - 碳膜1/4 W
R7 - R10 - 表面贴装陶瓷芯片
FB - 铁氧体磁珠将被作为位于密切
到设备成为可能。
FB
AV
EE
13
14
23
34
38
AV
EE
C11
47 pF的
产量
产量
补充
SPT5510
4
9/27/00
宽带去耦所需的最佳沉降per-
性能。这可能需要几个并联电容器，
而串联电阻在适当的时候，以减少共振
的影响。有些应用程序可能只需要一个单一的电容器
器;然而，去耦器影响的长期和短期
长期稳定，因此谨慎呼吁。应用程序可能
需要进行一些研究以确定最佳功率
供电去耦网络。
数字输入和时序
每一个数字输入进行缓冲，解码，然后被锁存
入D触发器驱动该输出开关。主 -
从属触发器不被使用;因此，只有一个1/2时钟
期间从数据延迟（最大）切换到输出的变化。在
这种结构中，时钟和数据边沿速率（即，上升/下降
时间）可能会影响数据馈通。使用的数据边缘
大约0.8纳秒将导致大约数据馈通
10 PV- S，而5ns的数据优势将减少馈通
至约4的pV -s表示。数据线可以包括串联电阻器或
如果需要， RC滤波器的边缘控制。
当该数据被锁存到所述时钟信号控制
触发器。当CLK为高电平时，DAC是在跟踪模式下。一
负向CLK锁存数据。如果CLK为低电平时，
DAC是在保持模式。见图2 。
图2 - 时序图
t
S
CLK
t
H
t
D
输出
该输出是由电流吸收器， R-2R梯形的，并且
相关的寄生效应。参见图3的等效输出
电路。
使用时，内部的DAC满量程输出电流
基准放大器通过在引脚上的电压来确定
AMP
INB
和R用
SET
性。可以发现（内
一个LSB），通过使用下面的公式：
I
OUT
FS = （ AMP
INB
/R
SET
) x 16
输入确定是否从每一个流入电流
来自我
OUT
还是我
OUT
如下：
代码（ D15是MSB ）
0 （零刻度）
32768 （中等规模）
65535 （满刻度）
I
OUT
无电流
I
OUT
= I
OUT
目前所有的
I
OUT
目前所有的
I
OUT
= I
OUT
无电流
差分输出有助于最大噪声抑制和
信号摆幅。该DAC是利用电流至电压修整
（IV）的转换器，其在所述输出提供了一个虚地
提出并包括感测线以减轻总线的影响
下降。经营成一个负荷比虚拟接地对方会
介绍在输出微微低头。这把弓是有关
目前汇“有限的输出阻抗和梯子
阻抗。
使用的IV转换电路实例示于图
4.请注意，电阻器和运算放大器的自热在DAC的
满量程范围会引入额外的温度依赖新生
置信。运算放大器和反馈电阻必须同时具备
非常低的温度系数，如果DAC的内部增益漂移为
维护。感线路有助于降低导线的影响 - 无论是IR
损耗和温度漂移。
图4 - 的I-V转换器
BNC
"I
OUT
”
数据
I
OUT
I
OUT
t
ST
t
H
=保持时间
t
D
=时间到输出有效
t
S
=建立时间
t
ST
=建立时间
OGND
I
OUT
OGND
–
250
GND
图3 - 等效输出电路
I
OUT
还是我
OUT
AV
EE
OGND
I
OUT
1.1k
10 pF的
OGND
5
+
+
–
GND
250
BNC
"I
OUT
＆ QUOT ;
SPT5510
9/27/00
QQ：2881677436 复制
