【SPS01N60C3酷MOS 功率晶体管特征新的革命高电压技术超低栅极电荷周期性的额定雪崩至尊的dv】,IC型号SPS01N60C3,SPS01N60C3 PDF资料,SPS01N60C3经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPS01N60C3

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

V

DS

@

T

JMAX

R

DS （ ON）

I

D

650

6

0.8

V

A

PG-TO251-3-11

TYPE

SPS01N60C3

包

订购代码

记号

01N60C3

PG-TO251-3-11

-

最大额定值

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 0.6 A,

V

DD

= 50 V

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

1)

E

AR

I

D

= 0.8 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

I

AR

栅源电压静态

V

GS

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

符号

I

D

价值

0.8

0.5

单位

A

I

PULS

E

AS

1.6

20

0.01

0.8

±20

±30

11

-55... +150

15

W

°C

V / ns的

A

V

mJ

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

dv / dt的

工作和存储温度

反向二极管的dv / dt

3)

修订版2.0

页面

1

2005-10-24

SPS01N60C3

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 0.8 A,

T

j

= 125 °C

符号

dv / dt的

价值

50

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

焊接温度，

波峰焊接

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=0.8A

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=250Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

T

出售

-

值

典型值。

-

马克斯。

11

75

50

260

单位

K / W

°C

值

典型值。

-

700

3

0.1

-

5.6

15.1

马克斯。

-

3.9

600

-

2.1

-

单位

V

A

1

50

100

6

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=30V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=0.5A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

修订版2.0

页面

2

2005-10-24

SPS01N60C3

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=350V,

I

D

=0.8A,

V

GS

= 0至10V

V

DD

=350V,

I

D

=0.8A

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

条件

分钟。

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=0.5A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

值

典型值。

0.75

100

40

2.5

30

25

55

30

马克斯。

-

82

45

-

单位

S

pF

V

DD

=350V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=0.8A,

R

G

=100

ns

-

0.9

2.2

3.9

5.5

-

5

-

nC

V

（高原）

V

DD

=350V,

I

D

=0.8A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

=E

AR

*f.

AV

2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

3

我< = I ， DI / dt< = 400A / us的，V

SD

D

的dcLINK

=400V, V

PEAK

＆ LT ; V

BR ， DSS

, T

j

＆ LT ;吨

， MAX

.

相同的低侧和高侧开关。

修订版2.0

页面

3

2005-10-24

SPS01N60C3

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=350V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

570

0.75

马克斯。

0.8

1.6

1.2

970

-

单位

A

V

ns

C

典型的瞬态热特性

符号

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.225

0.395

0.603

0.995

0.691

0.148

K / W

价值

典型值。

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.00001221

0.00005037

0.0000809

0.0002915

0.001844

0.412

WS / K

单位

符号

价值

典型值。

单位

T

j

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

P

合计

(t)

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

修订版2.0

页面

4

2005-10-24

SPS01N60C3

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

12

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

1

W

A

10

9

P

合计

7

6

5

4

3

2

1

0

20

40

60

80

100

120

10

-1

I

D

8

10

0

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

°C

160

10

-2 0

10

1

10

2

T

C

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

2

4典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

2.5

K / W

A

10

1

20V

10V

7V

6.5V

Z

thJC

I

D

10

0

1.5

6V

10

-1

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

1

s

10

1

5.5V

0.5

5V

10

-2 -7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

10

0

5

10

15

V

DS

25

t

p

修订版2.0

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5

2005-10-24

SPS01N60C3

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

V

DS

@

T

JMAX

R

DS （ ON）

I

D

650

6

0.8

V

A

PG-TO251-3-11

TYPE

SPS01N60C3

包

订购代码

记号

01N60C3

PG-TO251-3-11

-

最大额定值

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 0.6 A,

V

DD

= 50 V

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

1)

E

AR

I

D

= 0.8 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

I

AR

栅源电压静态

V

GS

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

符号

I

D

价值

0.8

0.5

单位

A

I

PULS

E

AS

1.6

20

0.01

0.8

±20

±30

11

-55... +150

15

W

°C

V / ns的

A

V

mJ

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

dv / dt的

工作和存储温度

反向二极管的dv / dt

3)

2.1版

页面

1

2008-04-07

SPS01N60C3

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 0.8 A,

T

j

= 125 °C

符号

dv / dt的

价值

50

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

焊接温度，

波峰焊接

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=0.8A

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=250Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

T

出售

-

值

典型值。

-

马克斯。

11

75

50

260

单位

K / W

°C

值

典型值。

-

700

3

0.1

-

5.6

15.1

马克斯。

-

3.9

600

-

2.1

-

单位

V

A

1

50

100

6

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=30V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=0.5A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

2.1版

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2

2008-04-07

SPS01N60C3

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=350V,

I

D

=0.8A,

V

GS

= 0至10V

V

DD

=350V,

I

D

=0.8A

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

条件

分钟。

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=0.5A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

值

典型值。

0.75

100

40

2.5

30

25

55

30

马克斯。

-

82

45

-

单位

S

pF

V

DD

=350V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=0.8A,

R

G

=100

ns

-

0.9

2.2

3.9

5.5

-

5

-

nC

V

（高原）

V

DD

=350V,

I

D

=0.8A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

=E

AR

*f.

AV

2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

3

我< = I ， DI / dt< = 400A / us的，V

SD

D

的dcLINK

=400V, V

PEAK

＆ LT ; V

BR ， DSS

, T

j

＆ LT ;吨

， MAX

.

相同的低侧和高侧开关。

2.1版

页面

3

2008-04-07

SPS01N60C3

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=350V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

570

0.75

马克斯。

0.8

1.6

1.2

970

-

单位

A

V

ns

C

典型的瞬态热特性

符号

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.225

0.395

0.603

0.995

0.691

0.148

K / W

价值

典型值。

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.00001221

0.00005037

0.0000809

0.0002915

0.001844

0.412

WS / K

单位

符号

价值

典型值。

单位

T

j

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

P

合计

(t)

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

2.1版

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4

2008-04-07

SPS01N60C3

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

12

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

1

W

A

10

9

P

合计

7

6

5

4

3

2

1

0

20

40

60

80

100

120

10

-1

I

D

8

10

0

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

°C

160

10

-2 0

10

1

10

2

T

C

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

2

4典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

2.5

K / W

A

10

1

20V

10V

7V

6.5V

Z

thJC

I

D

10

0

1.5

6V

10

-1

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

1

s

10

1

5.5V

0.5

5V

10

-2 -7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

10

0

5

10

15

V

DS

25

t

p

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2008-04-07