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SPP7407
P沟道增强型MOSFET
描述
该SPP7407是P沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用诸如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和其它电池供电的
电路中的高侧开关和低线
需要在一个非常小的轮廓表面的功率损耗
贴装封装。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
-20V/-3.4A,R
DS （ ON）
= 100mΩ的@ V
GS
=-4.5V
-20V/-2.4A,R
DS （ ON）
= 125mΩ @ V
GS
=-2.5V
-20V/-1.7A,R
DS （ ON）
= 170mΩ @ V
GS
=-1.8V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 323 （ SC - 70 ）封装设计
引脚配置（ SOT- 323 ， SC- 70 ）
最热
2007/02/08
Ver.3
第1页
SPP7407
P沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
符号
G
S
D
描述
门
来源
漏
订购信息
产品型号
SPP7407S32RG
※
本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
SPP7407S32RG ：带卷轴;铅 - 免费
包
SOT-323
部分
记号
07YW
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
-20
±12
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
-2.3
-1.7
-6
-1.4
0.33
0.21
-55/150
-55/150
105
2007/02/08
Ver.3
第2页
SPP7407
P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-6V,R
L
=6
I
D
≡-1.0A,V
根
=-4.5V
R
G
=6
V
DS
=-6V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≦-5V,V
GS
=-4.5V
V
GS
=-4.5V,I
D
=-3.4A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-2.4A
V
GS
=-1.8V,I
D
=-1.7A
V
DS
=-5V,I
D
=-2.8A
I
S
=-1.5A,V
GS
=0V
-20
-0.35
-0.8
±100
-1
-5
-6
0.090
0.115
0.155
6
-0.8
4.8
1.0
1.0
485
85
40
10
13
18
15
16
23
25
20
0.100
0.125
0.170
-1.2
8
V
nA
uA
A
S
V
V
DS
=-6V,V
GS
=-4.5V
I
D
≡-2.8A
nC
pF
ns
2007/02/08
Ver.3
第3页
SPP7407
P沟道增强型MOSFET
典型特征
2007/02/08
Ver.3
第4页
SPP7407
P沟道增强型MOSFET
典型特征
2007/02/08
Ver.3
第5页
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