SPP6507
双P沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
符号
G1
S2
G2
D2
S1
D1
描述
门1
源2
门2
排水2
源1
Drain1
订购信息
产品型号
SPP6507S26RG
※
本周代码: AZ ( 1 26 ) ; AZ ( 27 52 )
※
SPP6507S26RG :带卷轴;铅 - 免费
包
SOT- 23- 6L
部分
记号
07YW
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流(T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻,结到环境
T
≤
10sec
稳定状态
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
-30
±12
-2.8
-2.1
-8
-1.4
1.15
0.75
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
-55/150
-55/150
52
100
℃/W
2006/08/10
Ver.1
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