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SPP6507
双P沟道增强型MOSFET
描述
该SPP6507是双P沟道增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度, DMOS沟道技术。这种高密度
工艺特别适合于减小导通状态
性,并提供出色的开关性能。
这些装置特别适用于低电压
应用,例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路,其中
高侧开关,低线功率损耗,并
需要抗瞬变。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
P沟道
-30V/-2.8A,R
DS ( ON)
=105m@V
GS
=- 10V
-30V/-2.5A,R
DS ( ON)
=115m@V
GS
=-4.5V
-30V/-1.5A,R
DS ( ON)
=150m@V
GS
=-2.5V
-30V/-1.0A,R
DS ( ON)
=215m@V
GS
=-1.8V
超高密度电池设计极低
RDS ( ON)
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 23-6L封装设计
引脚配置( SOT- 23-6L )
最热
2006/08/10
Ver.1
第1页
SPP6507
双P沟道增强型MOSFET
引脚说明
1
2
3
4
5
6
符号
G1
S2
G2
D2
S1
D1
描述
门1
源2
门2
排水2
源1
Drain1
订购信息
产品型号
SPP6507S26RG
本周代码: AZ ( 1 26 ) ; AZ ( 27 52 )
SPP6507S26RG :带卷轴;铅 - 免费
SOT- 23- 6L
部分
记号
07YW
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流(T
J
=150
)
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻,结到环境
T
10sec
稳定状态
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
-30
±12
-2.8
-2.1
-8
-1.4
1.15
0.75
单位
V
V
A
A
A
W
-55/150
-55/150
52
100
℃/W
2006/08/10
Ver.1
第2页
SPP6507
双P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=-10uA
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
= -5V,V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V,I
D
=-2.8A
V
GS
=-4.5V,I
D
=-2.5A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-1.5A
V
GS
=-1.8V,I
D
=-1.0A
V
DS
=-10V,I
D
=-2.8A
I
S
=-1.2A,V
GS
=0V
-30
-0.4
-1.0
±100
-1
-10
-4
0.085
0.100
0.135
0.185
4.0
-0.8
0.105
0.115
0.150
0.215
-1.2
V
nA
uA
A
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DS
=-15V ,V
GS
=-4.5V
I
D
≡-2.0A
5.8
0.8
1.5
380
55
40
6
pF
nC
V
DS
=-15V ,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
= -15V ,R
L
=15
I
D
≡-1.0A
,V
=-10V
R
G
=3
3.9
40
15
ns
2006/08/10
Ver.1
第3页
SPP6507
双P沟道增强型MOSFET
典型特征
2006/08/10
Ver.1
第4页
SPP6507
双P沟道增强型MOSFET
典型特征
2006/08/10
Ver.1
第5页
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SPP6507
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    -
    -
    -
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电话:075584505750
联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
SPP6507
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SOT-23-6L
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联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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联系人:陈小姐 付先生
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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