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SPP4435

P沟道增强型MOSFET

描述

该SPP4435是P沟道逻辑增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

应用程序，笔记本电脑的电源管理和

其它电池供电的电路，其中的高侧

切换。

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

特点

-30V/-9.2A,R

DS （ ON）

= 25MΩ @ V

=- 10V

-30V/-7.0A,R

DS （ ON）

= 35mΩ @ V

=-4.5V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOP - 8P包装设计

引脚配置（ SOP - 8P ）

最热

2008/12/01

Ver.2

第1页

SPP4435

P沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

订购信息

产品型号

SPP4435S8RG

SPP4435S8RGB

符号

描述

来源

门

漏

包

SOP- 8P

部分

记号

SPP4435

※

SPP4435S8RG ： 13 “带卷轴;铅 - 免费

※

SPP4435S8RGB ： 13 “带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70℃

=25℃

=70℃

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

典型

-30

±20

单位

℃

℃/W

-10.0

-7.0

-50

-2.3

2.8

1.8

-55/150

2008/12/01

Ver.2

第2页

SPP4435

P沟道增强型MOSFET

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

=0V,I

=-250uA

GS （ TH）

=-250uA

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=-15V,R

=15

≡-1.0A,V

根

=-10V

=-15V,V

=0V

f=1MHz

=0V,V

=±20V

=-24V,V

=0V

=-24V,V

=0V

=85℃

= -5V,V

=-4.5V

=-10V,I

=-9.2A

=-4.5V,I

=-7.0A

=-10V,I

=-9.0A

=-2.3A,V

=0V

-30

-1.0

-3.0

±100

-1

-5

-40

0.022

0.030

-0.8

2.3

4.5

1650

350

235

110

0.025

0.035

-1.2

=-15V,V

=-10V

= -9.0A

2008/12/01

Ver.2

第3页

SPP4435

P沟道增强型MOSFET

典型特征

2008/12/01

Ver.2

第4页

SPP4435

P沟道增强型MOSFET

典型特征

2008/12/01

Ver.2

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SOP-8P

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