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SPP4403
P沟道增强型MOSFET
描述
该SPP4403是P沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用诸如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和其它电池供电的
电路和低线的功率损耗，需要在非常
小尺寸表面贴装封装。
特点
-20V/-10.0A,R
DS （ ON）
= 20MΩ @ V
GS
=-4.5V
-20V / -8.6 A，R
DS （ ON）
= 25MΩ @ V
GS
=-2.5V
-20V / -7.6 A，R
DS （ ON）
= 35mΩ @ V
GS
=-1.8V
超高密度电池设计极低
R
DS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOP- 8P封装设计
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
引脚配置（ SOP - 8P ）
最热
2008/01/10
Ver.1
第1页
SPP4403
P沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
订购信息
产品型号
SPP4403S8RG
SPP4403S8TG
※
SPP4403S8RG ： 13 “带卷轴;铅 - 免费
※
SPP4403S8TG ：管;铅 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
符号
S
S
S
G
D
D
D
D
描述
来源
来源
来源
门
漏
漏
漏
漏
包
SOP- 8P
SOP- 8P
部分
记号
SPP4403
SPP4403
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
=25℃
T
A
=70℃
I
D
I
DM
I
S
T
A
=25℃
T
A
=70℃
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
-20
±12
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
-10.0
-8.0
-30
-2.3
2.8
1.8
-55/150
-55/150
70
2008/01/10
Ver.1
第2页
SPP4403
P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=-16V,V
GS
=0V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≦-5V,V
GS
=-4.5V
V
GS
= - 4.5V ，我
D
=-10.0A
V
GS
= - 2.5V ，我
D
=-8.6A
V
GS
= - 1.8V ，我
D
=-7.6A
V
DS
=-5.0V,I
D
=-10.0A
I
S
=-2.5A,V
GS
=0V
-20
-0.35
-0.9
±100
-1
-10
-20
0.016
0.020
0.028
36
-0.8
0.020
0.025
0.035
-1.2
V
nA
uA
A
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=-10V,V
GS
=-5.0V
I
D
≡-10.0A
30
4.5
8.0
2670
520
480
25
45
nC
V
DS
=-10V,V
GS
=0V
f=1MHz
pF
40
70
240
115
ns
V
DD
=-10V,R
L
=15
I
D
≡-1.0A,V
根
=-4.5V
R
G
=6
45
145
70
2008/01/10
Ver.1
第3页
SPP4403
P沟道增强型MOSFET
典型特征
2008/01/10
Ver.1
第4页
SPP4403
P沟道增强型MOSFET
典型特征
2008/01/10
Ver.1
第5页
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SM8954A
SPC-0703-820
SP574BJ
SS30V-R150270
SB520WT
SMTC1-600F-8
SSY39L400454CB31
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    SPP4403S8RG
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    -
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