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SPP3467

P沟道增强型MOSFET

描述

该SPP3467是P沟道逻辑增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

应用诸如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理和其它电池供电的

电路和低线的功率损耗，需要在非常

小尺寸表面贴装封装。

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

特点

-20V/-5.0A,R

DS （ ON）

= 90mΩ @ V

GS

=-4.5V

-20V/-3.5A,R

DS （ ON）

=110m@V

GS

=-2.5V

-20V/-1.7A,R

DS （ ON）

=140m@V

GS

=-1.8V

超高密度电池设计极低

R

DS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

TSOP- 6P包装设计

引脚配置（ TSOP- 6P ）

最热

2007/04/25

Ver.1

第1页

SPP3467

P沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

1

2

3

4

5

6

订购信息

产品型号

SPP3467ST6RG

※

本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）

※

SPP3467ST6RG ：带卷轴;铅 - 免费

包

TSOP-6P

部分

记号

67YW

符号

D

D

G

S

D

D

描述

漏

漏

门

来源

漏

漏

ABSOULTE最大额定值

(T

A

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

J

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

T

A

=25℃

T

A

=70℃

T

A

=25℃

T

A

=70℃

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

T

英镑

R

θJA

典型

-20

±12

-5.2

-4.2

-20

-1.7

2.0

1.3

150

-55/150

90

单位

V

V

A

A

A

W

℃

℃

℃

/W

2007/04/25

Ver.1

第2页

SPP3467

P沟道增强型MOSFET

电气特性

(T

A

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,I

D

=-250uA

V

GS （ TH）

V

DS

=V

GS

,I

D

=-250uA

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

V

SD

Q

g

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=-6V,R

L

=6

I

D

≡-1.0A,V

根

=-4.5V

R

G

=6

V

DS

=-6V,V

GS

=0V

f=1MHz

V

DS

=0V,V

GS

=±12V

V

DS

=-20V,V

GS

=0V

V

DS

=-20V,V

GS

=0V

T

J

=55℃

V

DS

≦-5V,V

GS

=-4.5V

V

GS

=-4.5V,I

D

=-5.0A

V

GS

=-2.5V,I

D

=-3.5A

V

GS

=-1.8V,I

D

=-1.7A

V

DS

=-5V,I

D

=-2.8A

I

S

=-1.5A,V

GS

=0V

-20

-0.35

-0.8

±100

-1

-5

-6

0.075

0.090

0.120

6

-0.8

4.8

1.0

1.0

485

85

40

10

13

18

15

16

23

25

20

0.090

0.110

0.140

-1.2

8

V

nA

uA

A

S

V

V

DS

=-6V,V

GS

=-4.5V

I

D

≡-2.8A

nC

pF

ns

2007/04/25

Ver.1

第3页

SPP3467

P沟道增强型MOSFET

典型特征

2007/04/25

Ver.1

第4页

SPP3467

P沟道增强型MOSFET

典型特征

2007/04/25

Ver.1

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