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SPP3095
P沟道增强型MOSFET
描述
该SPP3095是P沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压的应用中，如
DC / DC转换器和台式电脑电源
管理。
包装普遍首选的商业
工业表面贴装应用
应用
在台式计算机电源管理
DC / DC转换器
液晶显示器逆变器
特点
-30V / - 8A ，R
DS （ ON）
=100m@V
GS
=- 10V
-30V / - 6A ，R
DS （ ON）
=135m@V
GS
=-4.5V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
TO- 252-2L封装设计
引脚配置（ TO- 252-2L ）
最热
2006/03/16
Ver.2
第1页
SPP3095
P沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
符号
G
S
D
描述
门
来源
漏
订购信息
产品型号
SPP3095T252RG
※
本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
SPP3095T252RG ：带卷轴;铅 - 免费
包
TO-252-2L
部分
记号
SPP3095
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
-30
±20
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
-12
-8
-20
-15
40
20
-55/150
-55/150
105
2006/03/16
Ver.2
第2页
SPP3095
P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-15V,R
L
=15
I
D
≡-1.0A,V
根
=-10V
R
G
=6
V
DS
=-15V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
T
J
=85℃
V
GS
=-10V,I
D
=-8A
V
GS
=-4.5V,I
D
=-6A
V
DS
=-10V,I
D
=-8A
I
S
=-2.5A,V
GS
=0V
-30
-1.0
-3.0
±100
-1
-5
0.083
0.117
8
-0.8
5.8
0.8
1.5
226
87
19
9
9
18
6
20
20
35
20
0.100
0.135
-1.2
10
V
nA
uA
S
V
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V
I
D
≡-8A
nC
pF
ns
2006/03/16
Ver.2
第3页
SPP3095
P沟道增强型MOSFET
典型特征
2006/03/16
Ver.2
第4页
SPP3095
P沟道增强型MOSFET
典型特征
2006/03/16
Ver.2
第5页
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