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> SPP24N60CFD
SPP24N60CFD
的CoolMOS
TM
功率晶体管
特点
内在的快速恢复体二极管
极低的反向恢复电荷
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
产品概述
V
DS
@ TJMAX
R
DS ( ON) ,最大
I
D
650
V
0.185
21.7
PG-TO220
A
的CoolMOS CFD设计
软交换PWM阶段
液晶& CRT电视
TYPE
SPP24N60CFD
包
PG-TO220
TO-220
记号
24N60CFD
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量,单脉冲
雪崩能量,重复
2),3)
雪崩电流,重复性
2),3)
漏源电压斜率
反向二极管的dv / dt
最大的二极管整流速度
门源电压
I
D,脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
的dV / dt
的di / dt
V
GS
I
D
=21.7A,
V
DS
=480V,
T
j
=125°C
I
S
=21.7A,
V
DS
=480 V,
T
j
=125°C
STATIC
AC (F >1赫兹)
功耗
工作和存储温度
安装力矩
修订版1.2
P
合计
T
j
,
T
英镑
M3 & M3.5螺丝
第1页
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=10A,
V
DD
=50 V
I
D
=20A,
V
DD
=50 V
价值
21.7
13.7
55
780
1
20
80
40
600
±20
±30
240
-55 ... 150
60
W
°C
NCM
2007-08-28
A
V / ns的
V / ns的
A / μs的
V
mJ
单位
A
SPP24N60CFD
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻,结 - 案
热阻,结 -
环境
焊接温度,波
焊接只允许在引线
R
thJC
R
thJA
含铅
1.6毫米( 0.063英寸)
从案例10秒
-
-
-
-
0.52
62
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
T
出售
-
-
260
°C
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
雪崩击穿电压
栅极阈值电压
V
( BR ) DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
( BR ) DS
V
GS ( TH)
V
GS
=0 V,
I
D
=21.7 A
V
DS
=V
GS
,
I
D
-1.2毫安
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS ( ON)
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=15.4 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=15.4 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
f
= 1 MHz时,漏极开路
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=15.4 A
600
-
3
-
700
4
-
-
5
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
2.5
-
A
-
-
-
2600
-
0.15
-
100
0.185
nA
-
-
-
0.42
0.8
14.0
-
-
-
S
修订版1.2
第2页
2007-08-28
SPP24N60CFD
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容,能量
相关
4)
有效的输出电容,时间
相关
5)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=480 V,
I
D
=21.7 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
15
67
110
7.3
-
-
143
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
O( ER )
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
伏至480伏
C
O( TR )
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=400 V,
V
GS
=10 V,
I
D
= 21.7A,
R
G
=6.8
-
-
-
-
-
188
50
24
100
9
-
-
-
-
-
ns
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
3160
900
34
103
-
-
-
-
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
J- STD20和JESD22
脉冲宽度
t
p
受
T
, MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
C
O( ER )
是一个固定的电容,给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升,从0至80%
V
DSS 。
C
O( TR )
是一个固定的电容,赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升,从0至80%
V
DSS 。
2)
3)
4)
5)
修订版1.2
第3页
2007-08-28
SPP24N60CFD
参数
符号条件
分钟。
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
2)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
I
S
I
S,脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
R
=480 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=I
S
,
T
j
=25 °C
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
140
0.9
11
21.7
55
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
A
值
典型值。
马克斯。
单位
修订版1.2
第4页
2007-08-28
SPP24N60CFD
1功耗
P
合计
= F (T
C
)
2安全工作区
I
D
= F(V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数:
t
p
250
10
2
限于由导通状态
阻力
1 s
200
10 s
100 s
10
1
150
1毫秒
DC
10毫秒
P
合计
[W]
100
10
0
50
I
D
[A]
0
0
40
80
120
160
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T
C
[°C]
V
DS
[V]
3最大。瞬态热阻抗
I
D
= F(V
DS
);
T
j
=25 °C
参数:
D =吨
p
/T
10
0
4典型。输出特性
I
D
= F(V
DS
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
50
20 V
45
40
0.5
10 V
8V
35
Z
thJC
〔 K / W〕
30
10
-1
0.1
I
D
[A]
0.2
25
20
7V
0.05
0.02
0.01
单脉冲
15
10
6.5 V
6V
5
0
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0
5
10
5V
5.5 V
10
-2
10
-5
15
20
t
p
[s]
V
DS
[V]
修订版1.2
第5页
2007-08-28
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SPP24N60CFD
PDF信息
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SED1374
SN65LVDS32B
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S-875021B
S29GL256P90FFIV10
SAA7116
SSY39V800904EE1
SSY39L800904EUK
SI1967DH-T1-GE3
S29GL064A10FAIR10
SN74CB3Q3384APWG4
S29CD016J0JDGH117
ST72P262G1B6/XXX
STR755FV1T6
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SF15-T3
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QQ:515102657
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电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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