【SPP24N60C3酷MOS 功率晶体管特征新的革命高电压技术世界范围内最好的RDS （ ON）在2】,IC型号SPP24N60C3,SPP24N60C3 PDF资料,SPP24N60C3经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPP24N60C3

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

在220

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

V

DS

@

T

JMAX

R

DS （ ON）

I

D

650

0.16

24.3

V

A

P-TO220-3-1

TYPE

SPP24N60C3

包

P-TO220-3-1

订购代码

Q67040-S4639

记号

24N60C3

最大额定值

参数

符号

I

D

价值

单位

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

A

24.3

15.4

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 10 A,

V

DD

= 50 V

I

PULS

E

AS

72.9

780

1

24.3

±20

±

30

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

1)

E

AR

I

D

= 24.3 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

I

AR

栅源电压静态

V

GS

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

A

V

W

°C

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

240

-55... +150

工作和存储温度

修订版2.0

第1页

2004-03-02

SPP24N60C3

最大额定值

参数

符号

价值

单位

漏源电压斜率

V

DS

= 480 ,

I

D

= 24.3 ,

T

j

= 125 °C

d

v

/d

t

50

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

-

值

典型值。

-

马克斯。

0.52

62

K / W

单位

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

T

出售

-

260

°C

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=1200Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

值

典型值。

-

700

3

0.1

-

0.14

0.34

0.66

马克斯。

-

3.9

600

-

2.1

-

单位

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=24.3A

A

1

100

0.16

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=15.4A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

修订版2.0

第2页

2004-03-02

SPP24N60C3

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

条件

分钟。

V

DS

≥

2*

I

D

*

R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=15.4A

值

典型值。

21.5

3000

1000

60

141

224

13

21

140

14

马克斯。

-

单位

S

pF

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

有效输出电容，

2)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

3)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

pF

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=380V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=24.3A,

R

G

=3.3

-

ns

栅极电荷特性

门源费

Q

gs

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gd

Q

g

V

DD

=480,

I

D

=24.3A

-

12.7

45.8

104.9

5

-

135

-

nC

V

DD

=480V,

I

D

=24.3A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=480V,

I

D

=24.3A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

=E

AR

*f.

AV

2

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

3

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

修订版2.0

第3页

2004-03-02

SPP24N60C3

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=480V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

600

13

70

1400

马克斯。

24.3

72.9

1.2

-

单位

A

V

ns

C

A

A / μs的

典型的瞬态热特性

符号

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.006524

0.013

0.025

0.096

0.117

0.053

K / W

价值

典型值。

单位

符号

价值

典型值。

单位

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.0004439

0.001662

0.002268

0.006183

0.014

0.104

WS / K

T

j

P

合计

(t)

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

修订版2.0

第4页

2004-03-02

SPP24N60C3

1功耗

P

合计

=

f

(

T

C

)

260

SPP24N60C3

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

W

220

200

180

A

10

1

P

合计

160

140

120

100

80

60

40

20

0

20

40

60

80

100

120

I

D

10

0

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

°C

160

10

-2 0

10

1

10

2

T

C

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

0

4典型。输出特性

I

D

=

f

(

V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

100

K / W

A

10

-1

VGS = 20V

VGS = 7.5V

VGS = 7V

VGS = 6.5V

80

VGS = 6V

VGS = 5.5V

70

VGS = 5V

VGS = 4.5V

60

VGS = 4V

50

Z

thJC

10

-2

10

-3

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

I

D

10

-4 -7

10

-6

-5

-4

-3

40

30

20

10

-1

10

s

t

p

10

0

4

8

12

16

20

26

V

DS

修订版2.0

第5页

2004-03-02

SPP24N60C3

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

在220

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

V

DS

@

T

JMAX

R

DS （ ON）

I

D

650

0.16

24.3

V

A

PG-TO220-3-1

TYPE

SPP24N60C3

包

订购代码

PG- TO220-3-1 Q67040 - S4639

记号

24N60C3

最大额定值

参数

符号

I

D

价值

单位

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

A

24.3

15.4

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 10 A,

V

DD

= 50 V

I

PULS

E

AS

72.9

780

1

24.3

±20

±

30

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

1)

E

AR

I

D

= 24.3 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

I

AR

栅源电压静态

V

GS

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

A

V

W

°C

V / ns的

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

dv / dt的

240

-55... +150

15

工作和存储温度

反向二极管的dv / dt

4)

修订版2.5

第1页

2009-12-01

SPP24N60C3

最大额定值

参数

符号

价值

单位

漏源电压斜率

V

DS

= 480 ,

I

D

= 24.3 ,

T

j

= 125 °C

d

v

/d

t

50

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

-

值

典型值。

-

马克斯。

0.52

62

K / W

单位

焊接温度，

波峰焊接

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

T

出售

-

260

°C

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=1200Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

值

典型值。

-

700

3

0.1

-

0.14

0.34

0.66

马克斯。

-

3.9

600

-

2.1

-

单位

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=24.3A

A

1

100

0.16

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=15.4A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

修订版2.5

第2页

2009-12-01

SPP24N60C3

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

条件

分钟。

V

DS

≥

2*

I

D

*

R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=15.4A

值

典型值。

21.5

3000

1000

60

141

224

13

21

140

14

马克斯。

-

单位

S

pF

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

有效输出电容，

2)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

3)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

pF

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=380V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=24.3A,

R

G

=3.3

-

ns

栅极电荷特性

门源费

Q

gs

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gd

Q

g

V

DD

=480,

I

D

=24.3A

-

12.7

45.8

104.9

5

-

135

-

nC

V

DD

=480V,

I

D

=24.3A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=480V,

I

D

=24.3A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

=E

AR

*f.

AV

2

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

3

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

4

ISD< = ID ，二/ dt< = 200A / us的， VDClink = 400V ， Vpeak<VBR ， DSS ， Tj<Tj ，最大。

相同的低侧和高侧开关。

修订版2.5

第3页

2009-12-01

SPP24N60C3

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=480V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

600

13

70

1400

马克斯。

24.3

72.9

1.2

-

单位

A

V

ns

C

A

A / μs的

典型的瞬态热特性

符号

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.006524

0.013

0.025

0.096

0.117

0.053

K / W

价值

典型值。

单位

符号

价值

典型值。

单位

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.0004439

0.001662

0.002268

0.006183

0.014

0.104

WS / K

T

j

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

P

合计

(t)

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

修订版2.5

第4页

2009-12-01

SPP24N60C3

1功耗

P

合计

=

f

(

T

C

)

260

SPP24N60C3

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

W

220

200

180

A

10

1

P

合计

160

140

120

100

80

60

40

20

0

20

40

60

80

100

120

I

D

10

0

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

°C

160

10

-2 0

10

1

10

2

T

C

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

0

4典型。输出特性

I

D

=

f

(

V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

100

K / W

A

10

-1

VGS = 20V

VGS = 7.5V

VGS = 7V

VGS = 6.5V

80

VGS = 6V

VGS = 5.5V

70

VGS = 5V

VGS = 4.5V

60

VGS = 4V

50

Z

thJC

10

-2

10

-3

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

I

D

10

-4 -7

10

-6

-5

-4

-3

40

30

20

10

-1

10

s

t

p

10

0

4

8

12

16

20

26

V

DS

修订版2.5

第5页

2009-12-01