【SPP20N60CFD酷MOS 功率晶体管特征新的革命高电压技术世界范围内最好的RDS （ ON）在】,IC型号SPP20N60CFD,SPP20N60CFD PDF资料,SPP20N60CFD经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPP20N60CFD

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

在220

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

高的峰值电流能力

内在的快速恢复体二极管

极低的反向恢复电荷

V

DS

@ T

JMAX

R

DS （ ON）

I

D

650

0.22

20.7

P-TO220-3-1

V

A

TYPE

SPP20N60CFD

包

P-TO220-3-1

订购代码

Q67040-S4616

记号

20N60CFD

最大额定值

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 10 A,

V

DD

= 50 V

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX 1 ）

E

AR

I

D

= 20 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

I

S=20.7A,

V

DS=480V,

T

j=125°C

符号

I

D

价值

20.7

13.1

52

690

1

20

40

±20

±30

208

-55... +150

单位

A

I

PULS

E

AS

mJ

I

AR

dv / dt的

V

GS

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

A

V / ns的

V

W

°C

门源电压

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C = 25°C

工作和存储温度

第1页

2003-12-22

SPP20N60CFD

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 20.7 A,

T

j

= 125 °C

符号

dv / dt的

di

F

/ DT

价值

80

900

单位

V / ns的

A / μs的

最大的二极管整流速度

V

DS

= 480 V,

I

D

= 20.7 A,

T

j

= 125 °C

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

漏源击穿电压

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=1000Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

T

出售

-

值

典型值。

-

马克斯。

0.6

62

260

单位

K / W

°C

符号

条件

分钟。

600

-

3

-

值

典型值。

-

700

4

2.1

1700

-

0.19

0.51

0.54

马克斯。

-

5

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=20A

A

-

100

0.22

-

nA

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=13.1A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

第2页

2003-12-22

SPP20N60CFD

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

有效输出电容，

2)

能源相关

有效输出电容，

3)

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=480V,

I

D

=20.7A,

V

GS

= 0至10V

V

DD

=480V,

I

D

=20.7A

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

O（ ER ）

C

O（ TR ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

条件

分钟。

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=13.1A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

值

典型值。

17.5

2400

780

50

83

160

12

15

59

6.4

马克斯。

-

单位

S

pF

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

pF

V

DD

=380V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=20.7A,

R

G

=3.6

-

ns

-

15

54

95

7

-

124

-

nC

V

（高原）

V

DD

=480V,

I

D

=20.7A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

= E * F。

AV

AR

2

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

3

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

第3页

2003-12-22

SPP20N60CFD

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=480V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

150

1

13

1400

马克斯。

20.7

52

1.2

-

单位

A

V

ns

C

A

A / μs的

典型的瞬态热特性

符号

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.007686

0.015

0.029

0.114

0.136

0.059

K / W

价值

典型值。

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.0003764

0.001412

0.001932

0.005299

0.012

0.091

WS / K

单位

符号

价值

典型值。

单位

T

j

P

合计

(t)

R

th1

R

日，正

T

例

外部散热器

C

th1

C

th2

C

日，正

T

AMB

第4页

2003-12-22

SPP20N60CFD

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

SPP20N60CFD

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

240

W

200

180

A

10

1

P

合计

140

120

100

80

60

40

20

0

10

0

20

40

60

80

100

120

-2

I

D

10

0

160

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

°C

160

10

0

10

1

10

2

T

C

V

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

0

4典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

VGS = 10V

VGS = 8V

A

VGS = 7.5V

VGS = 7V

VGS = 6.5V

VGS = 6V

50

VGS = 5.5V

VGS = 5V

40

70

K / W

10

-1

Z

thJC

10

-2

10

-3

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

I

D

10

-4

-7

-6

-5

-4

-3

-2

30

20

10

s

10

t

p

0

4

8

12

16

20

V

28

V

DS

第5页

2003-12-22

SPP20N60CFD

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

在220

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

高的峰值电流能力

内在的快速恢复体二极管

极低的反向恢复电荷

V

DS

@ T

JMAX

R

DS （ ON）

I

D

650

0.22

20.7

PG-TO220

V

A

TYPE

SPP20N60CFD

最大额定值

参数

包

PG-TO220

订购代码

Q67040-S4616

记号

20N60CFD

符号

I

D

价值

20.7

13.1

52

690

1

20

40

±20

±30

208

-55... +150

单位

A

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 10 A,

V

DD

= 50 V

I

PULS

E

AS

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX 1 ）

E

AR

I

D

= 20 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

I

S=20.7A,

V

DS=480V,

T

j=125°C

I

AR

dv / dt的

V

GS

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

A

V / ns的

V

W

°C

门源电压

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C = 25°C

工作和存储温度

修订版2.4

第1页

2005-06-09

SPP20N60CFD

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 20.7 A,

T

j

= 125 °C

符号

dv / dt的

di

F

/ DT

价值

80

900

单位

V / ns的

A / μs的

最大的二极管整流速度

V

DS

= 480 V,

I

D

= 20.7 A,

T

j

= 125 °C

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

焊接温度，波峰焊接

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

漏源击穿电压

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=1000Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

T

出售

-

值

典型值。

-

马克斯。

0.6

62

260

单位

K / W

°C

符号

条件

分钟。

600

-

3

-

值

典型值。

-

700

4

2.1

1700

-

0.19

0.51

0.54

马克斯。

-

5

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=20A

A

-

100

0.22

-

nA

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=13.1A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

修订版2.4

第2页

2005-06-09

SPP20N60CFD

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

有效输出电容，

2)

能源相关

有效输出电容，

3)

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=480V,

I

D

=20.7A,

V

GS

= 0至10V

V

DD

=480V,

I

D

=20.7A

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

O（ ER ）

C

O（ TR ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

条件

分钟。

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=13.1A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

值

典型值。

17.5

2400

780

50

83

160

12

15

59

6.4

马克斯。

-

单位

S

pF

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

pF

V

DD

=380V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=20.7A,

R

G

=3.6

-

ns

-

15

54

95

7

-

124

-

nC

V

（高原）

V

DD

=480V,

I

D

=20.7A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

= E * F。

AV

AR

2

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

3

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

修订版2.4

第3页

2005-06-09

SPP20N60CFD

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=480V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

150

1

13

1400

马克斯。

20.7

52

1.2

-

单位

A

V

ns

C

A

A / μs的

典型的瞬态热特性

符号

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.007686

0.015

0.029

0.114

0.136

0.059

K / W

价值

典型值。

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.0003764

0.001412

0.001932

0.005299

0.012

0.091

WS / K

单位

符号

价值

典型值。

单位

T

j

P

合计

(t)

R

th1

R

日，正

T

例

外部散热器

C

th1

C

th2

C

日，正

T

AMB

修订版2.4

第4页

2005-06-09

SPP20N60CFD

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

SPP20N60CFD

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

240

W

200

180

A

10

1

P

合计

140

120

100

80

60

40

20

0

10

0

20

40

60

80

100

120

-2

I

D

10

0

160

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

°C

160

10

0

10

1

10

2

T

C

V

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

0

4典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

VGS = 10V

VGS = 8V

A

VGS = 7.5V

VGS = 7V

VGS = 6.5V

VGS = 6V

50

VGS = 5.5V

VGS = 5V

40

70

K / W

10

-1

Z

thJC

10

-2

10

-3

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

I

D

10

-4

-7

-6

-5

-4

-3

-2

30

20

10

s

10

t

p

0

4

8

12

16

20

V

28

V

DS

修订版2.4

第5页

2005-06-09

SPP20N60CFD

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

在220

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

高的峰值电流能力

内在的快速恢复体二极管

极低的反向恢复电荷

V

DS

@ T

JMAX

R

DS （ ON）

I

D

650

0.22

20.7

PG-TO220

V

A

TYPE

SPP20N60CFD

最大额定值

参数

包

PG-TO220

订购代码

Q67040-S4616

记号

20N60CFD

符号

I

D

价值

20.7

13.1

52

690

1

20

40

±20

±30

208

-55... +150

单位

A

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 10 A,

V

DD

= 50 V

I

PULS

E

AS

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX 1 ）

E

AR

I

D

= 20 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

I

S=20.7A,

V

DS=480V,

T

j=125°C

I

AR

dv / dt的

V

GS

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

A

V / ns的

V

W

°C

门源电压

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C = 25°C

工作和存储温度

修订版2.6

第1页

2009-11-30

SPP20N60CFD

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 20.7 A,

T

j

= 125 °C

符号

dv / dt的

di

F

/ DT

价值

80

900

单位

V / ns的

A / μs的

最大的二极管整流速度

V

DS

= 480 V,

I

D

= 20.7 A,

T

j

= 125 °C

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

焊接温度，波峰焊接

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

漏源击穿电压

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=1000Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

T

出售

-

值

典型值。

-

马克斯。

0.6

62

260

单位

K / W

°C

符号

条件

分钟。

600

-

3

-

值

典型值。

-

700

4

2.1

1700

-

0.19

0.51

0.54

马克斯。

-

5

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=20A

A

-

100

0.22

-

nA

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=13.1A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

修订版2.6

第2页

2009-11-30

SPP20N60CFD

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

有效输出电容，

2)

能源相关

有效输出电容，

3)

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=480V,

I

D

=20.7A,

V

GS

= 0至10V

V

DD

=480V,

I

D

=20.7A

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

O（ ER ）

C

O（ TR ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

条件

分钟。

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=13.1A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

值

典型值。

17.5

2400

780

50

83

160

12

15

59

6.4

马克斯。

-

单位

S

pF

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

pF

V

DD

=380V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=20.7A,

R

G

=3.6

-

ns

-

15

54

95

7

-

124

-

nC

V

（高原）

V

DD

=480V,

I

D

=20.7A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

= E * F。

AV

AR

2

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

3

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

修订版2.6

第3页

2009-11-30

SPP20N60CFD

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=480V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

150

1

13

1400

马克斯。

20.7

52

1.2

-

单位

A

V

ns

C

A

A / μs的

典型的瞬态热特性

符号

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.007686

0.015

0.029

0.114

0.136

0.059

K / W

价值

典型值。

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.0003764

0.001412

0.001932

0.005299

0.012

0.091

WS / K

单位

符号

价值

典型值。

单位

T

j

P

合计

(t)

R

th1

R

日，正

T

例

外部散热器

C

th1

C

th2

C

日，正

T

AMB

修订版2.6

第4页

2009-11-30

SPP20N60CFD

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

SPP20N60CFD

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

240

W

200

180

A

10

1

P

合计

140

120

100

80

60

40

20

0

10

0

20

40

60

80

100

120

-2

I

D

10

0

160

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

°C

160

10

0

10

1

10

2

T

C

V

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

0

4典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

VGS = 10V

VGS = 8V

A

VGS = 7.5V

VGS = 7V

VGS = 6.5V

VGS = 6V

50

VGS = 5.5V

VGS = 5V

40

70

K / W

10

-1

Z

thJC

10

-2

10

-3

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

I

D

10

-4

-7

-6

-5

-4

-3

-2

30

20

10

s

10

t

p

0

4

8

12

16

20

V

28

V

DS

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