SPP1413A
P沟道增强型MOSFET
描述
该SPP1413A是P沟道增强逻辑
型功率场效应晶体管都采用生产
高密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用诸如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和其它电池供电的
电路中的高侧开关和低线
需要在一个非常小的轮廓表面的功率损耗
贴装封装。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
-20V/-3.4A,R
DS （ ON）
= 130mΩ @ V
GS
=-4.5V
-20V/-2.4A,R
DS （ ON）
= 150mΩ @ V
GS
=-2.5V
-20V/-1.7A,R
DS （ ON）
= 190mΩ @ V
GS
=-1.8V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 353 （ SC - 70 ）封装设计
引脚配置（ SOT- 353 ， SC- 70 ）
最热
2012/08/07
Ver.4
第1页
SPP1413A
P沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
2
3
1,4,5
符号
G
S
D
描述
门
来源
漏
订购信息
产品型号
SPP1413AS35RG
SPP1413AS35RGB
包
SOT-353
SOT-353
最热
1AYW
1AYW
※
本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
SPP1413AS35RG ：带卷轴;铅 - 免费
※
SPP1413AS35RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
2012/08/07
Ver.4
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
=25℃
T
A
=70℃
I
D
I
DM
I
S
T
A
=25℃
T
A
=70℃
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
-20
±12
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
第2页
-2.3
-1.7
-6
-1.4
0.95
0..51
-55/150
-55/150
105
QQ：2881677436 复制
