【SPP11N60S5 ， SPB11N60S5SPI11N60S5酷MOS 功率晶体管特征新的革命高】,IC型号SPP11N60S5,SPP11N60S5 PDF资料,SPP11N60S5经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPP11N60S5 ， SPB11N60S5

SPI11N60S5

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

P-TO220-3-1

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

P-TO262

P-TO263-3-2

600

0.38

11

V

A

P-TO220-3-1

2

1

23

TYPE

包

订购代码

SPP11N60S5

SPB11N60S5

SPI11N60S5

最大额定值

参数

P-TO220-3-1

P-TO263-3-2

P-TO262

Q67040-S4198

Q67040-S4199

Q67040-S4338

记号

11N60S5

符号

I

D

价值

11

7

单位

A

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 5.5 A,

V

DD

= 50 V

I

PULS

E

AS

22

340

0.6

11

±20

±

30

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

1)

E

AR

I

D

= 11 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

I

AR

门源电压

V

GS

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

A

V

W

°C

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

125

-55... +150

工作和存储温度

2.1版

第1页

2004-03-30

SPP11N60S5 ， SPB11N60S5

SPI11N60S5

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 11 A,

T

j

= 125 °C

符号

dv / dt的

价值

20

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=11A

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=500

Α

,

V

GS

=V

DS

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

值

典型值。

-

35

-

马克斯。

1

62

-

260

-

单位

K / W

R

thJA

T

出售

-

°C

值

典型值。

-

700

4.5

-

0.34

0.92

29

马克斯。

-

5.5

600

-

3.5

-

单位

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

A

25

250

100

0.38

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=7A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f

= 1MHz时，漏极开路

2.1版

第2页

2004-03-30

SPP11N60S5 ， SPB11N60S5

SPI11N60S5

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

特征

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

V

DS

≥

2*

I

D

*

R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=7A

符号

条件

分钟。

-

V

DD

=350V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=11A,

R

G

=6.8

值

典型值。

6

1460

610

21

45

85

130

35

150

20

马克斯。

-

225

30

单位

S

pF

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

有效输出电容，

3)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

4)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

pF

-

ns

栅极电荷特性

门源费

Q

gs

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gd

Q

g

V

DD

=350V,

I

D

=11A

-

10.5

24

41.5

8

-

54

-

nC

V

DD

=350V,

I

D

=11A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=350V,

I

D

=11A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

=E

AR

*f.

AV

2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

3

C

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

O（ ER ）

DSS

.

4

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

2.1版

第3页

2004-03-30

SPP11N60S5 ， SPB11N60S5

SPI11N60S5

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=350V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

650

7.9

马克斯。

11

22

1.2

1105

-

单位

A

V

ns

C

典型的瞬态热特性

符号

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.015

0.03

0.056

0.197

0.216

0.083

K / W

价值

典型值。

单位

符号

价值

典型值。

单位

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.0001878

0.0007106

0.000988

0.002791

0.007285

0.063

WS / K

T

j

P

合计

(t)

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

2.1版

第4页

2004-03-30

SPP11N60S5 ， SPB11N60S5

SPI11N60S5

1功耗

P

合计

=

f

(

T

C

)

140

SPP11N60S5

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

W

A

120

110

100

10

1

P

合计

80

70

60

50

40

30

20

10

0

20

40

60

80

100

120

10

-1

10

0

I

D

90

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

°C

160

10

-2 0

10

1

10

2

T

C

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

4典型。输出特性

I

D

=

f

(

V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

35

K / W

A

10

0

25

10

-1

20V

12V

10V

Z

thJC

I

D

20

9V

10

-2

10

-3

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

15

8V

10

7V

5

6V

10

-4

10

-7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

s

t

p

10

-1

0

5

10

15

V

DS

25

V

2.1版

第5页

2004-03-30

SPP11N60S5

SPI11N60S5

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

P-TO220-3-1

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

PG-TO262

600

0.38

11

PG-TO220

2

V

A

1

23

TYPE

包

订购代码

SPP11N60S5

SPI11N60S5

最大额定值

参数

PG-TO220

PG-TO262

Q67040-S4198

Q67040-S4338

记号

11N60S5

符号

I

D

价值

11

7

单位

A

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 5.5 A,

V

DD

= 50 V

I

PULS

E

AS

22

340

0.6

11

±20

±

30

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

1)

E

AR

I

D

= 11 A,

V

DD

= 50 V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

I

AR

门源电压

V

GS

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

A

V

W

°C

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

125

-55... +150

工作和存储温度

第2.7版

第1页

2009-11-30

SPP11N60S5

SPI11N60S5

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 11 A,

T

j

= 125 °C

符号

dv / dt的

价值

20

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

焊接温度，

波峰焊接

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=11A

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=500

Α

,

V

GS

=V

DS

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

值

典型值。

-

35

-

马克斯。

1

62

-

260

-

单位

K / W

R

thJA

T

出售

-

°C

值

典型值。

-

700

4.5

-

0.34

0.92

29

马克斯。

-

5.5

600

-

3.5

-

单位

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

A

25

250

100

0.38

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=7A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f

= 1MHz时，漏极开路

第2.7版

第2页

2009-11-30

SPP11N60S5

SPI11N60S5

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

特征

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

V

DS

≥

2*

I

D

*

R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=7A

符号

条件

分钟。

-

V

DD

=350V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=11A,

R

G

=6.8

值

典型值。

6

1460

610

21

45

85

130

35

150

20

马克斯。

-

225

30

单位

S

pF

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

有效输出电容，

3)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

4)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

pF

-

ns

栅极电荷特性

门源费

Q

gs

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gd

Q

g

V

DD

=350V,

I

D

=11A

-

10.5

24

41.5

8

-

54

-

nC

V

DD

=350V,

I

D

=11A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=350V,

I

D

=11A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

=E

AR

*f.

AV

2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

3

C

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

O（ ER ）

DSS

.

4

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

第2.7版

第3页

2009-11-30

SPP11N60S5

SPI11N60S5

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=350V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

650

7.9

马克斯。

11

22

1.2

1105

-

单位

A

V

ns

C

典型的瞬态热特性

符号

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.015

0.03

0.056

0.197

0.216

0.083

K / W

价值

典型值。

单位

符号

价值

典型值。

单位

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.0001878

0.0007106

0.000988

0.002791

0.007285

0.063

WS / K

T

j

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

P

合计

(t)

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

第2.7版

第4页

2009-11-30

SPP11N60S5

SPI11N60S5

1功耗

P

合计

=

f

(

T

C

)

140

SPP11N60S5

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

W

A

120

110

100

10

1

P

合计

80

70

60

50

40

30

20

10

0

20

40

60

80

100

120

10

-1

10

0

I

D

90

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

°C

160

10

-2 0

10

1

10

2

T

C

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

4典型。输出特性

I

D

=

f

(

V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

35

K / W

A

10

0

25

10

-1

20V

12V

10V

Z

thJC

I

D

20

9V

10

-2

10

-3

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

15

8V

10

7V

5

6V

10

-4

10

-7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

s

t

p

10

-1

0

5

10

15

V

DS

25

V

第2.7版

第5页

2009-11-30