SPP11N60C3
SPI11N60C3 ， SPA11N60C3
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
高的峰值电流能力
改进的跨导
P-TO220-3-31
1
2
3
V
DS
@
T
JMAX
R
DS （ ON）
I
D
PG- TO220-3-31 PG- TO262-3
650
0.38
11
PG-TO220
V
A
PG- TO- 220-3-31 ：完全隔离包（2500 VAC ， 1分钟）
TYPE
SPP11N60C3
SPI11N60C3
SPA11N60C3
包
PG-TO220-3
PG-TO262-3
订购代码
Q67040-S4395
Q67042-S4403
记号
11N60C3
11N60C3
11N60C3
PG-TO220-3-31
SP000216312
最大额定值
参数
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
SPP_I
I
D
11
7
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
dv / dt的
第1页
价值
SPA
单位
A
11
1)
7
1)
33
340
0.6
11
±20
±30
33
W
°C
V / ns的
A
V
A
mJ
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=5.5A,
V
DD
=50V
33
340
0.6
11
±20
±30
125
15
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
JMAX
2)
I
D
=11A,
V
DD
=50V
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
栅源电压静态
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
C
= 25°C
工作和存储温度
反向二极管的dv / dt
7)
修订版2.6
-55...+150
2005-09-21
SPP11N60C3
SPI11N60C3 ， SPA11N60C3
电气特性
参数
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
条件
分钟。
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=7A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
值
典型值。
8.3
1200
390
30
45
85
10
5
44
5
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
70
9
-
-
-
-
-
-
单位
S
pF
有效输出电容，
5)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
6)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=380V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=11A,
R
G
=6.8
-
-
-
-
ns
V
DD
=480V,
I
D
=11A
-
-
-
-
5.5
22
45
5.5
-
-
60
-
nC
V
DD
=480V,
I
D
=11A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=480V,
I
D
=11A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
= E * F。
AR
AV
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
220℃ ，回流：对于TO- 263 4Soldering温度
5
C
6
C
O（ ER ）
O（ TR ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
7
我< = I ， DI / dt< = 400A / us的，V
SD
D
的dcLINK
=400V, V
PEAK
＆ LT ; V
BR ， DSS
, T
j
＆ LT ;吨
， MAX
.
相同的低侧和高侧开关。
修订版2.6
第3页
2005-09-21
SPP11N60C3
SPI11N60C3 ， SPA11N60C3 ，
SPA11N60C3 E8185
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
高的峰值电流能力
改进的跨导
P-TO220-3-31
1
2
3
V
DS
@
T
JMAX
R
DS （ ON）
I
D
PG-TO220FP
PG-TO262
650
0.38
11
PG-TO220
V
A
PG- TO- 220-3-31 ; -3-111 ：全隔离封装（ 2500 VAC ， 1分钟）
TYPE
SPP11N60C3
SPI11N60C3
SPA11N60C3
包
PG-TO220
PG-TO262
PG-TO220
FP
订购代码
Q67040-S4395
Q67042-S4403
Q67040-S4408
记号
11N60C3
11N60C3
11N60C3
SPA11N60C3E8185 PG- TO220
11N60C3
最大额定值
参数
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
SPP_I
I
D
11
7
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
dv / dt的
第1页
价值
SPA
单位
A
11
1)
7
1)
33
340
0.6
11
±20
±30
33
W
°C
V / ns的
A
V
A
mJ
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=5.5A,
V
DD
=50V
33
340
0.6
11
±20
±30
125
15
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
JMAX
2)
I
D
=11A,
V
DD
=50V
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
栅源电压静态
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
C
= 25°C
工作和存储温度
反向二极管的dv / dt
7)
启示录
3.
2
-55...+150
2009-11-27
SPP11N60C3
SPI11N60C3 ， SPA11N60C3 ，
SPA11N60C3 E8185
最大额定值
参数
漏源电压斜率
V
DS
= 480 V,
I
D
= 11 A,
T
j
= 125 °C
符号
dv / dt的
价值
50
单位
V / ns的
热特性
参数
热阻，结 - 案
热阻，结 - 的情况下， FULLPAK
热阻，结 - 环境，含铅
热阻，结 - 环境， FULLPAK
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
3)
焊接温度，
波峰焊接
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
4)
电气特性，
at
T
J = 25 ° C除非另有说明
参数
符号
条件
分钟。
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
漏源雪崩
击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D
=500A,
V
GS = VDS
V
DS
=600V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
T
j
=150°C
符号
分钟。
R
thJC
R
thJC_FP
R
thJA
R
thJA_FP
R
thJA
-
-
T
出售
-
-
-
-
-
值
典型值。
-
-
-
-
-
35
-
马克斯。
1
3.8
62
80
62
-
260
单位
K / W
°C
值
典型值。
-
700
3
0.1
-
-
0.34
0.92
0.86
马克斯。
-
-
3.9
600
-
2.1
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
（ BR ） DS
V
GS
=0V,
I
D
=11A
A
1
100
100
0.38
-
-
nA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=30V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=7A
T
j
=25°C
T
j
=150°C
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
门输入电阻
R
G
f=1MHz,
漏极开路
启示录
3.
2
第2页
2009-11-27
SPP11N60C3
SPI11N60C3 ， SPA11N60C3 ，
SPA11N60C3 E8185
电气特性
参数
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
条件
分钟。
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=7A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
值
典型值。
8.3
1200
390
30
45
85
10
5
44
5
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
70
9
-
-
-
-
-
-
单位
S
pF
有效输出电容，
5)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
6)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=380V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=11A,
R
G
=6.8
-
-
-
-
ns
V
DD
=480V,
I
D
=11A
-
-
-
-
5.5
22
45
5.5
-
-
60
-
nC
V
DD
=480V,
I
D
=11A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=480V,
I
D
=11A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
= E * F。
AR
AV
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
220℃ ，回流：对于TO- 263 4Soldering温度
5
C
6
C
O（ ER ）
O（ TR ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
7
ISD< = ID ，二/ dt< = 400A / us的， VDClink = 400V ， Vpeak<VBR ， DSS ， Tj<Tj ，最大。
相同的低侧和高侧开关。
3
.2
第3页
启示录
2009-11-27
SPP11N60C3
SPI11N60C3 ， SPA11N60C3 ，
SPA11N60C3 E8185
电气特性
参数
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
秋天反向峰值速率
恢复电流
典型的瞬态热特性
符号
SPP_I
R
th1
R
th2
R
th3
R
th4
R
th5
R
th6
0.015
0.03
0.056
0.197
0.216
0.083
价值
SPA
0.15
0.03
0.056
0.194
0.413
2.522
K / W
C
th1
C
th2
C
th3
C
th4
C
th5
C
th6
R
日，正
T
例
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
di
rr
/ DT
条件
分钟。
T
C
=25°C
值
典型值。
-
-
1
400
6
41
1200
马克斯。
11
33
1.2
600
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
A
V
GS
=0V,
I
F
=I
S
V
R
=480V,
I
F
=I
S
,
di
F
/dt=100A/s
V
ns
C
A
A / μs的
T
j
=25°C
单位
符号
SPP_I
价值
SPA
0.0001878
0.0007106
0.000988
0.002791
0.007401
0.412
0.0001878
0.0007106
0.000988
0.002791
0.007285
0.063
单位
WS / K
T
j
R
th1
xternal eatsink
P
合计
(t)
C
th1
C
th2
C
日，正
T
上午B
转
.
3.2
第4页
2009-11-27
SPP11N60C3
SPI11N60C3 ， SPA11N60C3 ，
SPA11N60C3 E8185
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
SPP11N60C3
2功耗FULLPAK
P
合计
=
f
(T
C
)
35
140
W
W
120
110
100
25
P
合计
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
P
合计
20
15
10
5
160
0
0
°C
20
40
60
80
100
120
T
C
°C
160
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
2
4安全工作区FULLPAK
I
D
=
f
(V
DS
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C
10
2
A
A
10
1
10
1
I
D
10
0
I
D
10
0
10
-1
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
DC
10
-1
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
TP = 10毫秒
DC
10
-2 0
10
10
1
10
2
10
V
V
DS
3
10
-2 0
10
10
1
10
2
10
V
V
DS
3
启示录
3
.2
第5页
2009-11-27
最终数据
SPP11N60C3 ， SPB11N60C3
SPI11N60C3 ， SPA11N60C3
V
DS
@
T
JMAX
R
DS （ ON）
I
D
650
0.38
11
V
A
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
高的峰值电流能力
改进的跨导
P-TO220-3-31
1
2
3
P-TO220-3-31
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
P-TO220-3-1
P- TO- 220-3-31 ：完全隔离包（2500 VAC ， 1分钟）
TYPE
SPP11N60C3
SPB11N60C3
SPI11N60C3
SPA11N60C3
最大额定值
参数
包
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
订购代码
Q67040-S4395
Q67040-S4396
Q67042-S4403
记号
11N60C3
11N60C3
11N60C3
11N60C3
P- TO220-3-31 Q67040 - S4408
符号
I
D
11
7
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
33
340
0.6
11
±20
±30
125
价值
SPP_B
SPP_B_I
SPA
单位
A
11
1)
7
1)
33
340
0.6
11
±20
±30
33
W
°C
A
V
A
mJ
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=5.5A,
V
DD
=50V
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
JMAX
2)
I
D
=11A,
V
DD
=50V
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
栅源电压静态
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
C
= 25°C
工作和存储温度
-55...+150
第1页
2003-07-01
最终数据
电气特性
参数
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
SPP11N60C3 ， SPB11N60C3
SPI11N60C3 ， SPA11N60C3
条件
分钟。
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=7A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
值
典型值。
8.3
1200
390
30
45
85
10
5
44
5
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
70
9
-
-
-
-
-
-
单位
S
pF
有效输出电容，
5)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
6)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=380V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=11A,
R
G
=6.8
-
-
-
-
ns
V
DD
=480V,
I
D
=11A
-
-
-
-
5.5
22
45
5.5
-
-
60
-
nC
V
DD
=480V,
I
D
=11A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=480V,
I
D
=11A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
= E * F。
AR
AV
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
220℃ ，回流：对于TO- 263 4Soldering温度
5
C
6
C
O（ ER ）
O（ TR ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
第3页
2003-07-01
初步数据
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
2)
线性降额因子
焊接温度，
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
T
出售
R
thJC
R
thJA
R
thJA
SPP11N60C3 ， SPB11N60C3
SPI11N60C3
符号
分钟。
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
-
-
-
35
-
-
马克斯。
1
62
62
-
1
260
单位
K / W
W / K
°C
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DS
V
GS （ TH）
I
DSS
600
-
2.1
-
700
3
-
-
3.9
V
漏源雪崩击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=11A
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
- 0.5毫安
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 600 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 600 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
A
-
-
-
-
-
25
250
100
nA
-
-
0.34
1.1
0.86
0.38
1.22
-
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
I
GSS
R
DS （ ON）
-
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=7A,
T
j
=25°C
V
GS
=10V,
I
D
=7A,
T
j
=150°C
门输入电阻
f
= 1 MHz时，漏极开路
R
G
-
1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
= E * F。
AV
AR
2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
2001-07-05
QQ：2881677436 复制
