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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第433页 > SPP10N10L
SPI10N10L
SPP10N10L
SIPMOS
功率晶体管
特征
N沟道
增强型
逻辑电平
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
PG-TO262-3-1
100
154
10.3
V
A
PG-TO220-3-1
TYPE
SPP10N10L
SPI10N10L
包
PG-TO220-3-1
PG-TO262-3-1
订购代码
Q67042-S4163
Q67042-S4162
记号
10N10L
10N10L
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符号
I
D
价值
10.3
8.1
单位
A
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
42.2
60
6
±20
50
-55... +175
55/175/56
mJ
KV / μs的
V
W
°C
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
T
C
=25°C
I
S
=10.3A,
V
DS
=80V,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
2.1版

I
D
=10.3 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
第1页
2005-02-14







m
SPI10N10L
SPP10N10L
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
值
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
3
100
75
50
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
-
-
-
100
1.2
值
典型值。
-
1.6
马克斯。
-
2
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
= 21 A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
A
0.01
1
1
169
124
1
100
100
210
154
nA
m
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
V
GS
=4.5V,
I
D
=8.1A
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=8.1A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
2.1版
第2页
2005-02-14

漏源导通电阻
SPI10N10L
SPP10N10L
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
I
D
=8.1A
符号
条件
分钟。
值
典型值。
9.4
355
72
42
4.6
19.1
27.8
17.8
马克斯。
-
444
90
63
6.9
28.7
41.7
26.7
单位
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=50V,
V
GS
=10V,
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
INV 。二极管直流，脉冲
I
SM
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=10.3A
V
R
=50V,
I
F =
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=80V,
I
D
=10.3A
V
DD
=80V,
I
D
=10.3A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=80V,
I
D
=10.3A
I
S
T
C
=25°C
2.1版
第3页

I
D
=10.3A,
R
G
=13

跨
g
fs
V
DS
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
4.7
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
ns
-
-
-
-
1.1
7.3
17.7
3.8
1.4
11
22
-
nC
V
-
-
-
-
-
-
-
0.93
57
126
10.3
42.2
1.25
71
158
A
V
ns
nC
2005-02-14
SPI10N10L
SPP10N10L
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
55
SPP10N10L
2漏极电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
10 V
12
SPP10N10L
W
45
40
A
10
9
8
P
合计
I
D
35
30
7
6
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
2
SPP10N10L
t
P = 4.8μs
4瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
SPP10N10L
K / W
A
/
I
D
on
)
=
V
DS
10 s
10
0
I
D
R
DS
(
10
1
Z
thJC
10
-1
100 s
10
10
0
DC
1毫秒
-2
10毫秒
单脉冲
10
-3
10
-1 0
10
10
1
10
2
V
10
3
10
-4 -7
10
10
-6
V
DS
2.1版
第4页

T
C
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
2005-02-14
SPI10N10L
SPP10N10L
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
25
5.5V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
500
A
6V
7V
10V
5V
R
DS （ ON）
4.7V
4.5V
I
D
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
V
14
V
DS
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
16
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
10
A
12
7
I
D
10
g
fs
8
6
4
2
2
1
0
0
0
0
1
2
3
V
5
V
GS
2.1版
第5页

400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
4.5V
4.7V
5V
m
5.5V
6V
7V
10V
2.5
5
7.5
10 12.5 15 17.5 20
A
25
I
D

S
8
6
5
4
3
2
4
6
8
A
11
I
D
2005-02-14
查看更多SPP10N10LPDF信息
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ST72E212
SU-B36CLDE-FREQ
SGP23N60UF
SV01AA105MAA
ST730A
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联系人：朱
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